氮化鋁單晶材料生長與套用

內容簡介

氮化鋁晶體具有寬頻隙、高熱導率、高擊穿場強等優勢，是製備紫外發光器件和大功率電力電子器件的理想材料。

《氮化鋁單晶材料生長與套用》以作者多年的研究成果為基礎，參考國內外的新研究成果，詳細介紹了氮化鋁單晶材料生長與器件製備的基本原理、技術工藝、新進展及發展趨勢。

《氮化鋁單晶材料生長與套用》共7章，內容包括氮化鋁單晶材料的基本性質、缺陷及其生長的物理基礎，物理氣相傳輸法、氫化物氣相外延法、金屬有機物化學氣相沉積法製備氮化鋁單晶和氮化鋁器件套用。

《氮化鋁單晶材料生長與套用》基於翔實的數據，對氮化鋁單晶材料生長的技術方法及套用領域的發展進行了討論，注重專業性和系統性，具有簡明、扼要等特點，可供從事相關研究的科研和工程技術人員閱讀，也可作為高等院校相關專業高年級本科生和研究生的參考教材。

圖書目錄

第1章氮化鋁單晶材料的基本性質

1．1 氮化鋁的套用背景與發展現狀

1．2 氮化鋁的基本物理性質

1．3 氮化鋁的晶體結構性質

1．4 氮化鋁的光學性質與能帶結構

第2章氮化鋁單晶材料生長的物理基礎

2．1 生長熱力學

2．1．1 相圖

2．1．2 表面能與晶體形態

2．2 生長動力學

2．2．1 過飽和度與過冷度

2．2．2 成核

2．2．3 表面動力學

第3章氮化鋁單晶材料的缺陷

3．1 點缺陷

3．1．1 本徵點缺陷

3．1．2 非本徵點缺陷

3．2 位錯

3．2．1 位錯的定義和分類

3．2．2 位錯的形成

3．2．3 鏡像力與位錯的運動

3．2．4 位錯的合併規律

3．2．5 位錯攀移

3．3 層錯與晶界

第4章物理氣相傳輸法製備氮化鋁單晶

4．1 發展歷史

4．2 物理氣相傳輸設備

4．2．1 石墨加熱爐

4．2．2 鎢加熱爐

4．3 生長機制

4．3．1 生長視窗與路徑

4．3．2 N極性生長

4．3．3 熱場最佳化

4．4 籽晶培養

4．4．1 選晶生長獲得AlN籽晶

4．4．2 在SiC襯底上異質外延生長獲得AlN籽晶

4．4．3 自發成核法製備自支撐AlN晶體

4．5 同質外延

第5章氫化物氣相外延法製備氮化鋁單晶

5．1 發展歷史

5．2 氫化物氣相外延系統

5．3 預反應

5．3．1 化學反應

5．3．2 預反應影響

5．4 AlN外延膜位錯密度的降低

5．4．1 兩步法生長

氮化鋁單晶材料生長與套用

基本介紹

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