基本介紹
- 書名：射頻與微波電晶體放大器基礎
- 作者：(美)Inder J. Bahl
- 譯者：： 鮑景富 孫玲玲
- 出版社：電子工業出版社
基本信息,內容簡介,作譯者,目錄,
基本信息
作者： (美)Inder J. Bahl [作譯者介紹]
譯者： 鮑景富 孫玲玲
叢書名： 國外電子與通信教材系列
出版社：電子工業出版社
ISBN：9787121196393
上架時間：2013-3-15
出版日期：2013 年3月
開本：16開
頁碼：499
版次：1-1
所屬分類：通信 > 無線電、電子學的套用
內容簡介
書籍
通信書籍
《射頻與微波電晶體放大器基礎》全面講解了射頻與微波電晶體放大器的各種類型，包括低噪聲、窄帶、寬頻、線性、高功率、高效率、高壓放大器，以及離散、單片集成與混合集成放大器。主要的研究主題包括電晶體建模、分析、設計、表征、測量、封裝、熱設計及製造技術。本書特彆強調理論與實踐的結合，讀者將了解並學會解決與放大器相關的各類設計問題，從放大器的匹配網路設計、偏置電路設計到穩定性分析等。超過160道的習題有助於提高讀者對基本的放大器和電路設計技巧的掌握。
《射頻與微波電晶體放大器基礎》注重理論、聯繫實踐，可作為高等院校電子信息工程專業的高年級本科生或研究生的教材，也可作為廣大教師、科研工作者和從事相關工作的專業技術人員的參考手冊。
作譯者
本書提供作譯者介紹
Inder J．Bahl博士，研究微波和毫米波GaAs積體電路已經有30多年。他設計了超過400個單片微波積體電路(MMIC)，包括低噪聲放大器、驅動放大器、寬頻放大器和功率放大器(高功率、高效率、寬頻)、直流和交流耦合跨阻抗放大器和限幅放大器、多位移相器、窄帶和寬頻單刀多置(SPDT)開關、冗餘轉換開關、可程式衰減器、平衡混頻器、正交下變頻器、上變頻器、發射晶片、接收晶片及收發晶片。Bahl博士還為PAR和ECM的套用開發了包含MMIC的模組。
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目錄
《射頻與微波電晶體放大器基礎》
第1章 引言
1.1 電晶體放大器
1.2 電晶體放大器的早期歷史
1.3 電晶體放大器的優點
1.4 電晶體
1.5 放大器的設計
1.6 放大器製造技術
1.7 放大器的套用
1.8 放大器的成本
1.9 目前的趨勢
1.10 本書的結構
參考文獻
第2章 線性網路分析
2.1 阻抗矩陣
2.2 導納矩陣
2.3 abcd參數
2.4 s參數
2.4.1 單連線埠網路的s參數
2.5 雙連線埠參數之間的關係
.參考文獻
習題
第3章 放大器特性和定義
3.1 頻寬
3.2 功率增益
3.3 輸入和輸出電壓駐波比
3.4 輸出功率
3.5 功率附加效率
3.6 交調失真
3.6.1 ip3
3.6.2 acpr
3.6.3 evm
3.7 諧波功率
3.8 峰均比
3.9 合成器效率
3.10 噪聲特性
3.10.1 噪聲係數
3.10.2 噪聲溫度
3.10.3 噪聲頻寬
3.10.4 最佳噪聲匹配
3.10.5 等噪聲係數圓和等增益圓
3.10.6 輸入和噪聲同時匹配
3.11 動態範圍
3.12 多級放大器特性
3.12.1 多級放大器ip3
3.12.2 多級放大器pae
3.12.3 多級放大器噪聲係數
3.13 柵極和漏極的推移因子
3.14 放大器的溫度係數
3.15 平均失效時間
參考文獻
習題
第4章 電晶體
4.1 電晶體類型
4.2 矽雙極型電晶體
4.2.1 關鍵性能係數
4.2.2 矽雙極型電晶體的高頻噪聲特性
4.2.3 功率特性
