位錯的增殖機制主要有三種機制：弗蘭克-里德位錯源（Frank-Readsource）機制、雙交滑移增殖機制，和攀移增殖機制。
基本介紹
- 中文名：弗蘭克里德位錯增殖機理
- 外文名：Frank-Readsource
- 領域：材料科學
- 本質：內部微觀缺陷
位錯的增殖機制主要有三種機制：弗蘭克-里德位錯源（Frank-Readsource）機制、雙交滑移增殖機制，和攀移增殖機制。
位錯
位錯又可稱為差排（英語：dislocation），在材料科學中，指晶體材料的一種內部微觀缺陷，即原子的局部不規則排列（晶體學缺陷）。從幾何角度看，位錯屬於一種線缺陷，可視為晶體中已滑移部分與未滑移部分的分界線，其存在對材料的物理性能，尤其是力學性能，具有極大的影響。“位錯”這一概念最早由義大利數學家和物理學家維托·伏爾特拉（Vito Volterra）於1905年提出。
1.劉孝敏編著，《工程材料的微細觀結構和力學性能》，中國科學技術大學出版社，合肥，2003，ISBN7-312-01572-72.馮端、丘第榮編，《金屬物理學》第一卷《結構與缺陷》，科學出版社，北京，1987，ISBN7-03-006431-33.Honeycombe,R.W.K.,ThePlasticDeformationofMetals,1984,ISBN0-7131-2181-54.Hull,D.&Bacon,D.J.,IntroductiontoDislocations,1984,ISBN0-08-028720-4
