武紅磊，男，博士，特聘研究員，博士生導師，物理與光電工程學院副院長，光電子器件與系統教育部重點實驗室副主任，深圳大學優秀學者，廣東省重大科技項目首席科學家，“微納電子技術”理事，“光電材料器件網”專家，深圳大學先進半導體與功能材料研究中心主任，深圳大學首屆博士畢業生。
基本介紹
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人物經歷
教育經歷
1998.09－2002.06 山東大學，光信息科學與技術專業，工學學士。
2004.09－2007.06 深圳大學，物理電子學專業，工學碩士。
2007.09－2010.12 深圳大學，光學工程專業，工學博士（深圳大學首屆博士）。
工作經歷
2002.07－2004.07 常州信息職業技術學院電子工程系，助教兼任輔導員。
2011.07－2015.11 深圳大學光電工程學院歷任院長助理，副院長，講師。
2015.12－2019.04 深圳大學光電工程學院副院長，副教授。
2019.04－2019.11 深圳大學物理與光電工程學院副院長，副教授。
2019.11－至今 深圳大學物理與光電工程學院副院長，特聘研究員。
研究方向
1、主要從事寬禁帶半導體材料寬禁帶-氮化鋁晶體的製備及相關器件研究；
2、作為團隊負責人建設深圳大學寬禁帶半導體材料綜合分析虛擬仿真實驗課程。
科研工作
1、近五年，主持國家自然科學基金面上項目等國家級項目3項、廣東省重點領域重大科技專項1項、深圳市科技計畫項目3項等，項目契約經費近5000萬元；同時，作為課題副組長參加國家自然科學基金重點項目1項、973項目1項；
2、在ACS Photonics、Advanced Materials等國內外知名學術期刊等發表學術論文40餘篇；申請專利30餘項，授權18項，並向相關國防研究單位轉讓專利1項；
3、針對寬禁帶半導體材料，參編英文專著一本；
4、一直從事寬禁帶半導體材料-氮化鋁晶體製備及器件研究工作，設計了國內首台氮化鋁晶體的PVT專用生長爐，現已實現生長爐的定型；帶領團隊形成了具有智慧財產權保護的氮化鋁晶體生長技術體系，製備出英寸級（最大3英寸）氮化鋁晶體，並在國際上首次實現1英寸無色氮化鋁晶體的製備；進行了基於氮化鋁晶體的光電及電子器件驗證工作。
主要論文
[1] Jin, Lei; Zhao, Kun; Xu, Shihai; Qin, Zuoyan; Cheng, Hongjuan; Zhang, Li; Qi, Haitao; Li, Jing; Zheng, Ruisheng; Wu, Honglei*, Optical property in colorless AlN bulk crystals: investigation of native defect-induced UV absorption, Scripta Materialia, 2021, 190: 91-96.
[2] Liu, Ge; Yan, Chengyuan; Zhou, Guigang; Wen Jiamin; Qin, Zuoyan; Zhou, Qin; Li, Baikui; Zheng, Ruisheng; Wu,Honglei*; Sun, Zhenhua, Broadband White-Light Emission from Alumina Nitride Bulk Single Crystals, ACS PHOTONICS, 2018, 5(10): 4009.
[3] Jin, L.*; Wu, H. L.**; Zhang, Y.; Qin, Z. Y.; Shi, Y. Z.; Cheng, H. J.; Zheng, R. S.; Chen, W. H., The growth mode and Raman scattering characterization of m-AlN crystals grown by PVT method, Journal of Alloys and Compounds, 2020, 824: 153935.
[4] Zhou, Qin; Zhang, Zhaofu; Li, Hui; Golovynskyi, Sergii; Tang, Xi; Wu, Honglei; Wang, Jiannong; Li, Baikui*, Below bandgap photoluminescence of an AlN crystal: Co-existence of two different charging states of a defect center, APL Materials, 2020, 8(8): 081107.
[5] Qin, Zuoyan; Chen, Wenhao; Deng, Danxia; Sun, Zhenhua; Li, Baikui; Zheng, Ruisheng; Wu, Honglei*, Simulation and Experiment for Growth of High-Quality and Large-Size AlN Seed Crystals by Spontaneous Nucleation, Sensors, 2020, 20(14): 3939.
[6] Liu, Ge; Yan, Chengyuan; Zhou, Guigang; Qin, Zuoyan; Zhou, Qin; Zheng, Ruisheng; Wu,Honglei*; Sun, Zhenhua, Defects induced broad spectral photoresponse of PVT-grown bulk AlN crystals, Scripta Materialia, 2018, 154: 45.
[7] Chen, Wen-Hao; Qin, Zuo-Yan; ian, Xu-Yong; Zhong, Xu-Hui; Sun, Zhen-Hua; Li, Bai-Kui; Zheng, Rui-Sheng;Guo Yuan; Wu,Honglei*,The Physical Vapor Transport Method for Bulk AlN Crystal Growth, MOLECULES, 2019,24(8):1562.
[8] Guo, Hailing; Zhang, Zhaofu; Guo, Yuzheng; Gao, Zhibin; Zheng, Ruisheng; Wu, Honglei*, Impact of the interface vacancy on Schottky barrier height for Au/AlN polar interfaces, Applied Surface Science, 2020, 505: 144650.
[9] Jiang Fu-Chun; Liu Rui-You; Peng Dong-Sheng; Liu Wen; Chai Guang-Yue; Li Bai-Kui; Wu Hong-Lei*, Steady-state thermal resistance measurement of light-emitting diodes based on spectroscopic method, Acta Physica Sinica, 2021, 70(9): 098501.
[10] Hu, Hao; Wen, Guohao; Wen, Jiamin; Huang, Long-Biao; Zhao, Meng; Wu, Honglei; Sun, Zhenhua*, Ambipolar Charge Storage in Type-I Core/Shell Semiconductor Quantum Dots toward Optoelectronic Transistor-Based Memories, Advanced Science, 2021, 8(16): 2100513.
