《4H碳化矽襯底及外延層缺陷圖譜》是2018年11月20日實施的一項行業標準。
基本介紹
- 中文名：4H碳化矽襯底及外延層缺陷圖譜
- 外文名：The Metallographs Collection for Defects in both 4H-SiC Substrates and Epilayers
- 標椎編號：T/CASAS 004.2—2018
- 國民經濟分類：C398 電子元件及電子專用材料製造
- 發布日期：2018年11月20日
- 實施日期：2018年11月20日
起草單位,起草人,主要技術,
起草單位
東莞市天域半導體科技有限公司、全球能源網際網路研究院有限公司、中國電子科技集團公司第五十五研究所、中國科學院微電子研究所、株洲中車時代電氣股份有限公司、山東天岳晶體材料有限公司、瀚天天成電子科技(廈門)有限公司、山東大學、台州市一能科技有限公司、中國電子科技集團公司第十三研究所、深圳第三代半導體研究院。
起草人
孫國勝、楊霏、柏松、許恆宇、李誠瞻、高玉強、馮淦、胡小波、張樂年、房玉龍。
主要技術
由於4H-SiC缺陷特別是4H-SiC外延缺陷與常見的其它半導體缺陷形狀、類型、起因因外延生長模式的不同而有所不同或完全不同，而且目前尚未有適用的國家標準和行業標準，因此，為了規範4H-SiC缺陷術語和定義，特制定本標準。
本標準由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟標準化委員會（CASAS）制定發布，著作權歸CASA所有，未經CASA許可不得隨意複製；其他機構採用本標準的技術內容制定標準需經CASA允許；任何單位或個人引用本標準的內容需指明本標準的標準號。
