1994年畢業於清華大學電子工程系（博士學位）。1991年至1993年作為清華大學-日本東京工業大學聯合培養博士生赴日本東京工業大學荒井研究室留學，在此期間從事了應變數子阱雷射器及放大器增益特性的研究。在理論上明確提出拉伸應變數子阱具有高微分增益和窄線寬的新論點；採用單層拉伸變數子阱有源區結構， 成功研製出低閾值(217A/cm2)的FP腔雷射器和楔形波導大功率（單橫模輸出20.4dBm）光放大器；獲得優秀博士論文獎。
基本介紹
- 中文名：黃翊東
- 國籍：中國
- 職業：教授
- 畢業院校：清華大學
- 主要成就：《電子學報》編委，長江學者特聘教授
- 研究方向：半導體光電子以及納結構光電子學
個人履歷,成績榮譽,
個人履歷
1994年成為NEC光-無線器件研究所的特聘研究員,從事用於光纖通信領域的1.3及1.5微米DFB雷射器的研究開發工作。提出DFB雷射器“反射鏡損耗反饋效應”的概念，為提高DFB雷射器的性能提供了新的理論依據；發明“八分之一波長位移分布反饋”的新結構，在世界上首次實現了-20dB反射光注入狀態下的無光隔離138公里傳輸；研究開發出獨創的無溫控抗反射PC-DFB雷射器, 實現了從攝氏-40度到+85度的溫度範圍內無光隔離45公里傳輸；成功地研製出適合工作在高溫環境下的FP腔雷射器，實現了攝氏85度高溫環境下無致冷工作時5mA的低閾值及輸出功率5mW時僅20mA的低工作電流，這是世界上報導的同類器件中最好的實驗結果。於1997年獲得NEC一等研究功績獎，2003年獲得NEC二等研究功績獎。
2003年7月作為清華大學“百人計畫”引進人才，到清華大學電子工程系任教，2005年2月被聘為教育部長江學者特聘教授。
成績榮譽
發表論文90餘篇，獲國外專利18項。
現為美國電子電機工程學會（IEEE）的會員，《電子學報》編委。
