X射線螢光分析儀誕生至今，已發展到第三代。
X 射線螢光光譜儀的不斷完善和發展所帶動的X 射線螢光分析技術已被廣泛用於冶金、地質、礦物、石油、化工、生物、醫療、刑偵、考古等諸多部門和領域。X 射線螢光光譜分析不僅成為對其物質的化學元素、物相、化學立體結構、物證材料進行試測，對產品和材料質量進行無損檢測，對人體進行醫檢和微電路的光刻檢驗等的重要分析手段，也是材料科學、生命科學、環境科學等普遍採用的一種快速、準確而又經濟的多元素分析方法。同時，X 射線螢光光譜儀也是野外現場分析和過程控制分析等方面首選儀器之一。
基本介紹
- 中文名：X射線螢光分析儀
- 檢出下限：Cd/Pb/Hg/Br/Cr≤5ppm
- 樣品形狀：最大460×380mm(高150mm)
- 適用對象：塑膠/金屬/紙/塗料/油墨/液體
產品特點,技術參數,
產品特點
1、在測定微量成分時，由於X射線管的連續X射線所產生的散射線會產生較大的背景，致使目標峰的觀測比較困難。為了降低或消除背景和特徵譜線等的散射X射線對高靈敏度分析的影響，此螢光分析儀配置了4種可自動切換的濾光片，有效地降低了背景和散射X射線的干擾，調整出最具感度的輻射，進一步提高了S/N的比值，從而可以進行更高靈敏度的微量分析。
2、X射線管的連續X射線所產生的散射線會產生較大的背景，軟體可自動過濾背景對分析結果的干擾，
從而能確保對任何塑膠樣品的進行快速準確的分析。
3、當某些元素的電子由高等級向低等級越遷時釋放的能量相近，會使此時譜圖的波峰重疊在一起，由
此產生了重疊峰。SCIENSCOPE自行開發的軟體自動剝離重疊峰，確保了元素分析的正確性。
4、逃逸峰：由於採用的是Si針半導體探測器，因此當X射線螢光在通過探測器的時候，如果某種元素
的含量較高或者能量較高，其被Si吸收的機率也就越大。此時，光譜圖中在該元素的能量
值減去Si能量值的地方回產生一個峰，此峰即為逃逸峰。
5、在電壓不穩的情況下，可對掃描譜圖的漂移進行自動追蹤補償。
技術參數
分析原理 | 能量色散X射線螢光分析法 | ||
分析元素 | Si～U（Cd/Pb/Cr/Hg/Br高精度型） | ||
Na～U(任選：φ1.2mm/φ0.1mm切換方式型） | |||
樣品室氣氛 | 大氣 | ||
X射線管 | 靶材 | Rh | |
管電壓 | 最大50KV | ||
管電流 | 最大1mA | ||
X射線照射徑 | 1/3/5mm | ||
防護 | <0.1mR/Hr (輻射低於電腦螢幕） | ||
檢測器 | 矽SIPIN探測器 | ||
光學圖像觀察 | 倍率15倍 | ||
軟體 | 定性分析：自動定性（自動去背景/自動剝離重疊峰/自動補償逃逸峰/自動補償譜圖漂移） | ||
照射徑：1/3/5mm | |||
定量分析：基礎參數法/標準法/1點校正 | |||
計算機 | CPU | PentiumIV1.8GHz以上 | |
記憶體 | 256MB以上 | ||
硬碟 | 20GB以上 | ||
OS | WindowXP | ||
監視器 | 17寸LCD | ||
周圍溫度 | 10～35C（性能溫度）/5～40C（動作溫度） | ||
周圍濕度 | 5～31C時溫度範圍：最大相對濕度80%以下 /31～40C時溫度範圍：相對濕度50%以下 | ||
電源 | AC110V/220V±10%、50/60HZ | ||
消耗電力 | 1.3KVA以下（含計算機、LCD、印表機） | ||
設備重量 | 約65kg(不含桌子、計算機） | ||
外形寸法 | 600（W）×545（D）×435（H）mm | ||
