基本介紹
- 外文名：Monolithic Microwave Integrated Circuit
- 簡稱：MMIC
- 構成：低噪聲放大器、功率放大器
- 特點：電路損耗小、噪聲低、頻頻寬
簡介,相關技術,技術難點,國外概況,影響,概況,
簡介
單片微波積體電路，即MMIC是Monolithic Microwave Integrated Circuit的縮寫，它包括多種功能電路，如低噪聲放大器（LNA）、功率放大器、混頻器、上變頻器、檢波器、調製器、壓控振盪器（VCO）、移相器、開關、MMIC收發前端，甚至整個發射/接收（T/R）組件（收發系統）。由於MMIC的襯底材料（如GaAs、InP）的電子遷移率較高、禁頻寬度寬、工作溫度範圍大、微波傳輸性能好，所以MMIC具有電路損耗小、噪聲低、頻頻寬、動態範圍大、功率大、附加效率高、抗電磁輻射能力強等特點。
相關技術
技術難點
1. GaAs、InP大直徑單晶和高性能HEMT、PHEMT、InP HEMT中材料製備。
2. 深亞微米精細結構製備
3. CAD和CAT技術
4. 封裝技術
國外概況
自1974年，美國的Plessey公司用GaAs FET作為有源器件，GaAs半絕緣襯底作為載體，研製成功世界上第一塊MMIC放大器以來，在軍事套用（包括智慧型武器、雷達、通信和電子戰等方面）的推動下，MMIC的發展十分迅速。80年代，隨著分子束外延、金屬有機物化學汽相澱積技術（MOCVD）和深亞微米加工技術的發展和進步，MMIC發展迅速。1980年由Thomson-CSF和Fujitsu兩公司實驗室研製出高電子遷移率電晶體（HEMT），在材料結構上得到了不斷的突破和創新。1985年Maselink用性能更好的InGaAs溝道製成的贗配HEMT（PHEMT），使HEMT向更調頻率更低噪聲方向發展。繼HEMT之後，1984年用GaAlAs/GaAs異質結取代矽雙極電晶體中的P-N結，研製成功了頻率特性和速度特性更優異的異質結雙極電晶體（HBT）和HBT MMIC。由於InP材料具有高飽和電子遷移率、高擊穿電場、良好的熱導率、InP基的晶格匹配HEMT，其性能比GaAs基更為優越，隨著InP單晶的製備取得進展，InP基的HEMT、PHEMT、MMIC性能也得到很大的提高。 微波單片積體電路具有電路損耗小、噪聲低、頻頻寬、動態範圍大、功率大、附加效率高等一系列優點，並可縮小的電子設備體積、重量減輕、價格也降低不少，這對軍用電子裝備和民用電子產品都十分重要。美國、日本、西歐都把MMIC作為國家發展戰略的核心，競相投入大量的人力、物力，展開激烈的競爭。 80年代中期以前的MMIC，頻率一般在40GHz以下，器件是採用柵長為0.5mm左右的GaAs 金屬半導體場效應電晶體（MESFET）。在低噪聲MMIC領域的先進水平都被HEMT、PHEMT和飛速發展的InP HEMT所取代，InP基HEMT的最佳性能是fT為340GHz，fmax為600GHz。低噪聲MMIC放大器的典型水平為29～34GHz下，2級LNA噪聲為1.7dB，增益為17dB；92～96GHz，3級LNA噪聲為3.3dB，增益為20dB；153～155GHz，3級低LNA增益為12dB。 美國TRW公司已研製成功MMIC功率放大器晶片，Ka波段輸出功率為3.5W，相關功率增益11.5dB，功率附加效率為20%，60GHz的MMIC輸出功率為300mW，效率22%，94GHz採用0.1mm AlGaAs/InGaAs/GaAs T型柵功率二級MMIC，最大輸出功率300mW，最高功率附加效率為10.5%。 HP公司研製了6～20GHz單片行波功率放大器，帶內最小增益為11dB，帶內不平坦度為±0.5dB，20GHz處1dB壓縮點輸出功率達24dB。Raythem. Samvng及Motorola聯合開發的X-Ku波段，MMIC單片輸出功率達3.5W，最大功率附加效率為49.5%。 西屋公司研製成功直流-16GHz，6位數字衰減器MMIC，16GHz插損小於5dB。 日本三菱電器公司研製的大功率多柵條AlGaAs/GaAs HBT，在12GHz下功率附加效率為72%；NEC公司開發的26GHz AlGaAs/GaAs大功率HBT器件達到了目前最高輸出功率（740mW）和功率附加效率（42%）。
MMIC發展中的里程碑
日期 | 器件 | 頻帶 | 器件基礎 | |||||
Si | GaAs | InP | FET | HEMT | HBT | |||
1965 | PIN switch | X | · | |||||
1968 | Mixer/Oscillator | V | · | |||||
1974 | Low-power amplifier | X | · | · | ||||
