中文名稱 | 氣相等離子輔助反應法 |
英文名稱 | plasma assisted chemical vapor deposition |
定 義 | 以電漿為熱源,通過氣相反應,完成成核、長大和終止,並形成超細微粒的製備方法。 |
套用學科 | 材料科學技術(一級學科),材料科學技術基礎(二級學科),材料合成、製備與加工(三級學科),粉體製備技術(四級學科) |
中文名稱 | 氣相等離子輔助反應法 |
英文名稱 | plasma assisted chemical vapor deposition |
定 義 | 以電漿為熱源,通過氣相反應,完成成核、長大和終止,並形成超細微粒的製備方法。 |
套用學科 | 材料科學技術(一級學科),材料科學技術基礎(二級學科),材料合成、製備與加工(三級學科),粉體製備技術(四級學科) |
中文名稱 氣相等離子輔助反應法 英文名稱 plasma assisted chemical vapor deposition 定義 以電漿為熱源,通過氣相反應,完成成核、長大和終止,並形成超細微粒的...
等離子體輔助外延,利用等離子體促進化學反應、降低反應溫度的氣相外延。...... 等離子體輔助外延,利用等離子體促進化學反應、降低反應溫度的氣相外延。中文名稱 等離子體...
《等離子體輔助物理氣相沉積》是一款材料科學技術,支持物理氣相沉積技術。...... 《等離子體輔助物理氣相沉積》是一款材料科學技術,支持物理氣相沉積技術。...
化學氣相澱積指把含有構成薄膜元素的氣態反應劑或液態反應劑的蒸氣及反應所需其它...CVD技術由於採用等離子體、雷射、電子束等輔助方法降低了反應溫度, 使其套用的...
化學氣相沉積包括常壓化學氣相沉積、等離子體輔助化學沉積、雷射輔助化學沉積、金屬有機化合物沉積等。氣相沉積法分類 編輯 CVD技術常常通過反應類型或者壓力來分類,包括...
等離子化學氣相沉積PlasnaH chemical }apar deposition;1'C;VTI化學氣相沉積} L`1'T3 )法是製備無機材料,尤其是無機薄膜和塗層的一種重要手段,用等離子輔助CVr}...
採用等離子或雷射輔助技術可以降低沉積溫度。化學氣相沉積法分類 編輯 化學氣相沉積的方法很多,如常壓化學氣相沉積(Atmospheric pressure CVD,APCVD)、低壓化學氣相沉積(...
等離子體化學氣相沉積(plasmachemical vapor deposition)是指用等離子體激活反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態膜的技術。按產生等離子體的方法,...
化學氣相澱積法已經廣泛用於提純物質、研製新晶體、澱積各種單晶、多晶或玻璃態...3)採用等離子和雷射輔助技術可以顯著地促進化學反應,使沉積可在較低的溫度下進行...
物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition簡稱PVD) 是...發展起來的各種離子束沉積,離子鍍和離子束輔助沉積...3)沉積粒子能量可調節,反應活性高。通過等離子體或...
化學氣相沉積法是傳統的製備薄膜的技術,其原理是利用氣態的先驅反應物,通過原子...化學氣相沉積包括常壓化學氣相沉積、等離子體輔助化學沉積、雷射輔助化學沉積、金屬...
射頻等離子體化學氣相沉積法 (RF-PECVD)是PECVD中製備CBN的最典型的方法。此外,還有雷射輔助等離子體化學氣相沉積法(LA-PECVD)、雙源等離子體化學氣相沉積法(DB-...
常見的製備DLC 薄膜的方法有真空蒸發 、濺射、等離子體輔助化學氣相沉積、離子注入等。這些方法中, 傳統的真空蒸發鍍膜法具有較高的沉積速度, 生成的薄膜純度高, ...