外延生長會引起缺陷。
基本介紹
- 中文名:外延生長缺陷
- 釋義:外延生長引起缺陷
外延生長會引起缺陷。
外延生長會引起缺陷。定義外延生長引起缺陷叫做外延生長缺陷。原理缺陷的數目和密度受生長過程的各種條件影響,如襯底溫度、反應腔氣壓、反應生長物及晶圓片表面清洗過程。特點介紹如果這些缺陷位於晶圓片表面製作電晶體器件的有源區域,...
對外延片檢查主要包括:表面質量(不應有突起點、凹坑等)、導電類型、電阻率、外延層厚度、外延片(片中和各片間的均勻性)和缺陷密度(包括層錯、位錯、霧狀微缺陷或小丘)等。工藝進展 為了克服外延工藝中的某些缺點,外延生長工藝...
《矽基外延生長優質單晶碳化矽薄膜與缺陷控制方法研究》是依託中國科學技術大學,由王玉霞擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 製備優質低價低缺陷密度的單晶碳化矽薄膜及體材料是第三代半導體要解決的關鍵問題,而目前仍存在許多待解決的難題...
分析了外延層厚度的分布規律,並指出恰當控制主氣流速和托盤轉速的關係有助於提高外延層的厚度均勻性。 (2)通過對不同缺陷的伯格斯矢量和彈性應變能的分析,研究了位錯缺陷在厚膜外延生長中的延伸和轉化機理。研究結果表明:TSD不能...
由於4H-SiC缺陷特別是4H-SiC外延缺陷與常見的其它半導體缺陷形狀、類型、起因因外延生長模式的不同而有所不同或完全不同,而且目前尚未有適用的國家標準和行業標準,因此,為了規範4H-SiC缺陷術語和定義,特制定本標準。本標準由第三代...
本項目針對目前Ga2O3薄膜外延生長困難,且載流子遷移率偏低這一當前的熱點研究方向,一方面通過最佳化生長條件,掌握Ga2O3薄膜製備工藝對薄膜的原子排布、晶格應變、缺陷形成的影響規律。另一方面從實驗和理論上探索界面微結構調控薄膜載流子遷移...
前者:異於襯底晶格常數外延生長過程中會產生晶格失配應力,應力積累到閾值就會形成量子點。應力小於臨界值時,量子點無缺陷。然而,其形成時間、位置、速度和大小完全是隨機的。後者:可以得到位置和大小可控的量子點。然而,襯底在圖形化...
《金屬表面矽烯的形核生長機理與缺陷控制》是依託南京理工大學,由李爽擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 目前在金屬基底上外延生長是製備矽烯的主要方法,但是製備得到的矽烯與基底作用過強不易轉移,並且矽烯中存在大量的空位缺陷...
《二維光催化材料的范德華外延生長及其構-效關係研究》是依託浙江大學,由張興旺擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 基於半導體材料(如TiO2)的光催化技術,具有對污染物礦化徹底、反應條件溫和的特點,是極具套用前景的環境污染治理技術...
系統地研究在單晶襯底上異質外延生長氧化鎵薄膜的晶格適配問題,尋找生長氧化鎵薄膜的最佳襯底和製備工藝條件;研究在氧化鎵單晶基片上同質外延生長氧化鎵單晶薄膜的最佳晶面和工藝條件;研究薄膜的晶格結構、缺陷及其對光電和光致發光性質的...
功能性三維細胞支架對細胞生長、增殖有很大的促進作用,現有的構成細胞支架的微納材料因其基材選擇性少、缺乏靶向性、載藥功能單一等缺陷使其套用受到限制。申請者基於介孔材料研究背景,嘗試使用外延生長法將納米孔道限域效應引入至三維細胞...
本項目採用高濃度氮源磁控反應濺射的方法,在藍寶石襯底上外延生長原子氮摻雜p型SnO2 薄膜,研究與雜質和缺陷相關的光學性質和載流子輸運性能。研究氮源、工藝參數和雷射誘導處理等對氮摻雜SnO2外延薄膜摻雜效率、微結構和物性的影響;探討摻雜...
(3)GaN成核層生長結束後,停止通入TMGa,將襯底溫度升高1220℃,對GaN成核層在原位進行退火處理,退火時間為8分鐘;退火之後,將溫度調節到1220℃,在較低的N與Ga的摩爾比條件下外延生長厚度為3微米的不摻雜的GaN層,此生長過程中,...
同時我們也對一般的AlN模板上外延生長AlGaN薄膜的位錯形成機制進行了原理性地研究,也對不同In組分的InGaN量子阱材料在半極性面GaN襯底上的缺陷形成機制進行了研究。這些工作為圖案化基板上非極性面AlGaN薄膜及其異質結結構的生長打下了良好...
