《新型MOS功率器件和智慧型功率積體電路》是依託電子科技大學,由陳星弼擔任醒目負責人的重點項目。
基本介紹
- 中文名：新型MOS功率器件和智慧型功率積體電路
- 依託單位：電子科技大學
- 項目類別：重點項目
- 項目負責人：陳星弼
- 批准號：69136010
- 申請代碼：F0404
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：1992-01-01 至 1996-12-31
- 支持經費：60（萬元）
項目摘要
提出“複合緩衝層耐壓結構”獲美國及中國發明專利及國家發明獎。此結構使MOS類器件耐壓層導通電阻與擊穿電壓關係打破過去的極限理論。又發明了“異型摻雜島”和“表面耐壓層新結構”，分別可使縱向及橫向器件的擊穿電壓提高、導通電阻下降。且橫向器件可以和CMOS及BiCMOS工藝兼容。做出了250V/1A高壓LD SENSFET及含此器件的智慧型功率積體電路。完成了1，1GBT的綱絡模型和閉鎖特性的近似表達式及分析設計用軟體及BSIT的CAD程式。製成關斷能力為150A/cm(2)的MCT及三種新結構EST（相當於國外九十年代初水平）。做出了60V/45A及250V/35A的RMOST。改進了SDB工藝並完成了SDB檢測方法。
