| 中文名稱 | 位錯對 |
| 英文名稱 | dislocation pair |
| 定 義 | 處於兩個互相平行的滑移面上的一對異號刃形位錯。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），材料科學技術基礎（二級學科），材料科學基礎（三級學科），材料組織結構（四級學科） |
| 中文名稱 | 位錯對 |
| 英文名稱 | dislocation pair |
| 定 義 | 處於兩個互相平行的滑移面上的一對異號刃形位錯。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），材料科學技術基礎（二級學科），材料科學基礎（三級學科），材料組織結構（四級學科） |
中文名稱 位錯對 英文名稱 dislocation pair 定義 處於兩個互相平行的滑移面上的一對異號刃形位錯。 套用學科 材料科學技術(一級學科),材料科學技術基礎(二級...
位錯又可稱為差排(英語:dislocation),在材料科學中,指晶體材料的一種內部微觀缺陷,即原子的局部不規則排列(晶體學缺陷)。從幾何角度看,位錯屬於一種線缺陷,可視...
位錯又可稱為差排,在材料科學中,指晶體材料的一種內部微觀缺陷,即原子的局部不規則排列(晶體學缺陷)。位錯理論認為,晶體實際滑移過程並不是滑移面兩邊的所有原子...
位錯線(dislocationalline)是指晶體或晶格內滑移面上已滑動區的邊界線稱位錯線或位錯環。當應力超過臨界剪應力時,位錯線擴張,形成內外兩部分,外部位錯逐漸擴大,...
位錯是晶體中局部滑移區域的邊界線,即是晶體中的一種線缺陷;它是決定金屬等晶體力學性質的基本因素,也對晶體的其他許多性質(包括晶體生長)有著嚴重的影響。通過...
位錯密度定義為單位體積晶體中所含的位錯線的總長度,單位是1/平方厘米。位錯密度的另一個定義是:穿過單位截面積的位錯線數目,單位也是1/平方厘米。...
位錯應變能是指位錯在晶體中引起畸變使晶體的內能增加的能量。位錯在周圍晶體中引起畸變,是晶體產生的畸變能。...
位錯能量是指位錯在晶體中引起畸變使晶體的內能增加的能量。位錯在周圍晶體中引起畸變,是晶體產生的畸變能。...
位錯增殖是晶體中的位錯在一定形式的運動中,自身不斷產生新的位錯環或大幅度增加位錯線長度,從而使材料中的位錯數目或位錯密度在運動中不斷增大的過程。位錯...
位錯源是晶體中位錯開始發生的部位。是晶體學學科之一,是晶體中位錯開。位錯可在晶體生成過程中產生,也可在晶體形成後於應力集中處開始發生。...
金屬塑性變形過程中,位錯群不斷增殖,它們雜亂分布,像森林一般,稱為位錯林。...... 金屬塑性變形過程中,位錯群不斷增殖,它們雜亂分布,像森林一般,稱為位錯林。...
像位錯是指由於像力而產生的位錯。對於刃型位錯的像位錯所產生像力計算比較複雜。位錯的像力是使位錯傾向於接近於自由表面以鬆弛其彈性應變能。...
位錯又可稱為差排(英語:dislocation),在材料科學中,指晶體材料的一種內部微觀缺陷,即原子的局部不規則排列(晶體學缺陷)。從幾何角度看,位錯屬於一種線缺陷,可視...
分位錯又稱不全位錯和偏位錯。柏格斯矢量不等於單位點陣矢量整數倍的位錯。在fc晶體中,主要有弗弗蘭克分位錯和肖克萊分位錯。弗蘭克分位錯是柏氏矢量為1/3(...
位錯的增殖機制主要也有三種機制:弗蘭克-里德位錯源(Frank-Read source)機制、雙交滑移增殖機制,和攀移增殖機制。...
位錯滑移指在外力作用下,位錯線在期滑移面(即位錯線與伯氏矢量b構成的晶面)上的運動,結果導致晶體永久變形。...
撓性位錯最初為解釋晶體的塑性變形而提出的一種原子排列缺陷模型.晶體滑移時,已滑移部分與未滑移部分在滑移面上的分界,稱為"位錯".它是一種"線缺陷"...
螺型位錯(screw dislocation)又稱螺旋位錯(Burgers dislocation)。一個晶體的某一部分相對於其餘部分發生滑移,原子平面沿著一根軸線盤旋上升,每繞軸線一周,原子面...
位錯蝕坑是指在一定的侵蝕條件下,金屬被侵蝕表面用以顯示位錯在晶體表面的露頭而形成的蝕坑。若施加外力令材料發生一系列微小變形,則每次變形後某一特定位錯都...
《位錯理論及其在大地變形研究中的套用》是西安交通大學出版社出版的圖書,作者是張永志教授。本書主要介紹了位錯理論的發展簡介、位錯的彈性力學基礎、晶體位錯的...
位錯的增殖機制主要有三種機制:弗蘭克-里德位錯源(Frank-Readsource)機制、雙交滑移增殖機制,和攀移增殖機制。...
位錯運動遇到障礙(晶界、第二相粒子以及不動位錯等),如果其向前運動的力不能克服障礙物的力,位錯就會停在障礙物面前,由同一個位錯源放出的其他位錯也會被阻...
《晶體中的位錯(重排本)》是2014年出版的圖書,作者是錢臨照。...... 本書成書背景如下:位錯理論在本世紀30年代發源於英國,成熟於40年代末,得到國際學術界廣泛...
半導體Si、Ge晶體中最簡單的一種位錯就是60度棱位錯。因為在(111)晶面內,位錯線的方向是<110>方向,該方向與晶面滑移方向互相構成60度的夾角,故有60度棱位...
1 定義 2 性質 3 涉及因素 4 相關概念 ▪ 缺陷 ▪ 肖特基缺陷 ▪ 位錯 ▪ 層錯 弗侖克爾對定義 編輯 弗侖克爾對是指晶體中一個點陣空位和...