位錯滑移指在外力作用下,位錯線在期滑移面(即位錯線與伯氏矢量b構成的晶面)上的運動,結果導致晶體永久變形。
基本介紹
- 中文名:滑移位錯
- 外文名:slip of dislocation
- 條件:n·b=0
- 驅動力:F=τb
- 提出者:Taylor、Orowan Polanyi
- 學科:晶體材料
位錯滑移指在外力作用下,位錯線在期滑移面(即位錯線與伯氏矢量b構成的晶面)上的運動,結果導致晶體永久變形。
位錯滑移指在外力作用下,位錯線在期滑移面(即位錯線與伯氏矢量b構成的晶面)上的運動,結果導致晶體永久變形。...
位錯滑移(dislocation glide)是指位錯在晶體內沿滑移面的運動。在剪應力作用下,原子發生位錯是在包含其伯格斯矢量的平面上運動,稱為位錯滑移。其運動方式類似蠕蟲...
位錯又可稱為差排(英語:dislocation),在材料科學中,指晶體材料的一種內部微觀缺陷,即原子的局部不規則排列(晶體學缺陷)。從幾何角度看,位錯屬於一種線缺陷,可視...
位錯又可稱為差排,在材料科學中,指晶體材料的一種內部微觀缺陷,即原子的局部不規則排列(晶體學缺陷)。位錯理論認為,晶體實際滑移過程並不是滑移面兩邊的所有原子...
位錯線(dislocationalline)是指晶體或晶格內滑移面上已滑動區的邊界線稱位錯線或位錯環。當應力超過臨界剪應力時,位錯線擴張,形成內外兩部分,外部位錯逐漸擴大,...
螺型位錯(screw dislocation)又稱螺旋位錯(Burgers dislocation)。一個晶體的某一部分相對於其餘部分發生滑移,原子平面沿著一根軸線盤旋上升,每繞軸線一周,原子面...
位錯又可稱為差排(英語:dislocation),在材料科學中,指晶體材料的一種內部微觀缺陷,即原子的局部不規則排列(晶體學缺陷)。從幾何角度看,位錯屬於一種線缺陷,可視...
若堆垛層錯不是發生在晶體的整個原子面上而只是部分區域存在,那么,在層錯與完整晶體的交界處就存在柏氏矢量不等於點陣矢量的不全位錯。在面心立方晶體中有兩種...
位錯是晶體中局部滑移區域的邊界線,即是晶體中的一種線缺陷;它是決定金屬等晶體力學性質的基本因素,也對晶體的其他許多性質(包括晶體生長)有著嚴重的影響。通過...
位錯能量是指位錯在晶體中引起畸變使晶體的內能增加的能量。位錯在周圍晶體中引起畸變,是晶體產生的畸變能。...
位錯應變能是指位錯在晶體中引起畸變使晶體的內能增加的能量。位錯在周圍晶體中引起畸變,是晶體產生的畸變能。...
螺型位錯線平行子其柏氏矢量b,因為與位錯線(恆為直線)和位錯的柏氏矢量平行的晶面是無限多的,而這些晶面都是它的可滑移面,因而螺型位錯應有無限多的可滑移...
如果兩個相交滑移面上的位錯都是擴展位錯,則兩位錯相遇就可能形成另一種不同的位錯組態,即壓桿位錯。...
分位錯又稱不全位錯和偏位錯。柏格斯矢量不等於單位點陣矢量整數倍的位錯。在fc晶體中,主要有弗弗蘭克分位錯和肖克萊分位錯。弗蘭克分位錯是柏氏矢量為1/3(...
平移的方向稱為滑移方向,它總是晶面中原子密排的方向。實際發生滑移的的晶面,受形變時溫度、速度以及加入的雜質和載荷條件等因素的影響。按照位錯理論,晶面滑移...
位錯增殖是晶體中的位錯在一定形式的運動中,自身不斷產生新的位錯環或大幅度增加位錯線長度,從而使材料中的位錯數目或位錯密度在運動中不斷增大的過程。位錯...
金屬塑性變形過程中,位錯群不斷增殖,它們雜亂分布,像森林一般,稱為位錯林。...... Hirsch認為:主滑移面中位錯源產錯和位錯林由於交截而產生“割裂”,位錯可以...
位錯的增殖機制主要也有三種機制:弗蘭克-里德位錯源(Frank-Read source)機制、雙交滑移增殖機制,和攀移增殖機制。...
中文名稱 位錯對 英文名稱 dislocation pair 定義 處於兩個互相平行的滑移面上的一對異號刃形位錯。 套用學科 材料科學技術(一級學科),材料科學技術基礎(二級...
位錯源是晶體中位錯開始發生的部位。是晶體學學科之一,是晶體中位錯開。位錯可在晶體生成過程中產生,也可在晶體形成後於應力集中處開始發生。...
面心立方晶體中,柏氏矢量為1/6<112>的不全位錯。...... 形成本徵層錯的滑移矢量為1/6<112>,相應的分位錯柏氏矢量也是1/6<112>,這種分位錯稱為肖克萊分...
位錯密度定義為單位體積晶體中所含的位錯線的總長度,單位是1/平方厘米。位錯密度的另一個定義是:穿過單位截面積的位錯線數目,單位也是1/平方厘米。...
《晶體中的位錯(重排本)》是2014年出版的圖書,作者是錢臨照。...... 3.12 位錯的攀移3.13 具有割階的位錯線的滑移運動第四章 不全位錯4.1 引言...