共存干擾場景 在LTE標準制定中考慮了LTE系統對UMTS系統的共覆蓋干擾情況,仿真發現,LTE系統與UMTS系統間需要進行干擾隔離,。但是在共站址情況下的干擾情況還需要分析。
LTE與UMTS間的干擾場景可以分為4種:LTE基站對UMTS終端的干擾、UMTS基站對LTE終端的干擾、LTE基站對UMTS基站的干擾、UMTS基站對LTE基站的干擾,如圖1所示。在共站址共存中,主要考慮基站與基站間的干擾問題。
圖1 LTE與UMTS間的干擾場景 共存干擾分析 UMTS基站對LTE基站的干擾 20MHz的LTE系統基站底噪計算如下公式1。
公式(1) 其中:BW為系統頻寬;efficiency為頻寬利用率,LTE系統取為90%;noisefigure為熱噪聲指數,一般LTE基站取為5,終端取為9。
如果按照干擾標準為底噪抬升0.8dB,則最大允許干擾功率為:
M=−96.45(dBm/18MHz)−7dB=−103.45(dBm/18MHz)=−126(dBm/100kHz)
2.1GHz的UMTS系統帶外雜散為−98dBm/100kHz。所以要UMTS系統對LTE系統的干擾符合要求,需要額外的28dB隔離度。
所以UMTS基站對LTE基站的干擾需要額外的工程方法進行隔離。
LTE基站對UMTS基站的干擾 3.84M的UMTS系統基站底噪計算如下公式2。
公式(2) 其中:BW為系統頻寬;efficiency為頻寬利用率,LTE系統取為90%;noisefigure為熱噪聲指數,一般WCDMA基站取為4。
如果按照干擾標準為底噪抬升0.8dB,則允許最大幹擾功率為
M=−104(dBm/3.84MHz)−7dB=−111(dBm/3.84MHz)=−126.8(dBm/100kHz)
2.6GHz的LTE系統帶外雜散為−96dBm/100kHz。所以要LTE系統對UMTS系統的干擾符合要求,需要額外的30.8dB隔離度。共站址情況下,LTE基站對UMTS基站的干擾需要額外的工程方法進行隔離。
LTE基站與UMTS基站的工程隔離需求 如果共站址部署,UMTS基站與LTE基站間需要採用工程隔離的方法增加額外隔離度。
將LTE基站對UMTS基站水平隔離需求代入有公式3
其中G為UMTS天線增益。在LTE天線與UMTS天線同向布置時,UMTS側面對LTE側面,假設UMTS天線在90°方向增益為0.5dBi,則水平隔離距離為0.426m。
將UMTS基站對LTE基站水平隔離需求代入有公式4
其中:G為LTE天線增益。在LTE天線與DCS天線同向布置時,LTE側面對UMTS側面,假設LTE天線在90°方向增益為0.5dBi,則水平隔離距離為0.382m。
綜上,LTE基站與UMTS基站共站址部署時,如果天線保持同向布置,則兩系統天線水平間距需要0.426m。
同樣,可以得到兩系統天線垂直間距需要0.18m。
在上面的分析中,採用了3GPP規範中基站設備的雜散要求。該雜散指標是設備需要滿足的最低要求,實際設備的性能都要優於該指標,所以在實際中隔離需求將小於理論計算得到的數值。分析中只考慮了兩系統天線同向部署的場景,如果天線夾角發生變化,工程隔離距離也將發生變化。
LTE LTE概念 LTE(LongTermEvolution,長期演進),又稱E-UTRA/E-UTRAN,和3GPP2UMB合稱E3G(Evolved3G)
LTE是由
3GPP (The3rdGenerationPartnershipProject,第三代合作夥伴計畫)組織制定的
UMTS (UniversalMobileTelecommunicationsSystem,通用
移動通信系統 )技術標準的長期演進,於2004年12月在3GPP
多倫多 TSGRAN#26會議上正式立項並啟動。LTE系統引入了
OFDM (OrthogonalFrequencyDivisionMultiplexing,正交頻分復用)和
MIMO (Multi-Input&Multi-Output,多輸入多輸出)等關鍵傳輸
技術 ,顯著增加了
頻譜效率 和
數據傳輸 速率(20M頻寬2X2MIMO在64QAM情況下,理論下行最大傳輸速率為201Mbps,除去信令開銷後大概為140Mbps,但根據實際組網以及終端能力限制,一般認為下行峰值速率為100Mbps,上行為50Mbps),並支持多種頻寬分配:1.4MHz,3MHz,5MHz,10MHz,15MHz和20MHz等,且支持全球主流2G/3G頻段和一些新增頻段,因而頻譜分配更加靈活,系統
容量 和
覆蓋 也顯著提升。LTE系統網路架構更加扁平化簡單化,減少了網路節點和系統複雜度,從而減小了系統
時延 ,也降低了網路部署和維護成本。LTE系統支持與其他3GPP系統互操作。
LTE 系統有兩種制式:FDD-LTE和TDD-LTE,即頻分雙工LTE系統和時分雙工LTE系統,二者技術的主要區別在於
空中接口 的
物理層 上(像幀結構、時分設計、同步等)。FDD-LTE系統空口上下行傳輸採用一對對稱的頻段接收和傳送數據,而TDD-LTE系統上下行則使用相同的頻段在不同的時隙上傳輸,相對於FDD雙工方式,TDD有著較高的
頻譜利用率 。
LTE/EPC的網路架構如圖2所示。
圖2 3GPP接入的非漫遊架構 LTE系統結構 LTE採用由eNB構成的單層結構,這種結構有利於簡化網路和減小延遲,實現低時延、低複雜度和低成本的要求。與3G接入網相比,LTE減少了RNC節點。名義上LTE是對3G的演進,但事實上它對3GPP的整個體系架構作了革命性的改變,逐步趨近於典型的IP寬頻網路結構。
LTE的架構也叫E-UTRAN架構,如圖3所示。E-UTRAN主要由eNB構成。同UTRAN網路相比,eNB不僅具有NodeB的功能,還能完成RNC的大部分功能,包括物理層、MAC層、RRC、調度、接入控制、承載控制、接入移動性管理和Inter-cellRRM等。eNodeB和eNodeB之間採用X2接口方式直接互連,eNB通過S1接口連線到EPC。具體地講,eNB通過S1-MME連線到MME,通過S1-U連線到S-GW。S1接口支持MME/S-GW和eNB之間的多對多連線,即一個eNB可以和多個MME/S-GW連線,多個eNB也可以同時連線到同一個MME/S-GW。
圖3 LTE整體結構