晶格匹配(lattice match)是1993年公布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名:晶格匹配
- 外文名:lattice match
- 所屬學科:電子學
- 公布時間:1993年
晶格匹配(lattice match)是1993年公布的電子學名詞。
晶格匹配(lattice match)是1993年公布的電子學名詞。公布時間1993年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處《電子學名詞》第一版。1...
晶格匹配型超晶格量子阱電極的光電化學研究為劉堯所著的一篇論文 副題名 外文題名 導師 任新民,肖緒瑞研究員指導 學科專業 物理化學 學位級別 d 1995n 學位授予單位 中國科學院感光化學研究所 學位授予時間 1995 館藏號 O649.4 唯一...
《TiO2/FeOOH納米複合結構晶格匹配與光化學協同作用機制》是依託武漢理工大學,由孫振亞擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 從調控具有環境敏感的光化學活性的多相納米複合結構著手,提出將目前以分散型礦物顆粒負載催化劑為主的環境礦物材料...
晶格匹配 匹配兩個不同半導體材料之間的晶格結構,使帶隙變化可形成在材料中沒有引入晶體結構改變的一個區域。這允許建設先進的發光二極體和雷射二極體。例如,砷化鎵,砷化鋁鎵砷化鋁,並有幾乎相等的晶格常數,使得它可以幾乎任意一層一...
1、晶格匹配度 2、基片溫度 3、蒸發速率 鍍膜材料簡介 氧化物 一氧化矽SiO,二氧化矽SiO2,二氧化鈦TiO2,二氧化鋯ZrO2,二氧化鉿HfO2,一氧化鈦TiO,五氧化三鈦Ti3O5,五氧化二鈮Nb2O5,五氧化二鉭Ta2O5,氧化釔Y2O3,氧化鋅ZnO等高純...
從圖(b)中可以看到應變異質結界面晶格是匹配的,不存在因晶格不匹配而產生 的界面缺陷,因此可以很好地套用與器件製作。贗晶生長 應變異質結的無界面失配應變層的生長模式稱為贗晶生長。這種贗晶生長模式不能穩定地無限生長材料,因為隨...
1.一種製作砷化鋼/磷化銦量子點雷射器有源區的方法,包括如下步驟:步驟1:選擇一磷化銦襯底;步驟2:在該磷化銦襯底上外延生長一層磷化銦緩衝層;步驟3:在磷化銦緩衝層上沉積晶格匹配的銦鎵砷磷薄層;步驟4:在銦鎵砷磷薄層上外延...
主要結果:(1)發現在與聚乙烯、聚丙烯基質接觸的表面層中,非晶態聚乳酸分子鏈已經產生取向,且取向關係與冷結晶後完全一致,證明附生結晶的本質是附生聚合物間的分子相互作用,附生聚合物間的晶格匹配只提供了有利相互作用的環境;(2...
GaN異質外延,其質量受襯底的影響很大,襯底材料的選擇,一般認為晶格匹配是決定性因素。科研工作者對大量的材料進行過GaN生長,包括絕緣的金屬氧化物、金屬、金屬氮化物和其它的半導體材料。除了晶格常數以外,材料的晶體結構、表面完美性、...
首先分析長波長VCSEL中的DBR反射鏡:在VCSEL中,為了獲得高質量的DBR反射鏡,對構成DBR的材料有以下幾個基本要求:(l)和襯底材料晶格匹配;(2)材料間的折射率差大;(3)對工作波長的光透明。除了要求有很高的反射率外,垂直腔面發射雷射器...
以pld為例,因素主要有: 靶材與基片的晶格匹配程度 鍍膜氛圍(低壓氣體氛圍) 基片溫度 雷射器功率 脈衝頻率 濺射時間 對於不同的濺射材料和基片,最佳參數需要實驗確定,是各不相同的,鍍膜設備的好壞主要在於能否精確...
利用范德華相互作用的物理組裝,解決了外延晶格匹配的限制,帶來了前所未有的自由設計,從而可以組合具有新穎奇異的光電特性,且具有完全不同晶體結構的新型材料。各種預製的范德華模組,可以有效組合在新型異質集成的光子結構和混合集成的...
外延層生長在GaAs襯底上,由於晶格匹配,容易生長出較好的材料,但缺點是其吸收這一波長的光子,布拉格反射鏡或晶片鍵合技術被用於消除這種額外的技術問題。2、GaP襯底:在使用LPE生長紅黃光LED時,一般使用GaP外延層,波長範圍較寬565-700...
