應變數子阱

通常構成量子阱的二種材料的晶格常數要經過特殊選擇調整，以保證它們之間的晶格匹配，避免在其交界面區產生大量的失配位錯，影響界面帶結構和電子的輸運，它大大限制了量子阱結構材料選擇的自由度。

應變數子阱就是利用晶格不匹配的兩種材料，用單原子層外延技術生長在一起。由於材料物理特性的最佳化，使得半導體發光器件的性能得到革命性的巨大改善。

普通的半導體雷射器雖有MW/cm2以上的很大功率密度輸出，但由於有源區體積很小，其輸出功率也只有幾十毫瓦。超過10MW/cm2的功率密度，由於端面的劣化，雷射器將受到破壞。因此長期以來半導體雷射器只能在小功率水平下套用，被排斥在功率型雷射器的門外。然而，量子阱材料特別是應變數子阱材料的套用，由於吸收帶邊向短波方向的藍移，鏡面內側材料的本徵吸收將大大降低，這就使得它可以承受更高的功率密度(達10MW/cm2以上)。