《氮化鋁單晶材料的生長及其光電特性的研究》是依託深圳大學，由鄭瑞生擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：氮化鋁單晶材料的生長及其光電特性的研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：鄭瑞生
- 依託單位：深圳大學
- 批准號：60576005
- 申請代碼：F0401
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2006-01-01 至 2006-12-31
- 支持經費：7（萬元）
項目摘要
在我們已經獲得毫米級優質氮化鋁單晶體的前期研究基礎上，探索用物理氣相法生長厘米級氮化鋁單晶體和大尺寸氮化鋁單晶襯底材料的工藝條件和技術手段；其次，對氮化鋁單晶體的結晶特性、光電特性等進行分析測試，為下一步用氮化鋁單晶體製作紫外光電子元器件和新型特種電子元器件作預先研究。.氮化鋁晶體屬於直接帶隙寬禁帶化合物半導體材料，具有高熱導率、高擊穿場強和高穩定性的特點，在新型高溫、高頻和大功率電子器件以及紫外
