品牌簡介
高通公司的數據機為全球的消費級和企業級終端提供
3G/4G-LTE連線,並已成為包括
智慧型手機、
平板電腦、
超極本、
數據卡、移動路由器、USB無線上網設備、用戶端設備(CPEs)以及如智慧型汽車、能源及家居等物聯網套用在內的諸多終端設備的領先解決方案。
旗下產品
| 3G
| 3G+/4G
| 4G LTE
| 4G LTE Advanced
|
| HSPA+ Rel7 1x/DO GSM/EDGE
| HSPA+ Rel8/9 GSM/EDGE
| LTE Rel9 HSPA+ Rel 8 1x/DO TD-SCDMA GSM/EDGE
| LTE Rel10 HSPA+ Rel10 1x/DO TD-SCDMA GSM/EDGE
|
最高數據傳輸速率
| 最高達21 Mbps
| 最高達84 Mbps
| 最高達100 Mbps
| 最高達150 Mbps
|
套用處理器(AP)
| 支持外部AP
| 支持外部AP
| 集成
| 集成
|
語音
| Yes
| Yes*
| Yes*
| Yes
|
| 支持外部Wi-Fi
| Soft Access Point
| Soft Access Point
| Soft Access Point
|
GPS
| Yes
| Yes
| Yes
| Yes
|
USB
| Yes
| Yes
| Yes
| Yes
|
晶片型號
| MDM6085 MDM6270 MDM6200 MDM6600 MDM8200A QSC6270 QSC1105
| MDM8220 MDM8215 MDM8225
| MDM9600 MDM9615 MDM9200 MDM9215
| MDM9625 MDM9225
|
Gobi LTE晶片組
目前,在4G LTE支持方面,Gobi LTE晶片組處於全球領先,已經推出第三代產品。Gobi晶片組強調高集成度和多模多頻支持,能以單一晶片支持所有3G和4G制式。除支持全蜂窩模式外,Gobi晶片組同時集成語音、數據、藍牙、Wi-Fi、定位以及安全功能,從而使得這些晶片組成為套用廣泛的全面的解決方案。
Gobi第一代4G/LTE晶片組MDM9x00提供了全球首款集成的LTE/3G數據機,包括:支持
UMTS、HSPA+ 和 LTE的MDM9200™ 晶片組;支持
EV-DO版本 B、UMB和LTE的MDM9800™晶片組;支持UMTS、HSPA+、EV-DO版本B、UMB和LTE的MDM9600™晶片組。所有三款MDM9x00系列晶片組將提供完全的後向兼容能力,支持FDD 和TDD雙工模式和各種載波頻寬,並能夠支持高達50 Mbps的峰值下行速率和25 Mbps的峰值上行速率。使用第一代Gobi LTE晶片組的商用終端在2010年開始上市。
高通Gobi第二代LTE晶片包括Gobi MDM9x15數據機,支持
LTE(
FDD和TDD)、
HSPA+、雙載波HSPA+、CDMA2000®1xEV-DO版本A、版本B和
TD-SCDMA。這些晶片組將採用28納米節點技術製造,與上一代LTE解決方案相比,MDM9x15晶片組功耗減少30%,印製電路板面積縮小30%,從而使終端外形更小更薄。與此同時,這款多模晶片組支持 LTE TDD與DC-HSDPA網路之間的無縫連線,使終端可以在本地或全球範圍內與最高速的3G 或 4G/LTE網路實現連線。集成MDM9x15的SoC包括驍龍S4 MSM8960等,商用終端在2012年開始上市。
Gobi第三代LTE晶片包括Gobi MDM9x25數據機,除了同時支持LTE增強型(LTE版本10)和HSPA+版本10(包括84 Mbps的雙載波HSDPA),還向後兼容其它標準,包括EV-DO增強型、TD-SCDMA和GSM。這兩款晶片組將業界唯一可整合7種不同無線電接入模式的數據機集成到了一款單基帶晶片上,其中包括:CDMA2000(1X、DO)、GSM/EDGE、UMTS(WCDMA、TD-SCDMA)以及LTE(LTE-FDD 和 LTE-TDD)。這使得OEM廠商可以設計出能夠在全球各地日益多樣化的無線電網路上部署和配置的各種移動終端。2012年11月,第三代高通Gobi LTE晶片開始出樣。
MDM9x25晶片組是首批支持LTE載波聚合技術的真正LTECategory 4的晶片組,數據傳輸速率高達150 Mbps。