1978-79 | Power amplifier | X | · | · | ||||
Low-power amplifier | K | · | · | |||||
1980 | Switches | X | · | · | ||||
1981 | Traveling-wave amplifier | X | · | · | ||||
T/R module(multi-chip) | X | · | · | |||||
1982 | Phase shifter | X | · | · | ||||
1984 | T/R module(single chip) | X | · | · | ||||
DBS receiver | X | · | · | |||||
1986 | Power amplifier | Q | · | · | ||||
1987 | Multi-octave switch | DC-Q | · | · | ||||
1988 | Low-noise amplifier | V | · | · | ||||
1989 | Power amplifier | X | · | · | ||||
Power amplifiers | X, I-J | · | · | |||||
1990 | Multi-octave TWA | 5-100GHz | · | · | ||||
1992 | LNA/power amplifier | W | · | |||||
1994 | Power amplifiers | I-J | · | · | ||||
2000 | Low-noise receiver | 183GHz | · | · | ||||
單片微波積體電路(與混合微波積體電路相比)，有如下優點與不足
MMIC | HMIC |
單片微波積體電路建模技術
對於MMIC設計而言，重複性設計的成本是非常昂貴的，因此器件建模和仿真過程是非常重要的，套用CAD技術建立的器件模型是影響電路設計精度的關鍵因素。電路規模越大、指標和工作頻段越高，對器件模型精度要求也越高。準確的半導體器件模型對提高微波毫米波單片微波積體電路的成品率、縮短研發周期起著非常重要的作用。由於MMIC製造技術仍在不斷發展中，不同工藝線的工藝各不相同，因此不同的工藝上的模型庫也不盡相同，因此必須針對特定的工藝建立特定的MMIC模型庫。
對於無源器件模型，由於電磁場理論分析比較成熟，模型建立比較簡單，但是電感模型的建立是個難點，因為電感要考慮自感、互感及寄生效應的存在及影響，並且電路版圖、原理圖及實測值之間的契合也是難點。對於有源器件，需要建立精確的小信號和大信號模型，對於低噪聲電路(如低噪聲放大器和振盪器)還要建立噪聲模型。線性的小信號等效電路模型可以準確預測小信號S參數，但是卻不能反應大信號的功率諧波特性，因此對於功率放大器、混頻器和振盪器等非線性器件，需要建立微波非線性器件模型。
影響
美國國防部在1986到1994年實施了發展軍事微電子總計畫之一的《MIMIC》計畫，該計畫在美國國防部高級研究計畫局（DARDA）的領導下，採用以聯邦政府巨額支助的方針，動員全國高校和工業部門各大公司的力量，分工合作，對MMIC領域開展廣泛而深入的研究。美聯邦政府投入資金總計5.3億元，加上美工業部門投入，實際已超過10億美元。在此計畫的激勵下，MMIC晶片製造和套用技術發展十分迅速。據1994年七月出版的《Aviation Week Space Technology》報導雷聲公司和TI公司為美國沙姆飛彈實驗場研製GBR陸基雷達，該雷達使用25000個T/R組件，每個組件使用9塊GaAs MMIC。由於這種相控陣雷達工作在X波段，它比"愛國者"飛彈系統使用的C波段雷達有更好的分辨力。美F-15，F-16戰鬥機都使用MMIC相控陣雷達。每部雷達使用9000個T/R組件，而每個組件使用10塊MMIC。F-15，F-16等戰鬥機還使用寬頻、超寬頻MMIC組成二維電子戰陣列和信道化干擾設備。MMIC還在精確制導等靈巧武器和軍事通信得到廣泛套用，其優越性在海灣戰爭中得以體現。
進入90年代，隨著冷戰的結束，MMIC在民用方面套用發展勢頭強勁，每年正以15～20%的速度增長，預計電信、電視、廣播業到21世紀初將發生劃時代的變革，衛星電信、衛星電視、衛星廣播、衛星電纜接收網路成為多種傳播的主體，預計在2000年前後，MMIC電路將達到數千個品種，批生產形成的軍用和民用市場在100億美元左右。因此MMIC的發展前景極為廣闊。
概況
MMIC網（簡稱買賣IC網）是積體電路的專業交易平台，06年初成立，現線上交易人數已達到1500人，也是國內積體電路相關人士認可的免費交易網。 由北京輝創互動信息技術有限公司創立，現有從業人員達30多人，也是國內首家sns商務服務平台。
