絕緣柵雙極電晶體(Insulate-GateBipolarTransistor—IGBT)

絕緣柵雙極電晶體（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力電晶體（Giant Transistor—GTR）和電力場效應電晶體（Power MOSFET）的優點，具有良好的特性，套用領域很廣泛；IGBT也是三端器件：柵極，集電極和發射極。