《基於SiC襯底的氧化鎵外延薄膜生長及其特性研究》是依託西安電子科技大學,由賈仁需擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 Ga2O3具有巴利加優值較高,在製造相同耐壓的單極功率器件時,導通電阻比較小,可以有效的提高能源轉換效率,極大地...
《6″VDMOS管用矽外延片的製造方法》首先襯底片的選用優為重要,選用的襯底片既要符合器件的要求,也要符合外延的要求。其技術工藝在於:選擇合適的氣腐流量和氣腐時間,減小氣腐雜質在外延反應器的濃度,以減小外延生長時的自摻雜。第一...
26 鹵化物氣相外延生長Ⅲ族氮化物 26.1 生長化學和熱力學 26.2 HVPE生長設備 26.3 體材料GaN的生長襯底和模版 26.4 襯底除去技術 26.5 HVPE中GaN的摻雜方法 26.6 缺陷密度、位錯和殘留雜質 26.7 HVPE生長的體材料GaN的一些重要...
外延是半導體工藝當中的一種。在bipolar工藝中,矽片最底層是P型襯底矽(有的加點埋層);然後在襯底上生長一層單晶矽,這層單晶矽稱為外延層;再後來在外延層上注入基區、發射區等等。最後基本形成縱向NPN管結構:外延層在其中是集電區,外延...
在外延生長過程中,晶體沿著[111]方向生長時,原子層排列順序在某一區域出現返廠的情況,少了一層B,而變成按照ACABCABCABC的順序排列,成為抽出型層錯。相關概念 層錯 層錯是面缺陷的一種,層錯可以通過多種物理過程形成。在晶體生長...
層錯常常發生在外延生長的矽單晶體上,當矽單晶片經過900~1200℃熱氧化過程後,經常可發現表面出現層錯。這些由氧化過程引起的層錯,稱之為OISF。因為每個層錯都結合著部分位錯,所以層錯對矽單晶片的電性質影響與位錯相似。簡介 矽...
堆垛層錯就是指正常堆垛順序中引入不正常順序堆垛的原子面而產生的一類面缺陷,是晶體中的一類巨觀缺陷。主要出現在用外延方法生長的晶體中。堆垛層錯詳解 在晶體點陣中,密排原子面規則堆垛次序發生差錯引起的一種晶體二維缺陷,簡稱層錯...
晶格失配度 晶格失配度,描述襯底與外延膜晶格匹配程度的參量。晶格失配影響晶體的外延生長,會在外延層中產生大量缺陷,甚至無法生長單晶,影響器件的性能和壽命。
第14章 外延生長 14.1 晶圓片清洗和自然氧化物去除 14.2 氣相外延生長的熱動力學 14.3 表面反應 14.4 摻雜劑的引入 14.5 外延生長缺陷 14.6 選擇性生長 14.7 鹵化物輸運GaAs氣相外延 14.8 不共度和應變異質外延 14.9 金屬...
第14章 外延生長365 14.1 晶圓片清洗和自然氧化層去除366 14.2 氣相外延生長的熱動力學369 14.3 表面反應372 14.4 摻雜劑的引入374 14.5 外延生長缺陷375 14.6 選擇性生長+376 14.7 鹵化物輸運GaAs...
第14章外延生長 14.1晶圓片清洗和自然氧化物去除 14.2氣相外延生長的熱動力學 14.3表面反應 14.4摻雜劑的引入 14.5外延生長缺陷 14.6選擇性生長+ 14.7鹵化物輸運GaAs氣相外延 14.8不共度和應變異質外延 14.9金屬有機物化學...
3.4 常規矽氣相外延生長過程的結晶學原理 3.5 關於氣相外延生長的工藝環境和工藝條件 3.5.1 外延生長過程中的摻雜 3.5.2 外延生長速率與反應溫度的關係 3.5.3 外延生長層內的雜質分布 3.5.4 外延生長缺陷 3.5.5 外延生長...
薄膜按其晶體結構,有單晶、多晶、非晶薄膜之分。單晶薄膜需要在單晶基板上通過外延(epitaxy)的方法才能做出。藉由外延生長的薄膜稱為外延膜。單晶薄膜製備技術通常指分子束外延技術,用真空蒸鍍法或濺射法來製作單晶薄膜較困難,所必須考慮...
位錯對晶體生長及晶體的其他性質都有十分重要的影響。層錯 晶體中的一種面缺陷。常在晶體的外延生長,或經高溫氧化後產生。如果在正常情況下,晶體按ABC次序排列,由於某種原因生長時少了一層。這時平面附近晶體周期性發生破壞,產生面缺陷...