康俊勇，博士、教授（博士生指導教師），長期從事化合物半導體材料製備及其特性表征的教學和科研工作。
基本介紹
- 中文名：康俊勇
- 國籍：中國
- 民族：漢族
- 職業：博士、教授
- 主要成就：2004年獲得廈門市優秀教師稱號
人物簡介,主要科研項目,申請或授權專利,服務社會,
人物簡介
熟練掌握晶體薄膜外延和體單晶生長，晶體結構、光學和電學表征等技術。培養研究生三十多名，其中第一位博士生蔡端俊的論文獲2008年度全國優秀博士論文提名，2004年獲得廈門市優秀教師稱號。2000年兼任日本東北大學學際科學國際高等研究中心（Institute for Interdisciplinary Advanced Research）客座教授、2004年兼任日本東北大學材料科學國際前沿中心（International Frontier Center for Advanced Materials）客座教授。主持建設了廈門大學半導體光子學研究中心，參與主持建設了廈門大學納米科技中心，主持過廈門大學微機電研究中心建設完善工作。參與並推動了國家半導體照明產業化基地（廈門）的建設工作。
現為廈門大學“物理學”一級學科博士點、“微電子學與固體電子學”二級學科工科博士點學術帶頭人、“凝聚態物理”國家重點學科主要學術帶頭人、廈門大學半導體光子學研究中心主任、半導體微納光電子材料與器件教育部工程研究中心負責人、福建省半導體材料及套用重點實驗室主任。
主持過國家“863”計畫課題、國防基礎、國家自然科學基金重點專項、省部級重點項目等研究20多項，主要開展寬禁帶半導體薄膜和量子結構材料製備、測試、理論設計，及發光二極體和光電探測器製備等研究工作。首次研發出了強磁場垂直溫度梯度凝固晶體生長設備、Laplace缺陷譜儀、納米級空間解析度應變和電荷測試方法、增強中紫外光的Zn-Zn2SiO4異質納米同軸線製備方法、超薄InN/GaN應變數子阱結構紫外LED、Mg和Si共摻超晶格p型AlGaN結構材料、穩定光發射波長的Mg摻雜的InGaN/GaN量子阱結構、樹葉脈絡形大功率氮化鎵基LED電極、Si（111）7X7表面二維晶格等。申請發明專利9項，其中5項已被授權；先後應邀在國際和全國會議上作邀請報告；在國內外重要學術刊物上發表論文160多篇；與廈門乾照光電有限公司研發的“高性能高亮度InGaAlP四元系紅黃光LED外延片、晶片研製與生產”獲得2009年廈門市科學技術進步獎三等獎。
研究方向：
凝聚態物理
半導體材料物理
表面和界面物理
量子結構材料物理
大功率LED
深紫外LED
日盲探測器
新型太陽能電池
主要科研項目
1.主持國家自然科學基金重大研究計畫培育項目：全同量子點晶格構築及其量子態間耦合表征（2010.01-2012.12）
2.主持國家自然科學基金重點專項：原位半導體納米結構綜合測試系統研製（2009.01-2011.12）
3.主持國家自然科學基金面上項目：寬禁帶半導體中光子與原子強耦合結構（2008.01-2010.12）
4.主持廈門市科技計畫項目：穩定波長的高性能GaN基LED晶片（2006.1-2007.12）
5.主持國家“863”計畫項目：GaN基半導體材料設計與關鍵外延技術開發（2006.10-2008.09）
6.主持國家自然科學基金重點項目子課題：氧化鋅基單晶薄膜材料、物性及器件研究（2004.01-2007.12）
7.主持福建省科技計畫重點項目：GaN基功率級LED晶片製備（2004.07-2007.06）
8.主持國家自然科學基金項目：III族氮化物異質界面的缺陷（2004.1-2006.12）
9.主持廈門市重大科技計畫項目子課題: 半導體照明LED外延、晶片和封裝關鍵技術攻關與產業化(2008.01-2010.12)
10.主持國家自然科學基金重點項目子課題: 表面原子過程和表面小系統量子效應問題—光譜實驗(2002.01-2005.12
申請或授權專利
1. 中國發明專利：納米級高分辨應力測量方法（專利號：200510078721.5，2009.09.09授權）
2. 中國發明專利：樹葉脈絡形大功率氮化鎵基發光二極體晶片的P、N電極（專利號：200610092944.1，2008.11.26授權）
3. 中國發明專利：選擇超晶格位置摻雜的p型Ⅲ族氮化物材料的製備方法（專利號：200810071176.0，2010.04.15授權）
4. 中國發明專利：一種表面等離激元同軸光波導結構（申請號：200810071867.0，2008.09.26申請）
5. 中國發明專利：AlN生長面複合基底的製備方法以及氮化物半導體器件（申請號：200910111002.7，2009.02.03申請）
6. 中國發明專利：基於InN/GaN應變數子阱紫外LED結構及其製備方法（申請號：200910112318.8，2009.07.30申請）
7. 中國發明專利：多結太陽能電池及各子電池交流電致發光測試方法和裝置（申請號：200910112669.9，2009.10.16申請）
獲獎：
1. 2009年廈門市科學技術進步三等獎（高性能高亮度InGaAlP四元系紅黃光LED外延片、晶片研製與生長）
學術交流：
1. 亞太寬頻隙半導體國際研討會第四屆(APWS2009)程式委員會委員
2. 第八屆國際半導體發光二極體會議(ISSLED2010)：發光二極體分會主持人
3. 第十八屆國際真空大會（IVC-18）套用表面科學分會程式委員會委員
4. 第六屆ZnO及其相關材料國際研討會組織委員會委員
服務社會
1. 國家自然科學基金委員會第十二、十三屆終審組專家
2. 中國物理學會半導體專業委員會委員
3. 中國光學光電子行業協會光電器件分會第六屆專家委員會成員
4. 中國物理學會表面與界面物理專業委員會第四、五屆委員
5. 中國真空學會第七屆理事、表面與納米專業委員會第五屆委員
6. 中國電子顯微鏡學會掃描探針與微束分析專業委員會第八屆委員
7. 福建省光電行業協會第一屆副理事長
8. 廈門市物理學會副理事長
