igbt功率模組是以絕緣柵雙極型電晶體（igbt）構成的功率模組。由於igbt模組為mosfet結構，igbt的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離，具有出色的器件性能。廣泛套用於伺服電機，變頻器，變頻家電等領域。
特點,套用,注意事項,發展趨勢,
特點
igbt功率模組是電壓型控制，輸入阻抗大，驅動功率小，控制電路簡單，開關損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優點。實質是個複合功率器件，它集雙極型功率電晶體和功率mosfet的優點於一體化。又因先進的加工技術使它通態飽和電壓低，開關頻率高（可達20khz），這兩點非常顯著的特性，最近西門子公司又推出低飽和壓降（2.2v）的npt-igbt性能更佳，相繼東芝、富士、ir,摩托羅拉亦己在開發研製新品種。
套用
igbt是先進的第三代功率模組，工作頻率1-20khz,主要套用在變頻器的主迴路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、ups、開關電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史，幾乎己替代一切其它功率器件，例scr.gto,gtr,mosfet,雙極型達林頓管等淚今功率可高達1mw的低頻套用中，單個元件電壓可達4.okv（pt結構）一6.5kv（npt結構），電流可達1.5ka,是較為理想的功率模組。
注意事項
a,柵極與任何導電區要絕緣，以免產生靜電而擊穿，所以包裝時將g極和e極之間要有導電泡沫塑膠，將它短接。裝配時切不可用手指直接接觸，直到g極管腳進行永久性連線。 b、主電路用螺絲擰緊，控制極g要用外掛程式，儘可能不用焊接方式。 c、裝卸時應採用接地工作檯，接地地面，接地腕帶等防靜電措施。 d、儀器測量時，將1000電阻與g極串聯。 e、要在無電源時進行安裝。 f,焊接g極時，電烙鐵要停電並接地，選用定溫電烙鐵最合適。當手工焊接時，溫度2601c15'c.時間（10士1）秒，松香焊劑。波峰焊接時，pcb板要預熱80'c-]05'c,在245℃時浸入焊接3-4
發展趨勢
igbt發展趨向是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本為目標的，特別是發展高壓變頻器的套用，簡化其主電路，減少使用器件，提高可靠性，降低製造成本，簡化調試工作等，都與igbt有密切的內在聯繫，所以世界各大器件公司都在奮力研究、開發，予估近2-3年內，會有突破性的進展。目前已有適用於高壓變頻器的有電壓型hv-igbt,igct,電流型sgct等。
