分位錯又稱不全位錯和偏位錯。柏格斯矢量不等於單位點陣矢量整數倍的位錯。在fc晶體中,主要有弗弗蘭克分位錯和肖克萊分位錯。弗蘭克分位錯是柏氏矢量為1/3(111)的純刀型位錯,與密排面的插入或抽出而產生層錯相關聯。如果層錯不貫穿整個晶體,而是中止在晶體內部,該層錯邊界線即為弗蘭克分位錯。與插入型層錯相聯繫的位錯為正弗蘭克分位錯,與抽出型相聯繫的為負弗蘭克分位錯。雖然弗蘭克分位錯是刃型的,但不能能滑移,它可以通過吸收或放出點缺陷,在包括位錯線的{111}面上舉移。
分位錯又稱不全位錯和偏位錯。柏格斯矢量不等於單位點陣矢量整數倍的位錯。在fc晶體中,主要有弗弗蘭克分位錯和肖克萊分位錯。弗蘭克分位錯是柏氏矢量為1/3(111)的純刀型位錯,與密排面的插入或抽出而產生層錯相關聯。如果層錯不貫穿整個晶體,而是中止在晶體內部,該層錯邊界線即為弗蘭克分位錯。與插入型層錯相聯繫的位錯為正弗蘭克分位錯,與抽出型相聯繫的為負弗蘭克分位錯。雖然弗蘭克分位錯是刃型的,但不能能滑移,它可以通過吸收或放出點缺陷,在包括位錯線的{111}面上舉移。
分位錯又稱不全位錯和偏位錯。柏格斯矢量不等於單位點陣矢量整數倍的位錯。在fc晶體中,主要有弗弗蘭克分位錯和肖克萊分位錯。弗蘭克分位錯是柏氏矢量為1/3(...
位錯又可稱為差排(英語:dislocation),在材料科學中,指晶體材料的一種內部微觀缺陷,即原子的局部不規則排列(晶體學缺陷)。從幾何角度看,位錯屬於一種線缺陷,可視...
位錯線(dislocationalline)是指晶體或晶格內滑移面上已滑動區的邊界線稱位錯線或位錯環。當應力超過臨界剪應力時,位錯線擴張,形成內外兩部分,外部位錯逐漸擴大,...
位錯又可稱為差排,在材料科學中,指晶體材料的一種內部微觀缺陷,即原子的局部不規則排列(晶體學缺陷)。位錯理論認為,晶體實際滑移過程並不是滑移面兩邊的所有原子...
中文名稱 位錯對 英文名稱 dislocation pair 定義 處於兩個互相平行的滑移面上的一對異號刃形位錯。 套用學科 材料科學技術(一級學科),材料科學技術基礎(二級...
位錯源是晶體中位錯開始發生的部位。是晶體學學科之一,是晶體中位錯開。位錯可在晶體生成過程中產生,也可在晶體形成後於應力集中處開始發生。...
位錯又可稱為差排(英語:dislocation),在材料科學中,指晶體材料的一種內部微觀缺陷,即原子的局部不規則排列(晶體學缺陷)。從幾何角度看,位錯屬於一種線缺陷,可視...
位錯能量是指位錯在晶體中引起畸變使晶體的內能增加的能量。位錯在周圍晶體中引起畸變,是晶體產生的畸變能。...
單位位錯,也稱特徵位錯,就是指它的柏氏矢量等於晶體中最短的點陣矢量的位錯。...... 所以位錯根據柏氏矢量的不同可以分為以下幾種形式:柏氏矢量為為單位點陣矢量...
位錯是晶體中局部滑移區域的邊界線,即是晶體中的一種線缺陷;它是決定金屬等晶體力學性質的基本因素,也對晶體的其他許多性質(包括晶體生長)有著嚴重的影響。通過...
面心立方晶體中,柏氏矢量為1/6<112>的不全位錯。...... 形成本徵層錯的滑移矢量為1/6<112>,相應的分位錯柏氏矢量也是1/6<112>,這種分位錯稱為肖克萊分...
若堆垛層錯不是發生在晶體的整個原子面上而只是部分區域存在,那么,在層錯與完整晶體的交界處就存在柏氏矢量不等於點陣矢量的不全位錯。在面心立方晶體中有兩種...
定義 位錯蝕坑的某一邊排列在一條直線上的位錯組態。 套用學科 總論(三級學科) ...... 定義 位錯蝕坑的某一邊排列在一條直線上的位錯組態。 套用學科 材料科...
撓性位錯最初為解釋晶體的塑性變形而提出的一種原子排列缺陷模型.晶體滑移時,已滑移部分與未滑移部分在滑移面上的分界,稱為"位錯".它是一種"線缺陷"...
像位錯是指由於像力而產生的位錯。對於刃型位錯的像位錯所產生像力計算比較複雜。位錯的像力是使位錯傾向於接近於自由表面以鬆弛其彈性應變能。...
螺旋位錯是指位錯線與伯格斯矢量相平行的位錯。...... 螺旋位錯是指位錯線與伯格斯矢量相平行的位錯。學科:構造地質學詞目:螺旋位錯英文:screw dislocation...
中文名稱 零位錯單晶 英文名稱 zero dislocation mono- crystal 定義 晶體體內不存在位錯線的晶體。 套用學科 材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),...
一般來說,晶體中的位錯分為全位錯(單位位錯)和不全位錯。在不全位錯中根據柏氏矢量與點陣矢量的大小關係將位錯的柏氏矢量小於單位位錯的位錯稱為分位錯。 ...
產生的原因:固液交界面掉有固體顆粒或熱應力較大,過冷度較大等都可能造成層錯面缺陷的產生,當襯底表面有機械損傷、雜質、局部氧化物、高位錯密度等都有可能引起...