《MOS大規模集成技術》是1984年科學出版社出版的圖書,作者是清華大學微電子學研究所。
基本介紹
- 中文名:MOS大規模集成技術
- 作者:清華大學微電子學研究所
- 出版時間:1984年11月
- 出版社:科學出版社
- 書號:15031605
《MOS大規模集成技術》是1984年科學出版社出版的圖書,作者是清華大學微電子學研究所。
可以說,清華的半導體車間成為了我國MOS集成技術最早的發源地。在成功開發、推廣中小規模MOS數控系列電路的基礎上,半導體車間又進一步向中大規模MOS積體電路進軍,先後研製成功050台式計算機(器)全套電路,2240位96字元發生器和1KDRAM等多種...
MOS大規模集成技術的進展 MOS技術用於模擬積體電路的潛力 超大規模積體電路對微處理器發展、套用和系統設計的影響 超大規模集成技術向長途通信系統提出的挑戰 用於電話學中的積體電路 100ns單5V電源64K×1 MOS 動態 RAM 容錯的64K動態隨機...
TTL 數字集成電路是利用電子和空穴兩種載流子導電的,所以又叫做雙極性電路。MOS 數字積體電路是只用一種載流子導電的電路,其中用電子導電的稱為NMOS 電路;用空穴導電的稱為PMOS 電路:如果是用NMOS 及PMOS 複合起來組成的電路,則稱為...
《MOS大規模集成電路設計導論》是1990年科學出版社出版的圖書,作者是J.馬弗。內容簡介 本書系統地介紹了MOS大規模積體電路的設計原理和設計技術。內容側重於NMOS和CMOS矽柵電路。本書共八章,第一、二章為大規模積體電路設計概述及MOS...
電晶體自對準技術,這是製作MOS大規模集成電路的一種重要工藝技術。採用該技術即可減小其中MOSFET的寄生電容,大大提高工作頻率和速度。(1)問題的提出:對於增強型MOSFET,如果柵電極與源/漏區域之間存在有間隙的話,則器件工作時溝道就...
《大規模集成電路原理與設計》是2010年01月機械工業出版社出版的圖書,作者是甘學溫,王源。簡介 《大規模積體電路原理與設計》本著從簡單到複雜的循序漸進的原則,先從構成積體電路的主要器件MOS場效應電晶體的基本工作原理開始,再深入...
本書介紹了MOS數字大規模的集成電路、子系統、系統的設計方法,並給出了設計實例。圖書目錄 目錄 第一章 微電子學回顧及MOS技術概況 第二章 MOS電路的基本電學特性 第三章 MOS電路設計過程 第四章 基本的積體電路概念 第五章 子系統...
厚膜和薄膜電路與單片集成電路相比,各有特點,互為補充。厚膜電路主要套用於大功率領域;而薄膜電路則主要在高頻率、高精度方面發展其套用領域。單片積體電路技術和混合積體電路技術的相互滲透和結合,發展特大規模和全功能積體電路系統,...
《大規模集成電路設計》是2005年高等教育出版社出版的圖書,作者是陳貴燦。內容簡介 《大規模積體電路設計》根據SOC設計的基礎知識和電路技術的新發展,系統地介紹模擬積體電路與數字積體電路中各種功能模組的原理、分析與設計。內容包括:MOS...
然後根據電路晶片工藝剖面結構和製造技術,介紹了40餘種典型積體電路製造技術,並描繪出工藝製程中各個工序的平面結構和工藝剖面結構。《MOS集成電路結構與製造技術》技術含量高,非常實用,可作為從事MOS積體電路設計、製造等方面工程技術人員...
本書可供從事大規模和超大規模集成電路研製和生產的研究人員、工程技術人員及大專院校有關專業師生、研究生參考.圖書目錄 目錄 第一章 MOS型大規模積體電路的製造技術 第二章 光學光刻原理 第三章 亞微米光刻的解析度極限 第四章 製造...
