氧化物分子束外延生長系統是一種用於能源科學技術、物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年3月31日啟用。
基本介紹
- 中文名:氧化物分子束外延生長系統
- 產地:芬蘭
- 學科領域:能源科學技術、物理學、材料科學
- 啟用日期:2013年3月31日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
氧化物分子束外延生長系統是一種用於能源科學技術、物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年3月31日啟用。
氧化物分子束外延生長系統是一種用於能源科學技術、物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年3月31日啟用。技術指標 超高真空:10-9 torr;多個穩定可控蒸發源;樣品台溫度800℃;束流測試精度優於0.01A/s。主要功能 外延生長高...
氧化物分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年9月14日啟用。技術指標 整套氧化物MBE系統由3個主要部分組成,分別是快速進樣室(Loadlock chamber)、緩衝室(Buffer chamber)、生長室(Growth chamber)。
LMBE450A雷射分子束外延系統是一種用於物理學、生物學、材料科學、化學工程領域的工藝試驗儀器,於2010年1月20日啟用。技術指標 1.極限真空優於:5.0x10-8Pa(經烘烤除氣後)2.真空漏率小於2.0x10-8Pa.l/S 3.系統從大氣開始抽...
外延系統 外延系統是一種用於物理學領域的工藝試驗儀器,於2009年9月10日啟用。技術指標 真空優於1x10-6Pa,樣品溫度-150℃到850℃。主要功能 生長有機、金屬和磁性氧化物薄膜。
我們在現有的角分辨能譜儀上已擴建了先進的過渡金屬氧化物分子束外延系統,通過結合原位生長和測量,將把電子結構研究擴展到了以前無法探測的經典或重要材料中。結合氧化物薄膜和異質結的生長,光電子能譜,輸運性質測量,表面磁學測量和...
該設備將分子束外延(MBE), 化學氣相沉積(CVD)與原子層沉積(ALD)三種薄膜生長手段聯合在一起, 可以充分發揮不同薄膜生長手段的優勢。適用於生長超導薄膜、石墨烯、各類二維材料、氧化物介電層以及各類人工異質結等。適用範圍非常廣,可...
超高真空雷射分子束外延系統 超高真空雷射分子束外延系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年11月21日啟用。技術指標 RHEED振盪。主要功能 可提供多種氧化物單晶薄膜製備,並實現原位金屬電極沉積。
脈衝雷射分子束外延系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年10月22日啟用。技術指標 TSST-PLD/PVD複雜氧化物薄膜材料的單層沉積,實現包括金屬,氧化物和半導體材料的多材料,多組分沉積。主要功能 PLMBE是將雷射聚焦於靶材上...
雷射分子束外延RHEED聯合系統 雷射分子束外延RHEED聯合系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2011年7月6日啟用。技術指標 本地真空5x10-8 Pa,工作氧壓≤65Pa。主要功能 製備高精度氧化物超薄膜。
本實驗室立足於凝聚態實驗物理和材料科學的交叉領域,著重於研究功能氧化物薄膜、界面以及納米結構等量子受限系統的新穎特性和物理機制。通過雷射分子束外延生長手段,我們可以實現在原子尺度上對這些功能氧化物體系的精確設計以及製備;並進一步...
劉麗峰,男,首都師範大學物理系講師。研究方向 1、利用雷射分子束外延系統製備鈣鈦礦氧化物超晶格,研究薄膜生長機制 2、研究薄膜製備工藝參數與薄膜形貌,物性的關係 3、科學,技術,工程,數學綜合教育課程開發 學術成果 1、Lifeng Liu...