螺旋位錯是指位錯線與伯格斯矢量相平行的位錯。
學科：構造地質學
詞目：螺旋位錯
英文：screw dislocation
螺旋位錯是指位錯線與伯格斯矢量相平行的位錯。
螺型位錯(screw dislocation)又稱螺旋位錯(Burgers dislocation)。一個晶體的某一部分相對於其餘部分發生滑移,原子平面沿著一根軸線盤旋上升,每繞軸線一周,原子面...
位錯又可稱為差排(英語:dislocation),在材料科學中,指晶體材料的一種內部微觀缺陷,即原子的局部不規則排列(晶體學缺陷)。從幾何角度看,位錯屬於一種線缺陷,可視...
螺旋位錯生長機理 Screw dislocation growth mechanism非理想晶面上的電結晶機理。此理論認為,實際晶體是不完 整的,生長面l存在螺旋位錯露頭點,可以作為晶體生長的...
螺旋位錯是指位錯線與伯格斯矢量相平行的位錯。...... 螺旋位錯是指位錯線與伯格斯矢量相平行的位錯。學科:構造地質學詞目:螺旋位錯英文:screw dislocation...
位錯線(dislocationalline)是指晶體或晶格內滑移面上已滑動區的邊界線稱位錯線或位錯環。當應力超過臨界剪應力時,位錯線擴張,形成內外兩部分,外部位錯逐漸擴大,...
位錯又可稱為差排(英語:dislocation),在材料科學中,指晶體材料的一種內部微觀缺陷,即原子的局部不規則排列(晶體學缺陷)。從幾何角度看,位錯屬於一種線缺陷,可視...
位錯應變能是指位錯在晶體中引起畸變使晶體的內能增加的能量。位錯在周圍晶體中引起畸變,是晶體產生的畸變能。...
位錯是晶體中局部滑移區域的邊界線,即是晶體中的一種線缺陷;它是決定金屬等晶體力學性質的基本因素,也對晶體的其他許多性質(包括晶體生長)有著嚴重的影響。通過...
位錯能量是指位錯在晶體中引起畸變使晶體的內能增加的能量。位錯在周圍晶體中引起畸變,是晶體產生的畸變能。...
《晶體中的位錯(重排本)》是2014年出版的圖書,作者是錢臨照。...... 2.11 混合位錯2.12 螺型位錯及混合位錯的運動2.13 位錯運動的基本性質...
認為晶體在成長初期按層生長機理成長,但之後當晶格內部積蓄了內應力後,將可能導致晶格發生剪下滑移而出現螺型位錯,使得原來平整的晶格表面產生了一個局部的台階,其...
因為在高分子單晶的生長過程中,在晶體的中央處產生了一個螺旋位錯,使結晶不受限制地連續螺旋生長。V百科往期回顧 詞條統計 瀏覽次數:次 編輯次數:4次歷史版本 ...
若堆垛層錯不是發生在晶體的整個原子面上而只是部分區域存在,那么,在層錯與完整晶體的交界處就存在柏氏矢量不等於點陣矢量的不全位錯。在面心立方晶體中有兩種...
位錯源是晶體中位錯開始發生的部位。是晶體學學科之一,是晶體中位錯開。位錯可在晶體生成過程中產生,也可在晶體形成後於應力集中處開始發生。...
這個分界外,即已滑移區和未滑移區的交線,稱為位錯線。位錯有兩種基本類型:位錯線與滑移方向垂直,稱刃位錯,也稱棱位錯;位錯線與滑移方向平行,則稱螺旋位錯...
線缺陷是指在工程材料學中二維尺度很小而第三維尺度很大的缺陷。其特徵是兩個方向尺寸上很小另外兩個方向延伸較長,也稱一維缺陷,集中表現形式是位錯,由晶體中原子...
位錯,刃位錯,螺旋位錯,混合位錯;晶格缺陷面缺陷 即晶界和亞晶界。這兩種晶格缺陷都是因晶體中不同區域間的晶格位相過度造成的。...
當一顆晶粒繞垂直晶粒界面的軸旋轉微小角度,也能形成由螺旋位錯構成的扭轉小角度晶界。大角度晶界在多晶體中占多數,這時晶界上質點的排列已接近無序狀態。[2]...
另外,由於材料表面存在著大量的螺旋位錯,這些位錯也為沉積原子提供了很好的晶體生長方式一一沿螺旋位錯生長。按照這種理論,在實際生長條件下,不一定要求過電位達到成...
M. Boninsegni 等的計算機模擬則表明規則排列的缺陷如螺旋位錯可導致超固體。詞條標籤: 科技產品 , 科學 圖集 超固體圖冊 V百科往期回顧 詞條統計 瀏覽次數:...
3.2PVT法碳化矽晶體生長的螺旋位錯機制3.3氣相組分在PVT法碳化矽晶體生長研究中的地位3.4純矽氣相組分sim的穩定構型與能量3.5純碳氣相組分cn的穩定構型與能量...
一種特殊晶界,它在兩晶體之間出現輕微錯取向時產生。一個低角度晶界是由一系列平行刃型位錯組成的,如概述圖中所示,其過剩能由位錯能的總和給出。從幾何上來說...
是1949年英國晶體學家F.C.夫蘭克等提出的,其要點在於生長台階是由位錯的螺旋組成部分與結晶面相截而產生的。當原子或分子沿螺旋面生長時,台階捲成螺線而不消失,...
如果晶面沿著這些位錯生長,特別是螺旋位錯生長,就不需要建立新晶面。電結晶晶核的發生 金屬離子在電極上還原時不但可能引起原有晶面的生長,還可以生成新的晶粒...
②堆垛層錯擴張理論,這是對弗蘭克理論的一種修正方案,它構想在圍繞螺旋位錯生長的2H型基本結構中,因熱應力而引入堆垛層錯,後者藉助於螺旋生長的引導,沿底軸面...
晶體的缺陷主要有:點缺陷(包括夫倫克耳缺陷──間隙原子、肖特基缺陷──空位)和線缺陷(主要形式是邊緣位錯和螺旋位錯)。這些缺陷的存在使缺陷處的原子處於不平衡...