絕緣柵雙極電晶體(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力電晶體(Giant Transistor—GTR)和電力場效應電晶體(Power MOSFET)的優點,具有良好的特性,套用...
絕緣柵雙極型電晶體是由MOSFET和雙極型電晶體複合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP電晶體,它融合了這兩種器件的優點,既具有MOSFET器件驅動功率小和...
一種絕緣柵雙極型電晶體封裝用有機矽凝膠材料...... 本發明公開了一種絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)封裝用有機矽凝膠材料,包括按重量份數計75～98%的含乙烯基的聚...
絕緣柵雙極電晶體(IGBT)是為適應電力電子技術發展而出現的新型器件。...... 絕緣柵雙極電晶體(IGBT)是為適應電力電子技術發展而出現的新型器件。目錄 1 簡介 2 ...
這種電晶體的工作,同時涉及電子和空穴兩種載流子的流動,因此它被稱為雙極性的,...新型大功率絕緣柵雙極電晶體的設計與試驗研究[D]. 湖南大學, 2016....
絕緣柵雙極電晶體(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力電晶體(Giant Transistor—GTR)和電力場效應電晶體(Power MOSFET)的優點,具有良好的特性,套用...
絕緣柵場效應電力電晶體是一種集高頻率、高電壓、大電流於一身的新一代理想的電力半導體器件,是電力電子技術的第三次革命的代表產品,填補國內電力電子空白的產品。...
絕緣柵雙極電晶體(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力電晶體(Giant Transistor—GTR)和電力場效應電晶體(Power MOSFET)的優點,具有良好的特性,套用...
圖2-53所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極電晶體結構,N+區稱為源區,附於其上的電極稱為源極。N+區稱為漏區。器件的控制區為柵區,附於其上的電極稱為柵極...
指能使用控制信號控制其導通和關斷的器件,包括功率三極體(GTR)、功率場效應管(功率MOSFET)、可關斷晶閘管(GTO)、絕緣柵雙極電晶體(IGBT)、MOS控制晶閘管(MCT)、...
電晶體安全工作區對於雙極型電晶體,能夠安全、可靠地進行工作的電流和電壓範圍,即稱為電晶體的安全工作區;超過此範圍的電流和電壓工作時電晶體即有可能發生損壞。...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型電晶體,是由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有...
例如,3DJ6D是N溝道結型場效應三極體,3D06C是N溝道絕緣柵型場效應三極體。...3、場效應管是利用多數載流子導電,所以稱之為單極型器件,而雙極結型電晶體是即...
全控型器件又稱為自關斷器件,是指通過控制信號既可以控制其導通,又可以控制其關斷的電力電子器件。這類器件很多,門極可關斷晶閘管,電力場效應電晶體,絕緣柵雙極...
9、絕緣柵雙極型電晶體的電路仿真模型 北京工業大學學報 2000(4)第1作者10、弧焊逆變電源的三相功率因數校正電路的分析、仿真與實驗 電源世界 2001(1) 第1作者...
由場控和雙極型合成的新一代電力電子器件,如絕緣柵雙極型電晶體(IGT或IGBT)和MOS控制晶閘管(MCT)也正在興起,容量也已相當大。這些新器件均具有門極關斷能力,且...
半導體:門極可關斷開關晶閘管 (GTOs) 、壓觸型二極體模組、絕緣柵雙極電晶體(IGBT)及二極體晶片、絕緣柵雙極電晶體(IGBT)及二極體模組、晶閘管、集成門極換向晶閘管...
2.全控型器件,例如GTO(門極可關斷晶閘管)、GTR(電力電晶體),Power MOSFET(電力場效應電晶體)、IGBT(絕緣柵雙極電晶體);3.不可控器件,例如電力二極體。...
它的一些性能雖然比絕緣柵雙極電晶體、電力場效應管差,但其具有一般晶閘管的耐高壓、電流容量大以及承受浪涌能力強的優點。因此,GTO已逐步取代了普通晶閘管,成為大、...
柔性直流輸電技術是一種基於可關斷半導體器件IGBT(絕緣柵雙極電晶體)的新型直流輸電技術,在提高電力系統穩定性、增加系統動態無功儲備、改善電能質量、增加系統對清潔...