評價襯底材料要綜合考慮襯底與外延膜的晶格匹配、襯底與外延膜的熱膨脹係數匹配、襯底與外延膜的化學穩定性匹配、材料製備的難易程度及成本的高低的因素。InN的外延襯底材料就現在來講有廣泛套用的。自支撐同質外延襯底的研製對發展自主知識...
可以用作為HBT發射結的幾種異質結(舉例):①AlGaAs/GaAs異質結的晶格匹配很好,容易實現微波與光電器件及其IC;②InP/InGaAs 或 InAlAs/InGaAs異質結的晶格能匹配,其中InGaAs的電子遷移率很高 (GaAs的1.6倍,是Si的9倍);③Si/SiGe...
即使α-Ga2O3與α-Al2O3襯底具有良好的晶格匹配,但目前物理方法獲得的普遍都是β-Ga2O3,顯示α-Ga2O3薄膜外延生長是一個具有挑戰性的技術難題。另外,同晶型的α-M2O3具有鐵磁、鐵電、多鐵、金屬-絕緣體轉變等豐富的物理性質,...
磷化銦/銦鎵砷磷,第13-第15族化合物半導體中磷化銦體系中的一種材料組合。銦鎵砷磷(InGaAsP)為第13-第15族四元系化合物。和磷化銦晶格匹配的銦鎵砷磷材料在室溫下的禁頻寬度隨元素組分的不同可在0.74~1.34電子伏之間變化。形成...
2、作用層和限制層的晶格匹配;3、晶體要完整,位錯密度、有害雜質濃度應儘量小。半導體雷射 半導體雷射(Semiconductor laser)在1962年被成功激發,在1970年實現室溫下連續輸出。後來經過改良,開發出雙異質接合型雷射及條紋型構造的雷射...
2.7.2晶格匹配和晶格失配的外延沉積 2.8襯底 2.8.1半導體襯底 2.8.2非半導體襯底 2.9薄膜絕緣體 2.9.1一般性質 2.9.2多用途薄膜絕緣體 2.9.3專用薄膜絕緣體 2.10薄膜導體 2.10.1金屬 2.10.2金屬合金 2.10.3非...
成本較低。這種方法在晶體生長中套用的比較多,能夠改善晶體的生長,可以用來形成自然界中沒有的人工結構材料。在半導體套用中,異質外延材料的選擇是根據其能帶間隙和晶格匹配來決定的。對於光學套用,還需要考慮光子躍遷方式。
另外CeO2與單晶Si晶格匹配度低,不存在兼容性問題。本項目擬在單晶Si襯底上外延生長CeO2薄膜,通過控制薄膜厚度、退火溫度、退火氛圍等最佳化器件結構,研究Ce3+離子在CeO2薄膜光致發光與電致發光中的作用。通過抑制薄膜中的氧空位導電,...
以pld為例,因素主要有: 靶材與基片的晶格匹配程度 鍍膜氛圍(低壓氣體氛圍) 基片溫度 雷射器功率 脈衝頻率 濺射時間 對於不同的濺射材料和基片,最佳參數需要實驗確定,是各不相同的,鍍膜設備的好壞主要在於能否精確...
疊層太陽能電池的設計難題在於要尋找兩種晶格匹配良好的半導體晶體, 其禁頻寬度將引起高效率的能量轉換。此外,在理想的情況下,電池導帶的最上層應該有與底層價帶大約相同的能量,這使得頂端半導體的電子被太陽光激發後能夠很容易的從導帶...
通常構成量子阱的二種材料的晶格常數要經過特殊選擇調整,以保證它們之間的晶格匹配,避免在其交界面區產生大量的失配位錯,影響界面帶結構和電子的輸運,它大大限制了量子阱結構材料選擇的自由度。應變數子阱就是利用晶格不匹配的兩種材料...
靶材與基片的晶格匹配程度 鍍膜氛圍(低壓氣體氛圍)基片溫度 雷射器功率 脈衝頻率 濺射時間 對於不同的濺射材料和基片,最佳參數需要實驗確定,是各不相同的,鍍膜設備的好壞主要在於能否精確控溫,能否保證好的真空度,能否保證好的真空腔...
4.3.3 晶格匹配InAlN/GaN和InAlN/AlN/GaN材料二維電子氣輸運特性 83 參考文獻 86 第5章 AlGaN/GaN異質結材料的生長與最佳化方法 88 5.1 AlGaN/GaN異質結材料結構 88 5.2 低缺陷密度氮化物材料生長方法 90 5.3 斜切襯底生長低缺陷...