出版信息半導體化合物光電器件製備 作者:許並社 主編 梁建、劉旭光、賈虎生 副主編 出版日期:2013年12月 書號:978-7-122-19098-7 開本:16K 787×1092 1/16 ...
出版信息半導體化合物光電原理 作者:許並社 主編 劉旭光、梁建、賈虎生 副主編 叢書名:半導體化合物研究與套用叢書 出版日期:2013年12月 書號:978-7-122-19093-2...
《半導體化合物研究與套用叢書·普通高等教育"十二五"規劃教材:半導體化合物光電器件檢測》共分《半導體化合物光電原理》、《半導體化合物光電器件製備》、《半導體化合...
半導體光電器件是指把光和電這兩種物理量聯繫起來,使光和電互相轉化的新型半導體器件。即利用半導體的光電效應(或熱電效應)製成的器件。光電器件主要有,利用半導體...
(VGF)製備化合物半導體單晶,用液相處延(LPE)、氣...4.禁頻寬度大,可以在Si器件難以工作的高溫領域工。...化合物半導體材料的光電套用現狀[J]. 稀有金屬, ...
Ⅱ族元素Zn、Cd、Hg和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物,是一些重要的光電材料...製備不同的半導體器件對半導體材料有不同的形態要求,包括單晶的切片、磨片、拋光...
電子躍遷過程等)的研究,特別是對半導體光學性質的研究為半導體光電子器件的發展...許多化合物材料如GaAs、InGaAsP為直接帶材料(導帶底與價帶頂在動量空間同一位置...
3 三元化合物半導體製備方法 4 總結 三元化合物半導體...隨著信息載體從電子向光電子和光子轉換步伐的加快,...隨著電光半導體裝置、紅外檢測器、固體雷射器等器件的...
銻化物半導體材料的基礎物理、異質結低維材料外延生長和光電器件的製備技術等,...該成果引起國際學術界和產業界廣泛關注,《化合物半導體》雜誌評價“該單模雷射器...
方式的影響,不是所有的化合物都能夠符合半導體材料的...材料都高,主要運用到光電積體電路、抗核輻射器件中...半導體半導體的製備 編輯 半導體晶片的製造過程可以分...
III-V族半導體化合物製備方法有以下幾種:液封直拉法(LEC)、高壓液封直拉法(...III-V族化合物半導體材料在光電子器件,光電集成,超高速微電子器件和超高頻微波...
2.6 集成光電子器件的結構和製作 第3章 光電子器件的材料製備技術 3.1 基底片製備 3.2 光電子器件用Si基材料的製備 3.3 光電子器件用Ⅲ-V族化合物半導體材...
金屬有機化合物氣相處延(movpe)技術是製備化合物半導體異質結、低維結構材料,以及生產化合物半導體光電子、微電子器件的重要方法。本書是國內第一本全面系統地介紹...
● 半導體光電子材料與器件,主要研究氮化鎵為代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物的外延生長技術,GaN、SiC、Al2O3等襯底材料的生長製備技術,Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件、化合物...
器件製備工藝的攻關和最佳化,研製出具有國內領先水平GaN基耗盡型和增強型開關器件,...任第十四屆全國化合物半導體材料、微波器件和光電器件學術會議程式委員會副主席,...
這是許多半導體光電子器件的最基本的工作機理。 [1] 固態電子器件發展簡史 編輯...化合物半導體材料製備水平不容易提高,實驗數據難以控制,進展也必然緩慢。1947年...
單晶薄膜的製備技術,用MBE技術製備的半導體超晶格和...MBE技術在固態微波器件、光電器件、超大規模積體電路...Ⅱ-Ⅵ族及Ⅳ族元素化合物薄膜,生長速度極慢(1~1...
主編《材料界面的物理與化學》、《納米材料及套用技術》、《材料概論》、《半導體化合物光電原理》、《半導體化合物光電器件製備》、《半導體化合物光電器件檢測》等...
銻化物半導體材料的基礎物理、異質結低維材料外延生長和光電器件的製備技術等,...該成果引起國際學術界和產業界廣泛關注,《化合物半導體》雜誌評價“該單模雷射器...
李國強,博士,現為華南理工大學材料學院教授,博士生導師,主要研究方向為光電半導體材料與器件。長期從事光電化合物半導體材料(主要為III-V族及II-VI族化合物半導體)...
純度和完整性;利用各種元素的粘附係數的差別,可製成化學配比較好的化合物半導體...(HFET)、異質結雙極電晶體(HBT)等微波、毫米波器件及電路和光電器件製備中發揮...
材料製備技術,及新型半導體光電器件設計製備技術,如垂直結構Si襯底GaN-LED器件和...6.楊少延等,中國發明專利:一種製備二元稀土化合物薄膜材料的方法7.楊少延等,...
氧化鋅是一種新型的Ⅱ-Ⅵ族直接帶隙寬禁帶化合物半導體材料,具有優異的光學和...實現氧化鋅基光電器件的關鍵技術是製備出優質的p型氧化鋅薄膜。本徵氧化鋅是一...
銻化物半導體材料的基礎物理、異質結低維材料外延生長和光電器件的製備技術等,...該成果引起國際學術界和產業界廣泛關注,《化合物半導體》雜誌評價“該單模雷射器...
銻化物是指由一種或幾種金屬與銻(Sb)的化合物所組成的一類少見的礦物,金屬...銻化物半導體材料的基礎物理、異質結低維材料外延生長和光電器件的製備技術等,...