4H 碳化矽同質外延層厚度的紅外反射測量方法

《4H 碳化矽同質外延層厚度的紅外反射測量方法》是2018年12月17日實施的一項行業標準。

基本介紹

• 中文名：4H 碳化矽同質外延層厚度的紅外反射測量方法
• 外文名：Test method for thickness of 4H silicon carbide homo-epitaxial layers by infrared reflectance
• 標準編號：T/IAWBS 007—2018
• 實施日期：2018年12月17日
• 發布日期：2018年12月06日

起草人

張新河、鈕應喜、王英民、賈仁需、張峰、劉丹、陳志霞、閆果果、 陸敏、鄭紅軍、彭同華、林雪如、陳鵬、劉禕晨

起草單位

中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟、東莞市天域半導體科技有限 公司、全球能源網際網路研究院、瀚天天成電子科技（廈門）有限公司、中國電子科技集團公 司第二研究所、西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所

適用範圍

本標準規定了4H-N型重摻雜碳化矽襯底（N型摻雜濃度＞5×1018 cm-3）上同質外延層（摻 雜濃度5×1014cm-3-5×1016 cm-3）厚度的紅外反射測量方法。 本標準適用於2-100微米的碳化矽外延層。

主要內容

本標準規定了4H-N型重摻雜碳化矽襯底（N型摻雜濃度＞5×1018 cm-3）上同質外延層（摻雜濃度5×1014cm-3-5×1016 cm-3）厚度的紅外反射測量方法。

本標準適用於2-100微米的碳化矽外延層。

本標準規定的方法是 4H 碳化矽襯底與外延層因摻雜濃度的不同導致兩者具有不同的折射率，因此試樣的反射光譜會出現反映外延層厚度信息的連續干涉條紋。當外延層表面反射的光束和襯底界面反射的光束的光程差是半波長的整數倍時，反射光譜中可以觀察到極大極小值。

根據反射譜中干涉條紋的極值峰位，試樣的光學常數以及入射角可以計算出相應的外延層厚度。

4H 碳化矽外延層的厚度檢測原理如圖2：入射光由A 處入射，經由外延表面AC 反射，同時經過折射在襯底和外延界面B 處反射，由C 處射出，和D 處的反射光之間的相位差δ即可求得。