化學氣相澱積方法

化學氣相澱積方法簡稱CVD法，是以氣相原材料經化學反應而澱積固體薄膜的方法。由於製備的薄膜能與基體緊密附著，且幾乎對基體的幾何形狀沒有依賴關係，改變氣體成分或澱積條件(如溫度、氣壓等)，即可改變成膜的化學或物理性質，對厚度又易於實施控制，因而CVD方法在材料研製過程中得到了廣泛的套用。

按照反應條件，CVD法可主要區分為下列5點：①常壓CVD，即反應氣體壓力為1大氣壓左右，反應裝置無須減壓或加壓設備，簡便易行，通常通過溫度來調節反應速率。②低壓CVD(LPCVD)，反應壓力通常為數百帕，調節壓強也能改變成膜速度。③光誘導CVD(PICVD)，通過入射光的作用而誘導化學反應成膜。④等離子增強CVD(PECVD)，通過施加電磁場(直流、交流、射頻等)促使反應氣體電離從而高速成膜或通過其他手段直接通入電漿成膜的方法。⑤金屬有機化合物氣相澱積方法(MOCVD)，採用金屬有機化合物氣相源的CVD方法。該法可製備結構精細的多層金屬或半導體膜是當代微電子技術的一種重要手段。