外延缺陷（epitaxy defect）是1993年公布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名：外延缺陷
- 外文名：epitaxy defect
- 所屬學科：電子學
- 公布時間：1993年
- 審定機構：全國科學技術名詞審定委員會
公布時間,出處,
外延缺陷
相關詞條
- 外延缺陷
外延缺陷（epitaxy defect）是1993年公布的電子學名詞。公布時間1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處《電子學名詞》第一版。1...
- 外延生長缺陷
產生了額外漏電而直接導致的。失效也可以是間接造成的，在工藝過程中缺陷捕獲晶圓片中的其他雜質，能夠產生缺陷電子態，這些缺陷還將引起工藝中的額外的雜質擴散，改變電晶體特性。套用 最常見的外延生長缺陷是位錯和堆垛層錯。
- 碳化矽外延片表面缺陷測試方法
中國電子科技集團公司第二研究所、西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所。主要內容 本標準規定了功率器件用碳化矽外延片表面缺陷的無損光學測量方法。本標準適用於同質的超過（含）2微米厚的碳化矽外延層。
- 4H碳化矽襯底及外延層缺陷術語
主要技術 由於4H-SiC缺陷特別是4H-SiC外延缺陷與常見的其它半導體缺陷形狀、類型、起因因外延生長模式的不同而有所不同或完全不同，而且目前尚未有適用的國家標準和行業標準，因此，為了規範4H-SiC缺陷術語和定義，特制定本標準。
- 碳化矽外延片表面缺陷的測試雷射散射法
《碳化矽外延片表面缺陷的測試雷射散射法》是為描述雷射散射法測試碳化矽外延片表面缺陷的方法而制定的標準。2023年8月6日，《碳化矽外延片表面缺陷的測試雷射散射法》由國家市場監督管理總局、國家標準化管理委員會發布，並於2024年3月1日...
- 4H-SiC厚外延膜中擴展缺陷產生及轉化機理研究
採用Raman，電子背散射衍射等無損方法對三角形缺陷結構進行分析，完善了材料缺陷的表征體系。上述研究為缺陷控制方法的研究提供了理論指導。 （3）研究了生長工藝參數對外延缺陷的影響。通過最佳化氫刻蝕工藝和提高生長溫度等方法降低了材料表面...
- 矽片及矽外延片表面缺陷魔鏡檢測儀
矽片及矽外延片表面缺陷魔鏡檢測儀 矽片及矽外延片表面缺陷魔鏡檢測儀是由南開大學物理學院完成的科技成果，登記於1994年10月31日。成果信息
- 外延片
為達到所需器件性能和成本率目標，外延片優於拋光片，因為外延片的缺陷密度低、吸雜性能好，電學性能（如鎖存效應）也好，且易於製造。外延片讓器件製造商很自然地由200mm晶片過渡到300mm晶片而不必改變設計從而節省了時間和投資。隨著...
- 產品缺陷
《消費者權益保護法》中所稱瑕疵的外延更廣，該法第22條第1款規定：經營者應當保障在正常使用商品或者接受服務的情況下，其提供的商品或者服務應當具有的質量性能、用途和有效期限；但消費者在購買商品或接受服務前已經知道其存在瑕疵的...
- InGaAs失配體系材料的界面特性及缺陷形成機制研究
最終，為獲得高質量的異質外延生長材料提供理論依據和科學基礎。結題摘要 半導體材料是現代信息社會發展的重要基石，是半導體科學發展中非常活躍、極具生命力的部分，其中異質生長材料界面結構和缺陷是半導體研究領域的前沿課題。本項目針對不同...
- 外延生長
對外延片檢查主要包括：表面質量（不應有突起點、凹坑等）、導電類型、電阻率、外延層厚度、外延片（片中和各片間的均勻性）和缺陷密度（包括層錯、位錯、霧狀微缺陷或小丘）等。工藝進展 為了克服外延工藝中的某些缺點，外延生長工藝...
- Bi2Se3基拓撲絕緣體薄膜的Si異質外延生長研究
內容包括確定Si鈍化表面的原子構型與界面緩衝層結構，研究Bi2Se3在不同界面鈍化工藝下進行生長的表面及界面結構演化過程；研究薄膜中應力的馳豫並探索外延缺陷產生的機理；研究Bi2Se3基本電學性質與薄膜製備工藝條件（包括改變束流比與生長...
- 晶體缺陷
晶體缺陷（crystal defects）是指晶體內部結構完整性受到破壞的所在位置。按其延展程度可分成點缺陷、線缺陷和面缺陷。在理想完整的晶體中，原子按一定的次序嚴格地處在空間有規則的、周期性的格點上。但在實際的晶體中，由於晶體形成條件、...
