中文名稱 | 位錯排 |
英文名稱 | dislocation array |
定 義 | 位錯蝕坑的某一邊排列在一條直線上的位錯組態。 |
套用學科 | 材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),總論(三級學科) |
基本介紹
- 中文名:位錯排
- 外文名:dislocation array
- 一級學科:材料科學技術
- 二級學科:半導體材料
- 定 義
- 位錯蝕坑的某一邊排列在一條直線上的位錯組態。
- 套用學科
- 總論(三級學科)
中文名稱 | 位錯排 |
英文名稱 | dislocation array |
定 義 | 位錯蝕坑的某一邊排列在一條直線上的位錯組態。 |
套用學科 | 材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),總論(三級學科) |
定義 位錯蝕坑的某一邊排列在一條直線上的位錯組態。 套用學科 總論(三級學科) ...... 定義 位錯蝕坑的某一邊排列在一條直線上的位錯組態。 套用學科 材料科...
位錯密度定義為單位體積晶體中所含的位錯線的總長度,單位是1/平方厘米。位錯密度的另一個定義是:穿過單位截面積的位錯線數目,單位也是1/平方厘米。...
《位錯導論》是1990年科學出版社出版的圖書,作者是英D.赫爾 D.J.培根,譯者是丁樹深、李齊。...
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動態回復效應是金屬在熱塑性變形過程中通過熱激活,空位擴散、位錯運動(滑移、攀移)相消和位錯重排的過程。金屬在動態回復效應中往往形成胞狀組織,其大小和胞壁的...
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多邊形化一詞,最初是用來描述單晶體經受輕微的彎曲後,進行退火時所發生的情況。晶體彎曲造成了沿彎曲滑動面分布有同號的過量位錯。...