4.3 gaas mesfet
4.3.1 小信號等效電路
4.3.2 性能係數
4.3.3 mesfet器件的高頻噪聲特性
4.4 異質結場效應電晶體
4.4.1 hemt器件的高頻噪聲性能
4.4.2 磷化銦phemt器件
4.5 異質結雙極型電晶體
4.5.1 hbt的高頻噪聲特性
4.5.2 sige異質結雙極型電晶體
4.6 mosfet
參考文獻
習題
第5章 電晶體模型
5.1 電晶體模型的類型
5.1.1 基於物理學/電磁學理論的模型
5.1.2 解析或混合模型
5.1.3 以測量結果為基礎的模型
5.2 mesfet模型
5.2.1 線性模型
5.2.2 非線性模型
5.3 phemt模型
5.3.1 線性模型
5.3.2 非線性模型
5.4 hbt模型
5.5 mosfet模型
5.6 bjt模型
5.7 電晶體模型縮放
5.8 源牽引和負載牽引數據
5.8.1 理論負載牽引數據
5.8.2 測試功率和pae的源牽引和負載牽引
5.8.3 測試ip3的源和負載阻抗
5.8.4 源和負載阻抗尺度變化
5.9 依賴溫度的模型
參考文獻
習題
第6章 匹配電路的元件
6.1 阻抗匹配元件
6.2 傳輸線匹配元件
6.2.1 微帶線
6.2.2 共面線
6.3 集總元件
6.3.1 電容
6.3.2 電感
6.3.3 電阻
6.4 鍵合線電感
6.4.1 單線
6.4.2 地平面效應
6.4.3 多路線
6.4.4 線允許的最大電流
6.5 寬頻電感
參考文獻
習題
第7章 阻抗匹配技術
7.1 單連線埠和雙連線埠網路
7.2 窄帶匹配技術
7.2.1 集總元件匹配技術
7.2.2 傳輸線匹配技術
7.3 寬頻匹配技術
7.3.1 增益-頻寬限制
7.3.2 集總元件寬頻匹配技術
7.3.3 傳輸線寬頻匹配網路
7.3.4 巴倫型寬頻匹配技術
7.3.5 t形橋式匹配網路
參考文獻
習題
第8章 放大器分類及分析
8.1 放大器的分類
8.2 a類放大器的分析
8.3 b類放大器的分析
8.3.1 單端式b類放大器
8.3.2 推挽式b類放大器
8.3.3 過激勵b類放大器
8.4 c類放大器的分析
8.5 e類放大器的分析
8.6 f類放大器的分析
8.7 不同種類放大器的比較
參考文獻
習題
第9章 放大器設計方法
9.1 放大器的設計
9.1.1 電晶體類型和製造工藝
9.1.2 電晶體尺寸的選擇
9.1.3 設計方法
9.1.4 電路拓撲
9.1.5 電路分析和最佳化
9.1.6 穩定性和熱分析
9.2 放大器設計技術
9.2.1 負載線法
9.2.2 低損耗匹配設計技術
9.2.3 非線性設計方法
9.2.4 taguchi實驗法
9.3 匹配網路
9.3.1 電抗/電阻性的匹配網路
9.3.2 群匹配技術
9.4 放大器設計的例子
9.4.1 低噪放設計
9.4.2 最大增益放大器設計
9.4.3 功放設計
9.4.4 多級驅動放大器的設計
9.4.5 gaas hbt功放
9.5 基於矽的放大器設計
9.5.1 si ic lna
9.5.2 si ic功率放大器
參考文獻
習題
第10章 高效率放大器技術
10.1 高效率設計
10.1.1 過驅動放大器設計
10.1.2 b類放大器設計
10.1.3 e類放大器設計
10.1.4 f類放大器設計
10.2 諧波作用放大器
10.3 諧波注入技術
10.4 諧波控制放大器
10.5 高pae設計考慮
10.5.1 諧波調節平台
10.5.2 匹配網路損耗計算
10.5.3 匹配網路損耗的減小
參考文獻
習題
第11章 寬頻放大器
