位錯運動遇到障礙(晶界、第二相粒子以及不動位錯等),如果其向前運動的力不能克服障礙物的力,位錯就會停在障礙物面前,由同一個位錯源放出的其他位錯也會被阻在障礙物前,這種現象稱為位錯塞積。
基本介紹
- 中文名:位錯塞積
- 外文名:dislocation block
- 學科:材料科學
- 釋文:位錯運動遇到障礙
位錯運動遇到障礙(晶界、第二相粒子以及不動位錯等),如果其向前運動的力不能克服障礙物的力,位錯就會停在障礙物面前,由同一個位錯源放出的其他位錯也會被阻在障礙物前,這種現象稱為位錯塞積。
位錯運動遇到障礙(晶界、第二相粒子以及不動位錯等),如果其向前運動的力不能克服障礙物的力,位錯就會停在障礙物面前,由同一個位錯源放出的其他位錯也會被阻在障礙物前,這種現象稱為位錯塞積。...
書末還附有兩個附錄,即位錯塞積群和平面彈性理論提要。《晶體位錯理論基礎(第二卷)》可作為大專院校金屬物理、材料科學及固體理論方面的高年級學生和研究生的教學用書或參考書,也可供有關教師及從事金屬及其他材料研究和開發的科技...
書末還附有兩個附錄,即位錯塞積群和平而彈性理論提要。圖書目錄 《凝聚態物理學叢書》出版說明 葛庭燧、馮端 序言 錢臨照 第十二章 點缺陷及其與位錯的平衡 (1)§12.1 概述 (1)§12.2 點缺陷的彈性模型 (3)§12.3 點...
在一般的具有中等的或較低的堆垛層錯能的金屬中(如銅、銀、金等),利用電子顯微鏡觀察不到位錯塞積群,但是卻可以觀察到形成複雜的位錯網路。在具有極低的堆垛層錯能的金屬中(如奧氏體鋼,α-黃銅、鋁青銅合金等),我們可以觀測...
位錯網 位錯網(dislocation network)是2019年公布的冶金學名詞。定義 由於位錯塞積和交滑移等原因形成的網路式結構。出處 《冶金學名詞》第二版。
因此,從微觀角度來講,造成某種障礙用以阻礙位錯運動是提高金屬疲勞壽命的本質。疲勞強度的提高需要位錯阻力的增加,這種阻力主要來自以下幾個方面:1、位錯塞積 滑移過程中,在同一滑移面上許多同號位錯在受到晶界等障礙前堆積而形成的一...
當外部應力不超過臨界切應力TC時,兩個在平行滑移面上相向運動的異號刃型位錯,停留在彼此分開一定距離處。這些位錯將阻止在其後面運動的其他位錯而造成位錯塞積,塞積位錯將抑制在鄰近面上位錯的滑移並促使出現新的塞積,結果逐漸形成...
在大多數金屬中,通常首先出現滑稱,然後藉助於在位錯塞積群處存在的極高的應力英中而產生孿晶核。由於使孿晶傳播所需的應力比使它成核所需的應力要低得多,所以孿晶一旦形成,則只要分切應力高於某一臨界值,孿晶便可以傳播。通過其...
常規成分的高錳鋼的形變硬化層中常可以看到高密度位錯、位錯塞積和纏結。ε馬氏體和形變孿晶的出現使鋼難以變形,尤其是後者的作用更大。上述各種因素都使高錳鋼的硬化層得到很高程度的強化,硬度大幅度提高。高錳鋼極易加工硬化,因而...
pileup,英語單詞,主要用作名詞,作名詞時譯為“連環相撞;堆積”。短語搭配 fixture pileup 夾具堆積 ; 已夾具 pileup rejection 脈衝堆積 dislocation pileup 位錯塞積 as pileup 砷的堆積 naturally pileup 自然堆存 pileup effect...
第三章 晶體位錯 §3.1 位錯的基本概念 §3.2 位錯的彈性應力場 §3.3 作用在位錯線上的力 §3.4 位錯的增殖與互動作用 §3.5 位錯塞積 §3.6 晶界模型 第四章 晶體塑性理論 §4.1 有限變形的幾何學和運動學 §...
第三章 晶體位錯 §3.1 位錯的基本概念 §3.2 位錯的彈性應力場 §3.3 作用在位錯線上的力 §3.4 位錯的增殖與互動作用 §3.5 位錯塞積 §3.6 晶界模型 第四章 晶體塑性理論 §4.1 有限變形的幾何學和運動學 §...
2、安塞爾一勒尼爾機理:安塞爾(G.S.Ansell)等人對彌散強化合金的屈服提出了另一個位錯模型。他們把由於位錯塞積引起的彌散第二相粒子斷裂作為屈服的判據。當粒子上的切應力等於彌散粒子的斷裂應力時,彌散強化合金便屈服。
3.2.1 位錯理論發展的簡述 3.2.2 位錯的幾何特徵 3.2.3 位錯的觀察 3.2.4 位錯的彈性性質 3.2.5 作用在位錯線上的力 3.2.6 位錯運動 3.2.7 位錯的起源和增殖 3.2.8 位錯塞積群 3.2.9 典型晶體...
