多突觸反射

多突觸反射的反射弧是由向中性神經元、幾個中間神經元、離中性神經元組成的，通過多數突觸進行反射

基本介紹

• 中文名：多突觸反射
• 外文名：polysynaptic eflex
• 分類：多突觸反射單突觸反射
• 通過：多數突觸進行反射

基本信息

多突觸反射的反射弧是由向中性神經元、幾個中間神經元、離中性神經元組成的，通過多數突觸進行反射。一般也可視為單純的單突觸反射。含有許多突觸的神經通路時，則被稱為多突觸通路（polysynapticpathway）。根據突觸數，有二突觸性、三突觸性等名稱。

結構組合

單突觸反射（ monosynaptic reflex）指在僅由向中性神經元和離中性神經元兩個要素組成，且中間只有1個突觸的最簡單反射弧上發生的反射。牽張反射是這種反射的代表，它的反射弧是由來自肌肉感受器即肌梭的Ia群向中纖維和支配該肌肉的運動神經元構成。一般說來，神經通路在途中只包含1個突觸時，稱之為單突觸通路（monosynepticpathwap）。脊髓的單突觸反射是反射弧最簡單的一種反射，其感受器為肌梭，傳入神經纖維與前角運動神經元直接發生突觸聯繫，因此便於用來進行突觸傳遞的研究。如用微電極插入脊髓前角運動神經元細胞體內，可以沒得其膜電位約為-70mV左右。當刺激相應肌肉肌梭的傳入神經以發動單突觸反射時，見到興奮衝動進入脊髓後約0.5ms，細胞體的突觸後膜即發生去極化，產以電緊張形式擴布到整個神經元細胞體。此種電位變化稱為興奮性突觸後電位（excitatory postsynaptic potential，EPSP），電位的大小決定於傳入神經刺激強度的大小。假如，刺激強度小，則突觸後電位的幅度較小，並在幾個毫秒的時間內逐漸趨於消失；假如刺激強度加大，則參與活動的突觸數增多，電位變化總和起來，以致突觸後電位的幅度加大。當突觸後電位加大到一定程度後（例如膜電位由-70mV去極化到-52mV左右），則在軸突的始段部位產生動作電位，沿神經軸突擴布出去。軸突的始段部位比較細小，當細胞體出現興奮性突觸後電位時該部位出現外向電流的電流密度較大，因此始段部位是第一個爆發動作電位的地方。從上述的突觸傳遞現象來看，神經元之間的突觸傳遞與神經肌接頭傳遞很類似，興奮性突觸後電位也如終板電位一樣，乃是突觸後膜產生局部興奮的表現。神經肌接頭傳遞是由神經末梢釋放乙醯膽鹼，提高終板膜對一價正離子的通透性，從而引致去極化，出現終板電位。突觸傳遞也是由突觸前膜釋放某種興奮性遞質，提高突觸後膜對一價正離子（包括N+a和 K+，尤其是N+a）的通透性，從而引致去極化，出現興奮性突觸後電位。所以興奮通過突觸的機制如下：神經軸突的興奮衝動→神經末梢突觸前膜興奮並釋放化學遞→遞質經過突觸間隙擴散並作用於突觸後膜受體→突觸後膜對一價正離子的通透性升高，產生局部興奮，出現興奮性突觸後電位→興奮性突觸後電位在突觸後神經元始段轉化成鋒電位，爆發擴布性興奮→興奮傳至整個神經元。

在交感神經節後神經元和大腦皮層神經元細胞內電位記錄中，除了能觀察到上述快EPSP外，還可觀察到慢突觸後電位。慢突觸後電位包括慢EPSP和慢IPSP（抑制性突觸後電位），它們的潛伏期為100-500ms，持續可達幾秒。慢EPSP一般認為是由於膜對K+的通透性下降而造成的，而慢IPSP是由於膜對K+的通透性增加而造成的。這些慢突觸後電位的形成機制比較複雜，可能有不同的遞質或受體參與。