基本介紹
- 中文名：光刻偏差
- 外文名：lithographydeviation
圖1 光刻偏差示意圖相關詞條
- 光刻偏差
光刻偏差指掩模版上的特徵尺寸與複印在矽片上的尺寸的差距。對於不同尺寸的結構，複製偏差量是不同的，一個光刻偏差的例子是方形接觸孔的尺寸接近光學系統解析度時就會光刻出圓形的角。通過在版圖結構上加襯線可能解決該問題，這在光刻矽片...
- 光刻球差
光刻中，由於離軸距離不同的光線在透鏡表面形成的入射角不同引起的誤差，稱為光刻球差。當光線由透鏡的邊緣通過時，它的焦點位置比較遠離透鏡，而由透鏡的中央透過的光線，它的焦點位置則比較靠近透鏡，如圖1所示。數值孔徑NA越大的透鏡...
- 刻蝕偏差
顯然，這樣的做法比較粗糙，設有顧及刻蝕偏差是與光刻膠上的線寬有關的。精確地做法是，建立一個刻蝕的模型，首先對設計的版圖做修正；然後，在做光刻的OPC修正，如圖3所示。刻蝕修正可以使用模型，也可以是一些規則（類似於rules-based...
- 套刻誤差
為了保證設計在上下兩層的電路能可靠連線，當前層中的某一點與參考層中的對應點之間的對準偏差必須小於圖形最小間距的1/3。國際半導體技術路線圖（international technology roadmap for semiconductor，ITRS）對每一個技術節點的光刻工藝都...
- 線寬偏差
線寬偏差，光刻工藝術語，是指一個掩模上所有的關鍵圖形處的線寬通常比另一個掩模的對應線寬相差的固定值。掩模之間的主要表現線上寬的偏差（offset）。由於製備工藝的差別，一個掩模上所有的關鍵圖形處的線寬通常比另一個掩模的對應線...
- 計算光刻與版圖最佳化
3.4 光刻光學成像的評價指標77 3.4.1 關鍵尺寸及其均勻性77 3.4.2 對比度和圖像對數斜率78 3.4.3 掩模誤差增強因子79 3.4.4 焦深與工藝視窗80 3.4.5 工藝變化帶（PV-band）82 本章參考文獻82 第4章...
- 邊緣放置誤差
邊緣放置誤差(Edge Placement Error, EPE)是光刻軟體仿真出的曝光後光刻膠圖形邊緣與設計圖形之間的差。邊緣放置誤差(Edge Placement Error, EPE)是光刻軟體仿真出的曝光後光刻膠圖形邊緣與設計圖形之間的差。套用 邊緣放置誤差是用來衡量...
- 圖像識別套刻誤差量測
圖像識別套刻誤差是指在積體電路製造工藝中，通過圖像識別技術比較不同工藝層上套刻標記位置偏差從而確定工藝層之間相對位移的方法。圖像識別套刻誤差是積體電路製造工藝光刻技術中主要使用的套刻誤差量測手段之一。利用掩模版完成一道光刻...
- 掩模誤差增強因子
掩模誤差增強因子（Mask Error Enhancement Factor，MEEF）被定義為晶圓上光刻膠線寬（CDwafer）隨掩模上圖形線寬（CDmask）變化的斜率。掩模誤差增強因子（Mask Error Enhancement Factor，MEEF）被定義為晶圓上光刻膠線寬（CDwafer）隨...
- 極紫外套刻誤差
極紫外套刻誤差是指極紫外光刻技術中的套刻誤差大小。極紫外套刻誤差通常是指EUV和193浸沒式的混合套刻誤差（MMO）。當極紫外光刻套用到積體電路製造工藝中，其必須和193浸沒式混合使用，即關鍵層使用EUV技術進行曝光，其他光刻層仍使用...
