deposition是一個英語單詞,名詞,意為“沉積物;礦床;革職;[律](在法庭上的)宣誓作證,證詞”。
基本介紹
- 外文名:deposition
- 英式發音:[ˌdepə'zɪʃn]
- 美式發音:[ˌdepə'zɪʃn]
- 詞性:名詞
deposition是一個英語單詞,名詞,意為“沉積物;礦床;革職;[律](在法庭上的)宣誓作證,證詞”。
Because of the deposition time and the degree of silicification of different bedding structure very different form, Qianceng stone to jade ancient depositional age.因其沉積年代及矽化程度的不同,形成的層理結構迥然有異,沉積...
單原子層沉積(atomic layer deposition,ALD),又稱原子層沉積或原子層外延(atomic layer epitaxy) ,最初是由芬蘭科學家提出並用於多晶螢光材料ZnS:Mn以及非晶Al₂O₃絕緣膜的研製,這些材料是用於平板顯示器。由於這一工藝涉及...
物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)技術是指在真空條件下採用物理方法將材料源(固體或液體)表面氣化成氣態原子或分子,或部分電離成離子,並通過低壓氣體(或電漿)過程,在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術, 物理...
薄膜澱積 薄膜澱積(thin film deposition)是1993年公布的電子學名詞。公布時間 1993年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電子學名詞》第一版。
雷射澱積 雷射澱積(laser deposition)是1993年公布的電子學名詞。公布時間 1993年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電子學名詞》第一版。
化學沉積是利用一種合適的還原劑使鍍液中的金屬離子還原並沉積在基體表面上的化學還原過程。與電化學沉積不同, 化學沉積不需要整流電源和陽極。化學沉積具有化學氣相沉積和液相沉積兩種模式。化學氣相沉積CVD (Chemical Vapor Deposition)是...
脈衝雷射沉積(Pulsed Laser Deposition,PLD),也被稱為脈衝雷射燒蝕(pulsed laser ablation,PLA),是一種利用雷射對物體進行轟擊,然後將轟擊出來的物質沉澱在不同的襯底上,得到沉澱或者薄膜的一種手段。簡介 隨著現代科學和技術的...
化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition 簡稱CVD) 是利用氣態或蒸汽態的物質在氣相或氣固界面上發生反應生成固態沉積物的過程。過程 化學氣相沉積過程分為三個重要階段:反應氣體向基體表面擴散、反應氣體吸附於基體表面、在基體表面上發生...
沉積—沉澱法(Deposition-precipitation,簡稱DP法)是將需負載的目的金屬(通常為貴金屬)溶液添加至載體(通常為金屬氧化物顆粒)懸濁液中,形成混合均勻的懸浮液,在充分攪拌的條件下,控制一定的溫度和pH值,使目的金屬沉積在載體表面上...
離子束澱積 離子束澱積(ion beam deposition)是1993年公布的電子學名詞。公布時間 1993年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電子學名詞》第一版。
掠射角沉積,GLAD(Glancing Angle Deposition)又可稱為 傾斜角沉積,是一種獲得專利的薄膜沉積的過程。由Young 和 Kowal在1959年首次提出,M. Brett and K. Robbie在1998年首次製備成功。 主要原理是吸附原子擴散和核子的影蔽效應。
當金屬原子在異種金屬電極表面上還原時,有時可以觀察到當電極電勢還顯著地正於沉積金屬的標準平衡電勢時金屬離子就能在基底上還原,生成單原子厚度的沉積層,這種現象稱為金屬離子的“欠電勢沉積”(underpotential deposition,簡稱UPD)。簡介...
物理汽相澱積 物理汽相澱積(physical vapor deposition)是1993年公布的電子學名詞。公布時間 1993年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電子學名詞》第一版。
csd,全稱是Chemical Solution Deposition,是指化學溶液沉積法製備薄膜。外文名 Chemical Solution Deposition 簡稱 csd 其定義是薄膜製備過程中,基片與溶液接觸,利用化學反應或電化學反應等在基片表面沉積薄膜的製備方法 。主要包括溶膠-凝膠(...