碳化矽外延層載流子濃度測定_汞探針電容-電壓法

《碳化矽外延層載流子濃度測定_汞探針電容-電壓法》是2017年12月31日實施的一項行業標準。

基本介紹

• 中文名：碳化矽外延層載流子濃度測定_汞探針電容-電壓法
• 標準編號：T/IAWBS 003—2017
• 實施日期：2017年12月31日
• 發布日期：2017年12月20日

起草人

馮淦、陳志霞、鈕應喜、張新河、李贇、陸敏、彭同華、劉振洲。

起草單位

中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟槳遙辯和、瀚天天成電子科技（廈門）有限公司、全球能源網際網路研究院、東莞天域半紙多煉導體科技有限公司、北京天科合達半導體股份有限公司、中國電子科技集團公司第五十五研究所。

主要內容

本標準規定了碳化矽（4H-SiC）外延層載流子濃度的測定方法─汞探針電容－電壓法。

本標準適用於單層同質碳化矽外延層載流子濃度的測量，要求測量的碳盼勸定霸化矽外延層厚度必須大於測試偏壓下耗盡層拘匙鑽的寬度。載流子濃膠殼度測紙妹謎量範圍為：1×1014　cm-3　～5×1017　cm-3。

本標準也可適用於邀凶拳碳化矽襯底載流子濃度的測量。