MCBiCMOS結構良好的電路性能和占用較小晶片面積使其更適合於製作大規模、高性能的專用集成電路。BiCMOS 技術在高密度存儲器中的套用 高密度存儲器的存取時間由整個存取路徑決定,因為存儲器陣列本身是這路徑的獨一元件。在MOS存儲器外 圍...
《新型MOS功率器件和智慧型功率集成電路》是依託電子科技大學,由陳星弼擔任醒目負責人的重點項目。項目摘要 提出“複合緩衝層耐壓結構”獲美國及中國發明專利及國家發明獎。此結構使MOS類器件耐壓層導通電阻與擊穿電壓關係打破過去的極限理論。...
《MOS集成電路工藝與製造技術》是2012年上海科學技術出版社出版的圖書,作者是潘桂忠。內容簡介 本書編著者潘桂忠。 《MOS積體電路工藝與製造技術》內容系統地介紹了矽積體電路製造技術中的基礎工藝,內容包括矽襯底與清洗、氧化、擴散、...
數字超大規模集成電路設計課程共十章,涵蓋納米和深亞微米CMOS工藝條件、系統級集成水平下的數字電路原理和設計技術兩部分內容。第一章介紹積體電路技術等知識點;第二章講述MOS管溫度特性等內容;第三章介紹反相器的電壓傳輸特性等知識點;...
同時開發出3微米和1微米成套工藝技術。指導並發明半導體紅外高速退火技術和設備。學術論著 截至2016年11月,李志堅主編出版了《半導體材料矽》《MOS大規模集成技術》《微電子技術中的MOS物理》等書,在中國國內外發表了論文200餘篇。MOS大...
這種技術特別適用於 MOS工藝(見開關電容濾波器)。另一方面,由於套用模擬採樣技術,採用 MOS工藝已能制出高穩定度的運算放大器和高精度的數-模與模-數轉換器。這兩種技術的結合,為模擬信息處理和通信設備分系統的大規模集成技術開 辟...
《MOS集成電路的分析與設計》是復旦大學出版社出版的圖書,作者是邵丙銑等。內容介紹 本書是作者將自己長期從事的積體電路開發研究工作和教學積累相結合的產物,成書之前曾作為講義試用過10多年,並且經過逐年修訂補充才逐步形成的。全書分...
梁竹關、趙東風編著的《MOS管集成電路設計》根據積體電路沒計的特點,結合積體電路製造和封裝測試的有關知識和技術,系統介紹了MOS管積體電路設計的有關基礎理論知識、半導體積體電路基本加工工藝和設計規則、MOS管積體電路版圖設計的一些方法...
場效應管(fet)是電場效應控制電流大小的單極型半導體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小,具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩定性好、製造工藝簡單等特點,在大規模和超大規模集成電路中被套用。場效應器件憑藉其低功耗、性能穩定、抗...
②MOS場效應管(用金屬-氧化物-半導體構成柵極,見金屬-絕緣體-半導體系統);③MES場效應管(用金屬與半導體接觸構成柵極);其中MOS場效應管使用最廣泛。尤其在大規模積體電路的發展中,MOS大規模集成電路具有特殊的優越性。MES場效應管...
語音識別系統中套用已很普遍;高頻開關電容濾波器已用於彩色電視接收機中,更高頻率的套用以及開關電容電路的非濾波運用一直是人們關心的問題,幾年來有很大發展。開關電容技術已是模擬集成電路家族中的重要成員。
金屬-絕緣體-半導體系統(簡寫為 MIS)系統的三層結構如圖1所示。如絕緣層採用氧化物,則稱為金屬-氧化物-半導體(簡寫為MOS)系統。矽片上生長一層薄氧化膜後再覆蓋一層鋁,就是最常見的MOS結構。60年代以來MIS系統無論在技術套用...
1962年,第一次成功地在矽表面上用SiO2作絕緣層製成了金屬-氧化物-半導體結構的絕緣柵場效應電晶體,簡稱MOS電晶體,為發展大規模集成電路提供了技術基礎。分類和套用 從器件結構來看,固態電子器件大致可分為二端器件和三端器件兩大...