楊成韜

楊成韜

楊成韜,男,博士、教授、博士生導師。長期以來在鐵電薄膜材料與鐵電集成器件、壓電薄膜材料與器件、電子陶瓷材料與元器件方向做出了許多創新性研究和開發工作。

基本介紹

  • 中文名:楊成韜
  • 國籍中國
  • 出生日期:1965年9月
  • 性別:男
人物簡介,主要成就,教育背景,學術兼職,榮譽獎勵,研究領域,代表論文,

人物簡介

楊成韜,男,博士、教授、博士生導師,國家自然科學獎評審委員。1965年出生,長期以來在鐵電薄膜材料與鐵電集成器件、壓電薄膜材料與器件、電子陶瓷材料與元器件方向做出了許多創新性研究和開發工作。目前主要從事鐵電薄膜材料及其在鐵電薄膜存儲器上套用、壓電薄膜材料及其在聲表面波器件、薄膜體聲波器件上的套用、新型電子陶瓷材料等研究工作。從1998年至今共指導碩士、博士研究生30餘人。承擔和完成國家、部省級科研項目10餘項,包括國家重大基礎研究項目(973項目)、國家自然科學項目、××電子材料試點項目、國家科技部科技攻關項目等。在Journal of Crystal Growth, Physical Review B,Materials Letters,Physics Letters A等國內外重要學術刊上發表研究論文四十餘篇,其中SCI、EI收錄三十餘篇次,ISTP收錄十篇,論文多次被同行引用。

主要成就

在Journal of Crystal Growth, Physical Review B,Materials Letters,Physics Letters A,Materials Science and Engineering A,Materials Science and Engineering B, Journal of the American Ceramic Society, Vacuum, Integrated Ferroelectric, Journal of Materials Science,SPIE,儀器儀表學報,功能材料,壓電與聲光,真空科學與技術學報,系統仿真學報等國內外重要學術刊上發表研究論文四十餘篇,其中SCI、EI收錄三十餘篇次,ISTP收錄十篇,論文多次被同行引用

教育背景

2001.09-2004.12 電子科技大學,材料物理與化學專業,工學博士學位
1989.09-1991.09 電子科技大學,電子材料與元器件專業,工學碩士學位
1983.09-1987.06 電子科技大學,套用化學專業理學學士學位

學術兼職

國家自然科學獎評審委員

榮譽獎勵

2011 國防科技進步一等獎
2007 國防科技進步二等獎

研究領域

研究方向:電子材料及器件、敏感與智慧型材料、聲表面薄膜材料及器件、壓電複合薄膜材料
研究內容1:聲表面波器件用氧化鋅薄膜、聲表面波濾波器建模與分析、薄膜聲表面波器件的製備、薄膜體聲波諧振器的研究、PZT鐵電薄膜結晶取向的研究、氮化鋁薄膜的製備與研究、CoFe2O4磁電薄膜的製備及性能研究。
研究內容2:PZT多層結構陶瓷、鐵電存儲集成工藝研究。

代表論文

1. Structural and dielectric properties of Ba6−3xNd8+2xTi18O54 (x=2/3) thin films processed by sol–gel technique. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2014: 1-6.
2. Effects of sputtering atmosphere on the properties of c-plane ScAlN thin films prepared on sapphire substrate. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2014: 1-7.
3. Structure and electrical properties of AlN films prepared on PZT films by the DC reactive magnetron sputtering. Electronic Materials Letters, 2014. 10(1): 127-130.
4. Influence of rapid thermal annealing on structure and interfacial characteristic of ZnO thin films. Surface and Interface Analysis, 2013. 45(2): 672-676.
5. Influence of the PZT film thickness on the structure and electrical properties of the ZnO/PZT heterostructure. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2013. 24(1): 160-165.
6. Preparation of highly c-axis oriented AlN films on Si substrate with ZnO buffer layer by the DC magnetron sputtering. Materials Letters, 2013. 90: 49-52.
7. Optimized Process of Mn2+-Doped Ba0. 5Sr0. 5TiO3 Thin Films on Platinum Coated Sapphire Substrates. Japanese Journal of Applied Physics, 2012. 51(3R): 035505.
8. Preparation and electrical properties of ZnO/PZT films by radio frequency reactive magnetron sputtering. Materials Letters, 2012. 83: 179-182.
9. 磁電薄膜與微波作用研究. 物理學報, 2010(07): 5055-5060.
10. 雙層納米磁電薄膜模型及分析. 物理學報, 2009(05): 3515-3519.
11. Characterization of ZnO thin films deposited on diamond-like carbon coated onto Si and SiO2/Si substrate. Journal of crystal growth, 2006. 293(2): 299-304.
12. Research of optical and structural properties in Cu/Ti multilayer films. Vacuum, 2005. 80(4): 317-323.
13. Domain Structure and Fatigue Behavior of La3+‐Doped SrBi2Ta2O9 Thin Films. Journal of the American Ceramic Society, 2005. 88(1): 85-88.

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