根據位錯理論,晶界是位錯運動的障礙,在外力作用下,為了在相鄰晶粒產生切變變形,晶界處必須產生足夠大的應力集中,細化晶粒可以產生更多的晶界,如果晶界結構未發生變化,則需施加更大的外力才能產生位錯塞積, 從而使材料強化。Hall-Petch 公式...
微孔聚合型斷裂過程是在外力作用下,在夾雜物、第二相粒子與基體的界面處,或在晶界、相界、大量位錯塞積處形成微裂紋,因相鄰微裂紋的聚合產生可見微孔洞,以後孔洞長大、增殖,最後連線形成斷裂。用電鏡觀察到的斷口被稱為韌窩的微孔...
《基於多尺度熱點機制的顆粒炸藥衝擊起爆模型研究》是依託北京理工大學,由吳艷青擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 為獲取含能材料反應起爆對材料不同層次微結構及微缺陷的敏感性機理,本項目考慮了含能晶體的晶格位錯塞積-解理...
在位錯塞積產生的應力集中和洛倫茲力的共同作用下,使滲碳體的界面能增加,促使滲碳體分解。隨著原子的擴散能力增加和相變勢壘的減小,擴散激活能隨之減小,使石墨的形核孕育期縮短。而滲碳體周圍的位錯塞積處增加的形核位置同時可容納...
晶體強化機制的實質就是阻止晶體中位錯的運動。在變形晶體滑移面上的位錯,往往成列地塞積在晶界或亞一晶界前,形成位錯塞積群。在雜質、第二相顆粒或不動位錯之前也會發生位錯塞積現象。位錯塞積群是位錯在運動中遇到阻礙,外力又不足...
本書從材料學角度研究了絕熱剪下帶的分類及形成機理,提出了位錯塞積崩塌的絕熱剪下形成機理;研究了連續梯度材料中絕熱剪下特性,提出了剪下帶孕育區和發散的觀點。本書適用於關注材料研究工作的科研人員、軍工企業研發人員,以及軍工院校材料...
滑移至晶界前的位錯被晶界阻擋。這樣一個晶粒的塑性變形就無法直接傳播到相鄰的晶粒中去,且造成塑變晶粒內位錯塞積。在外力作用下,晶界上的位錯塞積產生一個應力場,可以作為激活相鄰晶粒內位錯源開動的驅動力。通過細化晶粒而使金屬...
3.3.2壓痕裂紋成核的位錯塞積模型99 3.4半餅狀壓痕裂紋系統的應力場強度101 3.4.1壓痕裂紋系統應力場強度的點力近似解101 3.4.2半餅狀裂紋的生長及其平衡條件104 3.4.3點力近似解對Knoop 裂紋系統的適用性106 3.5 壓痕裂紋...
領先位錯運動受阻,後面的位錯不能繼續前進,塞積列中第i個位錯距障礙物的距離與(i-1)成正比。因此塞積列中愈靠近障礙物的位錯間距愈小。n條位錯所構成的位錯塞積列在晶界間隙相或晶內第二相障礙上所產生的力比外應力擴大n倍。於...
由位錯列構成的小角度晶界的應力場可用位錯理論算出,它在晶界面上有極大值,並急劇下降,故是一種短程應力。另一層含義是指作用在晶界面上的外應力或其它內應力源的內應力(如位錯塞積在晶界)。高溫蠕變時,作用在晶界面上的切應力...
階段Ⅰ的強化可以認為是通過形成位錯偶使大量位錯受到羈絆而阻滯,但是偶中正負號位錯的長程應力場在很大程度上互相抵銷,因而位錯偶只提供很小的阻止位錯運動的應力場,導致階段Ⅰ的強化效應微弱。階段Ⅱ的強化模型很多,如位錯塞積群長程...
冷拔時金屬發生塑性變形,晶體內部有多個滑移系啟動,位錯運動彼此攔截,許多位錯被釘扎住,造成位錯塞積,同時位錯源停止動作。上述一系列過程導致了位錯的可動性降低,晶體中的位錯密度顯著增加。當塑性變形進一步發生,應力增加並足以使釘...
以上沒有考慮局部位錯塞積處應力的弛豫。高溫合金穩態蠕變空洞形核的臨界時間 設位錯的攀移速度為v,則穩態蠕變速率為:ε=bpv 考慮一根位錯線L,其Burgers矢量b與位錯線間的夾角為Χ,其滑移面為P,攀移面為Q。設長為l的一小段位錯...
試驗盤力學性能已達到或超過美國相應材料的力學性能指標。課題組還在細觀尺度上研究了空洞的形核、生長和串接,對位錯塞積、位錯攀移、表面擴散等情形分別進行了分析研究,得到一些有用成果。項目組共發表學術論文16篇,其中國外刊物7篇。
7.2位錯反應 7.3Thompson四面體 7.4面心立方結構晶體中的位錯反應 第8章晶體中位錯的點陣模型 8.1P-N位錯模型 8.2P-N位錯的應力場 8.3P-N位錯的能量 第9章細晶強化 9.1界面熱力學 9.2位錯塞積和塞積位錯的應力場 9...