微電子學與固體電子學

“微電子學與固態電子學”是現代信息技術的核心與支柱。本學科主要研究內容：（1） 信息光電子學和光通訊。（2） 超高速微電子學和高速通訊技術。（3） 功率半導體器件和功率積體電路。（4） 半導體器件可靠性物理。（5） 現代集成模組與系統集成技術。

基本介紹

• 中文名：微電子學與固體電子學
• 外文名：Microelectronics and Solid-state Electronics
• 開設院校：清華大學，復旦大學等
• 研究內容：半導體器件 積體電路
• 特點：本方向有項目博士後流動站

全國高校專業排名

根據武漢大學中國科學評價研究中心2015年6月發布的《中國研究生教育及學科專業評價報告（2014～2015）》對電子科學與技術一級學科下的微電子學與固體電子學二級學科全國排名如下：

080903微電子學與固體電子學二級學科全國排名

全國排名	學校名稱	水平等級	博士點	擁有此二級學科的學校數
1	西安電子科技大學	A+; （3個）	1	87
2	北京大學		1	87
3	清華大學		1	87
4	復旦大學	A; （10個）	1	87
5	哈爾濱工業大學		1	87
6	東南大學		1	87
7	西安交通大學		1	87
8	電子科技大學		1	87
9	南京大學		1	87
10	華中科技大學		1	87
11	浙江大學		1	87
12	吉林大學		1	87
13	天津大學		1	87
14	上海交通大學	B+; （14個）	1	87
15	合肥工業大學		1	87
16	北京工業大學		1	87
17	華南理工大學		1	87
18	哈爾濱工程大學		1	87
19	河北工業大學		1	87
20	山東大學		1	87
21	南開大學		1	87
22	北京理工大學		1	87
23	大連理工大學		1	87
24	西北工業大學		1	87
25	中山大學		1	87
26	北京郵電大學		1	87
27	黑龍江大學		1	87
28	上海大學	B; （8個）	0	87
29	西安理工大學		0	87
30	華東師範大學		1	87
31	蘭州大學		1	87
32	貴州大學		0	87
33	武漢大學		1	87
34	廈門大學		0	87
35	北京航空航天大學		1	87
36	北京交通大學	C+; （10個）	0	87
37	西北大學		0	87
38	杭州電子科技大學		0	87
39	山東師範大學		0	87
40	揚州大學		0	87
41	湘潭大學		0	87
45	河北大學		0	87
43	江南大學		0	87
44	廣東工業大學		0	87
45	哈爾濱理工大學		0	87

研究方向簡介

信息光電子學和光通訊

研究內容：具有全新物理思想和創新性器件結構的高效半導體雷射器、高效高亮度發光管和新型中遠紅外探測器，研究光通訊、光電信號、圖象處理，研究光電探測、控制等雷射、發光、紅外光電子信息技術和套用系統。本方向有項目博士後流動站。

超高速微電子學和高速通信技術

本方向主要研究具有全新物理思想和結構的異質結超高頻（高速）器件及超高頻（高速）電路，特別是超高頻低噪聲SiGe/Si HBT、IC和光通訊、移動通訊、高速計算相關的電路和通訊套用系統，具有極重要科學價值和極廣闊的套用前景。

功率半導體器件與功率積體電路

本方向包括兩方面研究內容：電力電子器件與靈巧功率積體電路研究以及微波功率半導體器件與微波積體電路研究。分別簡介如下：

電力電子器件與靈巧功率積體電路研究的根本用途是進行電能的變換與控制，它的套用已滲透到通訊、機電一體化等各個領域。本室在從事處於國際前沿地位的研究工作，提出了不少具有國際創新思想的新的器件結構和工作原理，如：新結構的超高速雙極功率開關管、新結構超低損耗IGBT、新結構高速積體電路等。

微波功率半導體器件與微波積體電路研究是微波通訊、雷達、各種軍事電子對抗等微波設備與系統的心臟。本研究室正在從事著具有國際創新結構的新器件及積體電路的研究。

半導體器件可靠性

本方向從事微電子器件可靠性物理的研究（各種類型的分立半導體器件、積體電路和模組）。可靠性被列為四大共性技術之一，是目前國際上最為活躍的研究和發展的一個領域。目前的研究方向主要包括四個方向：

VLSI/ULSI互連技術及可靠性的研究：隨著電路的高密度化、高速化，互連技術已成為VLSI/ULSI繼續向前發展的一個瓶頸。本研究室在此領域處於國際前沿的研究工作。

高速微電子器件及MMIC的可靠性研究：主要研究GaAs基和Si/SiGe HBT高速器件、MMIC的可靠性及評價技術。

GaN寬頻隙半導體器件的可靠性及評價技術：重點研究寬頻隙半導體材料、器件及相關的可靠性問題。

半導體熱測量，熱失效分析和熱設計：主要研究各種功率半導體器件、積體電路和光電子器件，各種熱測量技術（nm級區域），熱失效分析及熱設計，本研究室在這一領域處於國際前沿地位的研究工作。

現代集成模組與系統集成技術

本方向包含兩方面研究內容。其一是研究以IGBT（絕緣柵雙極電晶體）和MCM（多晶片組件）為代表的現代集成模組及組件：模組和組件工作原理、設計及製作方法，封裝熱應力設計，套用與可靠性，系統測試方法和模擬設計；其二是研究半定製ASIC設計和現代系統集成技術。