SI2301是一種P溝道場效應管。
基本介紹
- 中文名：SI2301
- 電晶體類型 ：P溝道MOSFET
- 最大功耗PD ： 1.25W
- 漏源電壓VDS：－20V（極限值
簡介,主要參數,替代型號,封裝類型,
簡介
SI2301是MOS管的一種，屬於場效應管。
主要參數
電晶體類型 ： P溝道MOSFET
最大功耗PD ： 1.25W
柵極門限電壓VGS ： 2.5V（典型值）
漏源電壓VDS ：－20V（極限值）
漏極電流ID：TA=25°時：-2.3A，TA=70°時：-1.5A
通態電阻RDS(on）：0.145ohm（典型值）
柵極漏電流IGSS：±100nA
結溫：55℃to+150℃
封裝：SOT-23(TO-236)
替代型號
WT-2301 WTC2301 SMG2301 CES2301 KI2301BDS
封裝類型
SOT-23
