碳化矽外延片表面缺陷測試方法

《碳化矽外延片表面缺陷測試方法》是2017年12月31日實施的一項行業標準。

基本介紹

• 中文名：碳化矽外延片表面缺陷測試方法
• 標準編號：T/IAWBS 002—2017
• 實施日期：2017年12月31日
• 發布日期：2017年12月20日

起草人

鈕應喜、楊霏、溫家良、吳軍民、潘艷、陳志霞、劉丹、馮淦、張新河、田亮、田紅林、吳昊、李玲、李永平、張文婷、李嘉琳、焦倩倩、李贇、王英民、賈仁需、劉興昉、陸敏、彭同華、劉振洲。

起草單位

中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟、全球能源網際網路研究院有限公司、瀚天天成電子科技（廈門）有限公司、東莞市天域半導體科技有限公司、北京天科合達半導體股份有限公司、中國電子科技集團公司第五十五研究所、中國電子科技集團公司第二研究所、西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所。

主要內容

本標準規定了功率器件用碳化矽外延片表面缺陷的無損光學測量方法。

本標準適用於同質的超過（含）2微米厚的碳化矽外延層。