相關詞條
- 柵漏電流
柵漏電流電源 編輯 開關電源中為了減少干擾,按照國標,必須設有EMI濾波器電路。由於EMI電路的關係,使得在開關電源在接上市電後對地有一個微小的電流,這就是柵漏...
- 字線
一個MOSFET存在多種漏電流:亞閾值漏電流,柵漏電流,PN 結漏電流,柵致漏極泄漏 GIDL電流,耗盡層結穿通電流。MOS管在不同狀態時的主要構成電流是不同的,當管子...
- 鰭式場效應電晶體
沿源漏方向的鰭的長度,為溝道長度。柵極包裹的結構增強了柵的控制能力, 對溝道提供了更好的電學控制,從而降低了漏電流,抑制短溝道效應。然而FinFET有很多種,不...
- SI2301
柵極漏電流IGSS:±100nA結溫:55℃to+150℃封裝:SOT-23(TO-236)SI2301替代型號 編輯 WT-2301 WTC2301 SMG2301 CES2301 KI2301BDS...
- iegt
採用適當的MOS柵結構,在促進電子注入效應增大時,從溝道注入N層的電子電流也相應...7、柵極漏電流指對應集-射極短路,Vce=20V時,,柵極的漏電流。...
- 納米電測量
讓一個SMU對柵電壓進行掃描,並用另一個SMU來控制源-漏電壓,則可以測量出源-漏電流。請注意待測電流大小處於nA範圍。對於大多數測量儀器而言,這往往是一個輕而...
- 探測率
大的材料,並採用面電極結構以減小a,同時要將放大器的輸入電阻的值儘量的提高,將場效應電晶體的柵漏電流降低。一般情況下,在較低的頻率區域,電流噪聲在熱釋電探測...
- 納米MOSFET
當源端和漏端發生穿通效應後,泄漏電流會急劇增大,從而使得MOSFET器件的柵電極對溝道失去控制。另外,MOSFET器件漏端的強電場,會引起熱載流子效應,降低MOSFET器件的...
- 李海霞(宿遷學院教師)
2、深亞微米器件中氧空位對柵漏電流的影響微電子學2011.4 [1] 參考資料 1. 李海霞 .宿遷學院[引用日期2016-03-14] 詞條標籤: 人物 V...
- 金屬氧化物半導體場效應電晶體
柵極氧化層漏電流增加 柵極氧化層隨著金氧半場效電晶體尺寸變小而越來越薄,目前主流的半導體工藝中,甚至已經做出厚度僅有1.2奈米的柵極氧化層,大約等於5個原子疊...
- DS1E-M-DC5V
漏源電壓VDS:-20V漏極電流ID:-2.3A通態電阻RDS(on):0.145ohm柵極漏電流IGSS:±100nA結溫:-55℃to+150℃封裝:SOT-23(TO-236)DS1E-M-DC5V價格分析: ...
- 常勝(武漢大學物理科學與技術學院副教授)
唐睿,王豪,常勝,胡月,王高峰,“納米雙柵MOSFET柵極漏電流的二維量子模擬(英文),”微納電子技術,Vol.48, No.5, pp.286-290, 2011。 崔雪楠,李夢竹,馬啟明,...
- 隧穿結
但是,VTFET的一個弱點是使隧穿發生的高柵電場強度使器件對熱載流子注入柵介質很敏感,從而柵漏電流比較大導致器件性能降低。[2] 橫向隧穿場效應電晶體的研究...
- 英特爾45納米高K半導體製程技術
英特爾45納米高K半導體製程技術全稱為英特爾45納米高K金屬柵矽製程技術。...源極和漏極也靠得更近了,如果不能解決柵極向下的漏電流問題以及源極和漏極...
- 太赫茲成像、感測及通信技術手冊
5.2.3柵控2D電子氣5.2.4線中的電漿波5.3直流場效應電晶體穩態的不...5.6.3柵極漏電流5.6.4溫度依賴性5.6.5負載效應5.6.6最優長度選擇5.6.7矽FET...