絕緣柵雙極電晶體(IGBT)是為適應電力電子技術發展而出現的新型器件。
絕緣柵雙極電晶體(IGBT)是為適應電力電子技術發展而出現的新型器件。
絕緣柵雙極電晶體(IGBT)是為適應電力電子技術發展而出現的新型器件。...... 一種新穎的IGBT絕緣柵極電晶體變流器模組,將儲能組件與IGBI功率元件通過兩套疊層母排連線...
絕緣柵雙極電晶體(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力電晶體(Giant Transistor—GTR)和電力場效應電晶體(Power MOSFET)的優點,具有良好的特性,套用...
具有一個或多個在電氣上與溝道相互絕緣的柵極的場效應半導體器件。...... 具有一個或多個在電氣上與溝道相互絕緣的柵極的場效應半導體器件。絕緣柵場效應電晶體是...
絕緣柵雙極型電晶體是由MOSFET和雙極型電晶體複合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP電晶體,它融合了這兩種器件的優點,既具有MOSFET器件驅動功率小和...
絕緣柵型場效應管,是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效應管依照其溝道極性的不同,可分為電子占多數的N溝道型與空穴占...
絕緣柵場效應功率電晶體是一種三極體,具有功率放大作用,常用於電壓控制。...... 絕緣柵場效應功率電晶體是一種三極體,具有功率放大作用,常用於電壓控制。...
一個正的柵源電壓是製造導電溝道所必需的,因為它不可能在電晶體中自然的存在...其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化矽絕緣層,因此具有很高的輸入電阻...
然而,隨著半導體特徵尺寸的不斷縮小,金屬作為柵極材料最近又再次得到了研究人員的關注。金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣柵極場效電晶體(Insulated-Gate Field Effect...
鐵電場效應電晶體也就是鐵電介質柵極場效應電晶體(MFSFET,Metal-Ferroelectric-Semiconductor FET):這是在MOSFET的基礎上,把柵極SiO2絕緣材料更換為高介電常數的鐵...
電晶體(transistor)是一種固體半導體器件,具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調製等多種功能。電晶體作為一種可變電流開關,能夠基於輸入電壓控制輸出電流。與普通...
然而,隨著半導體特徵尺寸的不斷縮小,金屬作為柵極材料最近又再次得到了研究人員的關注。金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣柵極場效電晶體(Insulated-Gate Field Effect...
柵極和浮置柵是最靠近陰極的一個電極,具有改變電子管的性能等作用。...... 圖2-53所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極電晶體結構,N+區稱為源區,附於其上的電極...
早在 1925 年, Julius Edger Lilienfeld 首次提出結型場效應電晶體 (FET) 的基本定律,開闢了對固態放大器的研究.1933 年,Lilienfeld 又將絕緣柵結構引進場效應...
多柵電晶體技術是一種新型電路結構技術。...... 目前,英特爾、AMD(超微半導體)和IBM公司已分別在實驗室成功開發出多柵電晶體。2003年9月,AMD公布了採用全耗盡型...
MOSFET在概念上屬於“絕緣柵極場效電晶體”(Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET),而IGFET的柵極絕緣層有可能是其他物質而非MOSFET使用的氧化層。有些人在...
金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣柵極場效電晶體(Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET)。而絕緣柵極場效電晶體的柵極絕緣層,有可能是其他物質,而非金氧...
與雙極型電晶體相比,場效應管具有如下特點。 場效應...用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制...空穴的自由移動,在理想狀態下幾乎具有絕緣特性,通常...
電力場效應管又名電力場效應電晶體分為結型和絕緣柵型,通常主要指絕緣柵型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),簡稱電力MOSFET(Power MOSFET),結型電力場...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型電晶體,是由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有...
早期金氧半場效電晶體柵極使用金屬作為材料,但隨著半導體技術的進步,現代的金氧半場效電晶體柵極已用多晶矽取代了金屬。金氧半場效電晶體在概念上屬於“絕緣柵極場效...
由場控和雙極型合成的新一代電力電子器件,如絕緣柵雙極型電晶體(IGT或IGBT)和MOS控制晶閘管(MCT)也正在興起,容量也已相當大。這些新器件均具有門極關斷能力,且...
MOS積體電路是以金屬-氧化物-半導體(MOS)場效應電晶體為主要元件構成的積體電路 。簡稱MOSIC 。1964年研究出絕緣柵場效應電晶體。直到1968年解決了MOS器件的穩定。...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型電晶體,是由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有...
“光耦合器”,它動作靈敏、回響速度高、輸入/輸出端間的絕緣(耐壓)等級高;由於輸入端的負載是發光二極體,這使SSR的輸入端很容易做到與輸入信號電平相匹配,在使用...