- 異質外延
異質外延是一個物理學名詞。外延生長的薄膜材料和襯底材料不同，或者說生長化學組分、甚至是物理結構和襯底完全不同的外延層，相應的工藝就叫做異質外延；這類工藝複雜、成本較低。這種方法在晶體生長中套用的比較多，能夠改善晶體的生長，...
- 外延、內涵擴大再生產
我國人口多、底子薄、建設資金不足，在社會主義現代化建設中既要考慮如何充分利用我國豐富的勞動力資源，搞好基本建設，發展外延的擴大再生產，向生產的廣度進軍; 又要彌補建設資金不足和技術水平落後的缺陷，挖潛、革新、改造、實行正確的...
- LED外延片
LED外延片襯底材料選擇特點：1、結構特性好，外延材料與襯底的晶體結構相同或相近、晶格常數失配度小、結晶性能好、缺陷密度小 2、界面特性好，有利於外延材料成核且黏附性強 3、化學穩定性好，在外延生長的溫度和氣氛中不容易分解和腐蝕...
- 氮化鎵
對於GaN材料，長期以來由於襯底單晶沒有解決，異質外延缺陷密度相當高，但是器件水平已可實用化。1994年日亞化學所製成1200mcd的 LED，1995年又製成Zcd藍光（450nmLED），綠光12cd(520nmLED);日本1998年制定一個採用寬禁帶氮化物材料開發...
- 寬禁帶半導體大功率電力電子器件的可靠性研究
③ 提出了一種SiC厚膜外延材料的低壓台階流生長方法，揭示了襯底中層錯、基平面位錯、螺位錯、碳空位在生長過程中的穿通、轉化或湮滅機理及其對外延缺陷的影響規律。通過台階控制、原位刻蝕、碳矽比、生長氣壓等工藝最佳化，抑制缺陷的產生，...
- 積體電路製造技術——原理與工藝(第二版)
3.2.6 外延技術 3.3 分子束外延 3.3.1 工藝及原理 3.3.2 外延設備 3.3.3 MBE工藝特點 3.4 其他外延方法 52 3.4.1 液相外延 52 3.4.2 固相外延 53 3.4.3 先進外延技術及發展趨勢 54 3.5 外延缺陷與外延層檢測...
- 晶圓
堆垛層錯(Stacking Fault)也是可以在外延層中發現的缺陷，一般是由於晶體結構中密排面的正常堆垛順序遭到了破壞，其尺寸通常在微米級別。如圖所示。機械損傷 機械損傷一般指晶圓表面因為拋光或者切片造成的劃痕，一般是由化學機械研磨（CMP）...
- 半導體材料(物理名詞)
比如說氮化鎵在藍寶石襯底上生長，藍寶石跟氮化鎵的熱膨脹係數和晶格常數相差很大，長出來的外延層的缺陷很多，這是最大的問題和難關。另外這種材料的加工、刻蝕也都比較困難。科學家正在著手解決這個問題，如果這個問題一旦解決，就可以提供...
- 積體電路製造技術(2010年哈爾濱工業大學出版的圖書)
第3章外延 3.1概述 3.2氣相外延 3.3分子束外延 3.4其他外延方法 3.5外延缺陷與外延層檢測 本章小結 單元習題 第2單元氧化與摻雜 第4章熱氧化 4.1二氧化矽薄膜概述 4.2矽的熱氧化 4.3初始氧化階段及薄氧化層製備 4.4熱...
- 微電子工藝原理與技術
第3章 外延 3．1 概述 3．2 氣相外延 3．3 分子束外延 3．4 其他外延方法 3．5 外延缺陷與外延層檢測 本章小結 習題 第2篇 氧化與摻雜 第4章 熱氧化 4．1 二氧化矽薄膜概述 4．2 矽的熱氧化 4．3 初始氧化階段及薄氧化...
- 氧化誘生層錯
氧化誘生層錯OSF（Oxidation-Induced Stacking Faults）存在於表面和體內。表面的OSF一般以機械損傷、金屬沾污、微缺陷（如氧沉澱）在表面的顯露處等作為成核中心；體內的Bulk-OSF則一般成核於氧沉澱。簡要介紹 通常Bulk-OSF呈環狀分布，...
- 碳化矽半導體材料與器件
2.2.5外延層缺陷38 2.3SiC異質外延生長44 2.4總結48 參考文獻48 第3章碳化矽歐姆接觸57 3.1金屬—半導體接觸58 3.2比接觸電阻60 3.3n型SiC歐姆接觸62 3.3.1Ti和Ta基歐姆接觸64 3.3.2Ni基歐姆接觸65 3.3.3矽化物接觸...
- 襯底
因此，GaN材料及器件發展，需要尋找到與GaN匹配的襯底材料，進一步提高外延膜的質量。另外，就基礎研究和中長期計畫考慮，科技發展越來越需要把不同體系的材料結合到一起，即稱之為異質結材料。套用協變襯底可以將晶格和熱失配的缺陷局限...