11.1 電晶體的頻寬限制
11.1.1 電晶體的增益滾降
11.1.2 變化的輸入和輸出阻抗
11.1.3 功率-頻寬積
11.2 寬頻放大技術
11.2.1 電抗/電阻性拓撲
11.2.2 反饋放大器
11.2.3 平衡放大器
11.2.4 分散式放大器
11.2.5 有源寬頻匹配技術
11.2.6 共源共柵結構
11.2.7 寬頻技術的比較
11.3 寬頻功率放大器設計的考慮事項
11.3.1 拓撲圖的選擇
11.3.2 器件長寬比
11.3.3 低損耗匹配網路
11.3.4 增益平坦技術
11.3.5 諧波終端
11.3.6 熱設計
參考文獻
習題
第12章 線性化技術
12.1 非線性分析
12.1.1 單音信號分析
12.1.2 雙音信號分析
12.2 相位失真
12.3 功率放大器的線性化技術
12.3.1 脈衝摻雜器件及匹配最佳化
12.3.2 預失真技術
12.3.3 前饋技術
12.4 提高線性放大器效率的技術
12.4.1 反相
12.4.2 doherty 放大器
12.4.3 包絡消除與恢復
12.4.4 自適應偏置
12.5 線性放大器的設計
12.5.1 放大器增益
12.5.2 減小源和負載失配
12.6 線性放大器設計實例
參考文獻
習題
第13章 高壓功率放大器設計
13.1 高壓電晶體性能概述
13.1.1 優點
13.1.2 套用
13.2 高壓電晶體
13.2.1 si雙極型電晶體
13.2.2 si ldmos電晶體
13.2.3 gaas場板mesfet
13.2.4 gaas 場板phemt
13.2.5 gaas hbt
13.2.6 sic mesfet
13.2.7 sic gan hemt
13.3 高壓放大器設計的必要考慮
13.3.1 有源器件的熱設計
13.3.2 無源元件的功率處理
13.4 功率放大器設計實例
13.4.1 高壓混合放大器
13.4.2 高壓單片式放大器
13.5 寬頻hv放大器
13.6 串聯fet放大器
參考文獻
習題
第14章 混合放大器
14.1 混合放大器技術
14.2 印製電路板
14.3 混合積體電路
14.3.1 薄膜mic技術
14.3.2 厚膜mic技術
14.3.3 共燒陶瓷和玻璃——陶瓷技術
14.4 內匹配功率放大器設計
14.5 低噪聲放大器
14.5.1 窄帶低噪聲放大器
14.5.2 超寬頻低噪聲放大器
14.5.3 寬頻分散式低噪聲放大器
14.6 功率放大器
14.6.1 窄帶功率放大器
14.6.2 寬頻功率放大器
參考文獻
習題
第15章 單片放大器
15.1 單片放大器的優點
15.2 單片ic技術
15.2.1 mmic製作
15.2.2 mmic基底
15.2.3 mmic有源器件
15.2.4 mmic匹配元件
15.3 mmic設計
15.3.1 cad工具
15.3.2 設計流程
15.3.3 em仿真器
15.4 設計實例
15.4.1 低噪聲放大器
15.4.2 大功率限幅器/lna
15.4.3 窄帶pa
15.4.4 寬頻pa
15.4.5 超寬頻pa
15.4.6 高功率放大器
15.4.7 高效率pa
15.4.8 毫米波pa
15.4.9 無線功率放大器設計實例
15.5 cmos製造
參考文獻
習題
第16章 熱設計
16.1 熱力學基礎
16.2 電晶體熱設計
16.2.1 cooke 模型
16.2.2 單柵熱模型
16.2.3 多柵熱模型
16.3 放大器熱設計
16.4 脈衝工作
16.5 導熱槽設計
16.5.1 傳導降溫和強制降溫
16.5.2 設計實例
16.6 熱阻測量
