《以金屬鋁和高純氮氣為原料PVT法生長氮化鋁晶體的方法》是哈爾濱化興軟控科技有限公司於2021年2月8日申請的專利，該專利公布號為CN112981533A，專利公布日為2021年6月18日，發明人是不公告發明人。
基本介紹
- 中文名：以金屬鋁和高純氮氣為原料PVT法生長氮化鋁晶體的方法
- 申請公布號 ：CN112981533A
- 申請公布日 ：2021.06.18
- 申請號 ：202110180391X
- 申請人：哈爾濱化興軟控科技有限公司
- 地址：150000黑龍江省哈爾濱市高新技術產業開發區哈工大沿海創意科技港及物聯網技術研發中心16號樓（創新路1616號）302-2室
- 發明人：不公告發明人
- Int. Cl.：C30B29/40(2006.01)I; C30B23/00(2006.01)I
- 專利代理機構：哈爾濱市文洋專利代理事務所(普通合夥)23210
- 代理人：王艷萍
專利摘要
以金屬鋁和高純氮氣為原料PVT法生長氮化鋁晶體的方法，涉及一種生長氮化鋁晶體的方法。它是為了解決現有方法以氮化鋁粉體生長氮化鋁晶體導致雜質會影響晶體生長的技術問題。本方法：一、將金屬鋁填充到生長坩堝中，抽真空；二、升溫至1800‑2000℃，充氮氣至750torr，保溫；三、然後升溫至2100‑2300℃，將爐壓抽至700torr，並控制氮氣流量為100‑150sccm，生長氮化鋁晶體；四、長晶過程結束後將爐壓充回至750torr，降溫，即得。本方法原料獲取方便，通過長流氣補充氮氣，長流氣可以帶走揮發的碳雜質，避免氮化鋁粉料的雜質和揮發碳對晶體生長的影響，提高晶體質量。本發明屬於晶體製備領域。
