對濺射類鍍膜，可以簡單理解為利用電子或高能雷射轟擊靶材，並使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，並且最終沉積在基片表面，經歷成膜過程，最終形成薄膜。
基本介紹
- 中文名：稀土靶材
- 外文名：rare earth target material
- 主要成分：鑭系元素及鈧和釔的氧化物
濺射鍍膜又分為很多種，總體看，與蒸發鍍膜的不同點在於濺射速率將成為主要參數之一。
濺射鍍膜中的雷射濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對較差（因為是脈衝濺射），晶向（外沿）生長的控制也比較一般。
以pld為例，因素主要有：
靶材與基片的晶格匹配程度
鍍膜氛圍（低壓氣體氛圍）
基片溫度
雷射器功率
脈衝頻率
濺射時間
對於不同的濺射材料和基片，最佳參數需要實驗確定，是各不相同的，鍍膜設備的好壞主要在於能否精確控溫，能否保證好的真空度，能否保證好的真空腔清潔度。
真空濺射靶材：金屬靶材：鈦靶Ti、鋁靶Al、錫靶Su、鉿靶Hf、鉛靶Pb、鎳靶Ni、銀靶Ag、硒靶Se、鈹靶Be、碲靶Te、碳靶C、釩靶V、銻靶Sb、銦靶In、硼靶B、鎢靶W、錳靶Mn、鉍靶Bi、銅靶Cu、矽靶Si、鉭靶Ta、鋅靶Zn、鎂靶Mg、鋯靶Zr、鉻靶Cr、不鏽鋼靶材S-S、鈮靶Nb、鉬靶Mo、鈷靶Co、鐵靶Fe、鍺靶Ge等……
合金靶材：鐵鈷靶FeCo、鋁矽靶AlSi、鈦矽靶TiSi、鉻矽靶CrSi、鋅鋁靶ZnAl、鈦鋅靶材TiZn、鈦鋁靶TiAl、鈦鋯靶TiZr、鈦矽靶TiSi、 鈦鎳靶TiNi、鎳鉻靶NiCr、鎳鋁靶NiAl、鎳釩靶NiV、鎳鐵靶NiFe等……
陶瓷靶材：ITO靶，一氧化矽靶SiO、二氧化矽靶SiO2、二氧化鈦靶TiO2，三氧化二釔靶Y2O3、五氧化二釩靶V2O5、五氧化二鉭靶Ta2O5，五氧化二鈮靶Nb2O5，氧化鋅靶ZnO、氧化鋯靶ZrO、氧化鎂靶MgO、單晶矽靶、多晶矽靶.、氟化鎂靶MgF2、氟化鈣靶CaF2、氟化鋰靶LiF、氟化鋇靶BaF3，碳化硼靶B4C，氮化硼靶BN、碳化矽靶SiC，硫化鋅靶ZnS、硫化鉬靶MoS、氧化鋁靶Al2O3、鈦酸鍶靶SrTiO3、硒化鋅靶ZnSe、砷化鎵靶、磷化鎵靶、錳酸鋰靶，鎳鈷酸鋰靶，鉭酸鋰靶，鈮酸鋰靶，氧化鋅鎵靶，氧化鋅硼靶等… 純度：《99.9%—99.9999%》根據客戶要求加工成各種規格尺寸的靶材
