物理汽相澱積(physical vapor deposition)是1993年公布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名:物理氣相沉積
- 外文名:physical vapor deposition
- 所屬學科:電子學
- 公布時間:1993年
物理汽相澱積(physical vapor deposition)是1993年公布的電子學名詞。
澱積這層種子層最常用的方法就是採用物理氣相澱積(PVD)技術來澱積一層銅,而採用這種PVD方法存在的問題就是電鍍銅層對勢壘層和種子層的台階覆蓋情況會比較差。為了緩解這個問題,已經開發了一些先進的PVD工藝技術來改善台階覆蓋效果。其中...
聚對二甲苯的物理氣相澱積是在真空腔中實施的,進入氣化室時呈顆粒狀。以C型聚對二甲苯為標準,溫度逐漸升高到150%C,這是二聚體的初始溫度。接著,聚對二甲苯被熱解使其二聚體裂成單自由基對二甲苯(650℃)。在澱積室內(25℃),單體...
分子束外延是一種超高真空條件下的物理氣相澱積方法。其工作原理是在超高真空系統中,使分子或原子束連續不斷地撞擊到被加熱的襯底表面上而獲得均勻外延 層。在分子束外延過程中,各種成分的束強度可以分別控制。分子束外延的特點是生長...
制膜的方法有很多,如蒸鍍、濺射等物理氣相澱積法(PVD)、化學氣相澱積法(CVD)以及外延和氧化等。其中CVD是微電子加工技術中最常用的薄膜製作技術之一,它是在受控氣相條件下,通過氣體在加熱基板上反應或分解使其生成物澱積到基板上...
全書共十章,其中第一章簡單地講述了矽的晶體結構,第二章到第九章分別講述了矽積體電路製造中的基本單項工藝,包括氧化、擴散、離子注入、物理氣相澱積、化學氣相澱積、外延、光刻與刻蝕、金屬化與多層互連,最後一章講述的是工藝集成。...
第7章 薄膜澱積設備140 7.1 原理介紹140 7.1.1 物理氣相澱積141 7.1.2 化學氣相澱積146 7.2 設備發展155 7.2.1 物理氣相澱積設備155 7.2.2 化學氣相澱積設備156 7.3 國內外市場分析157 7.3.1 薄膜澱積設備市場概述157 ...
2.3 化學氣相澱積(CVD)薄膜製備 2.3.1 化學氣相澱積的基本概念 2.3.2 幾種主要薄膜的化學氣相澱積 2.3.3 外延技術 2.4 物理氣相澱積(PVD)薄膜製備 2.4.1 蒸發 2.4.2 濺射 本章小結 思考與習題2 第3章 光刻 本章...
25物理氣相澱積98 251工藝概述98 252濺射澱積矽99 253濺射澱積碳化矽100 254濺射澱積SiO2101 255濺射澱積類金剛石碳(DLC)101 256脈衝雷射澱積(PLD)碳薄膜102 26原子層澱積102 261...
第五章 物理氣相澱積 第六章 化學氣相澱積 第七章 外延 第八章 光刻工藝 第九章 金屬化與多層互聯 第十章 工藝集成 第十一章 薄膜電晶體製造工藝 作者簡介 關旭東,北京大學信息學院微電子系 職稱:教授 研究方向:矽積體電路的設計...