16.6.1 ir成像測量
16.6.2 液晶測量
16.6.3 電氣測量技術
參考文獻
習題
第17章 穩定性分析
17.1 偶模振盪
17.1.1 偶模穩定性分析
17.1.2 偶模振盪消除技術
17.2 奇模振盪
17.2.1 奇模穩定性分析
17.2.2 奇模振盪抑制技術
17.2.3 分散式放大器的不穩定性
17.3 參數式振盪
17.4 雜散參數式振盪
17.5 低頻振盪
參考文獻
習題
第18章 偏置網路
18.1 電晶體偏置
18.1.1 電晶體偏置點
18.1.2 偏置方案
18.2 偏置電路設計需要考慮的條件
18.2.1 微帶偏置電路
18.2.2 集總元件偏置電路
18.2.3 高pae偏置電路
18.2.4 遷移電流限制
18.3 自偏置技術
18.4 多級放大器偏置
18.5 偏置電路的低頻穩定性
18.6 偏置順序
參考文獻
習題
第19章 功率合成
19.1 器件級功率合成
19.2 電路級功率合成
19.2.1 功能衰減
19.2.2 功率合成效率
19.3 功分器、 正交混合網路和耦合器
19.3.1 功分器
19.3.2 90°混合網路
19.3.3 耦合線定向耦合器
19.4 n路合成器
19.5 共同合成器結構
19.6 隔離電阻的功率處理
19.7 空間功率合成
19.8 功率合成技術的比較
參考文獻
習題
第20章 集成的功能放大器
20.1 集成的限幅器/lna
20.1.1 限幅器/lna拓撲結構
20.1.2 限幅器的要求
20.1.3 肖特基二極體設計與限幅器結構
20.1.4 10 w限幅器/lna設計
20.1.5 測試數據與討論
20.2 發射鏈
20.2.1 可變增益放大器
20.2.2 可變功率放大器
20.2.3 放大器的溫度補償
20.2.4 功率監視/檢測
20.2.5 負載失配保護
20.3 放大器的級聯
參考文獻
習題
第21章 放大器封裝
21.1 放大器封裝概述
21.1.1 歷史簡介
21.1.2 封裝類型
21.2 封裝材料
21.2.1 陶瓷
21.2.2 高分子化合物
21.2.3 金屬
21.3 陶瓷封裝設計
21.3.1 rf饋通的設計
21.3.2 腔孔設計
21.3.3 偏置線
21.3.4 陶瓷封裝結構
21.3.5 陶瓷封裝模型
21.4 塑膠封裝設計
21.4.1 塑膠封裝
21.4.2 塑膠封裝模型
21.5 封裝組裝
21.5.1 晶片貼裝
21.5.2 晶片引線鍵合
21.5.3 陶瓷封裝的組裝
21.5.4 塑膠封裝的組裝
21.5.5 密封和包裝
21.6 熱性能考慮
21.7 封裝使用的cad工具
21.8 功率放大器模組
參考文獻
習題
第22章 電晶體和放大器的測量
22.1 電晶體測量
22.1.1 i-v測量
22.1.2 s參數測量
22.1.3 噪聲參數測量
22.1.4 源牽引和負載牽引測量
22.2 放大器測量
22.2.1 使用rf探針測量
22.2.2 驅動放大器和hpa的測試
22.2.3 大信號輸出vswr
22.2.4 噪聲係數測量
22.3 失真測量
22.3.1 am-am和am-pm
22.3.2 ip3/im3測量
22.3.3 acpr測量
22.3.4 npr測量
22.3.5 evm測量
22.4 相位噪聲測量
22.5 恢復時間測量
參考文獻
習題
附錄a 物理常數和其他數據
附錄b 單位和符號
附錄c 頻帶命名
附錄d 分貝單位
附錄e 數學關係式
附錄f 史密斯圓圖
附錄g 圖形符號
附錄h 首字母縮略詞及縮寫詞
附錄i 符號列表
附錄j 多通道與調製技術
