《Ge/Si納米薄膜紅外探測材料的研究》是依託雲南大學，由楊宇擔任負責人的國家自然科學基金專項基金項目。
北京科技大學功能材料研究所高技術功能薄膜材料研究室致力於CVD金剛石和類金剛石膜研究，重點研發大面積光學級金剛石自支撐膜、金剛石塗層硬質合金工具、紅外光學材料（ZnS,Ge,Si,玻璃等）金剛石膜塗層、聲表面波器件用金剛石基片、金剛石膜熱沉和封裝、納米金剛石膜、類金剛石薄膜等。磁功能及環境材料研究室致力於...
項目組經過大量的技術攻關，深入開展了FPA的熱力學性能分析和像元結構設計，最佳化得到基本的像元結構和設計參數；系統研究了多種納米薄膜和超材料的紅外吸收理論，設計製備出單帶、多帶及寬頻超材料紅外吸收體，實現了FPA的紅外增強吸收，微懸臂樑像元的熱機械靈敏度達到0.46μm/K。開發出三種新型的FPA製備工藝，製備出...
例如,Koga研究團隊理論預測在室溫下Si(1.5nm)/Ge(2.0nm)的超晶格結構(於Si0.5Ge0.5基座)，其ZT值要比Si塊材大70倍。除了二維的多層膜/超晶格結構外,一維的量子線結構也開始慢慢受到注意，研究者欲通過一維量子線更強的量子局限化效應來進一步提升熱電材料之ZT值。例如，將熔融的熱電材料Bi、Sb及Bi2Te3經...
1935年奧利等人首先研製成功矽（Si）檢波器材料，隨後在1939年，美國杜邦公司研製出高純度的半導體矽（Si）材料。50年代初，半導體鍺（Ge）單晶和矽（Si）單晶的問世，大大促進了半導體器件與積體電路的發展，開始了軍用微電子技術發展的新進程。1952年韋克爾等人將Ⅲ-V族化合物作為新一類半導體材料進行研究並獲得成功...
基於金屬周期納米結構的光學超材料的特性、機制與套用是納米光學的重要方向之一。介質膜支撐的金屬納米結構作為光學超材料的一種，其奇特的增強光吸收機制和套用研究尚未充分進行。本項目圍繞介質膜支撐金屬周期納米結構的完美光吸收機制與套用中的關鍵科學問題，從原理、增強拉曼光譜、紅外探測、可見光探測四個方面進行了...
除這些二元系化合物外還有它們與元素或它們之間的固溶體半導體，例如Si-AlP、Ge-GaAs、InAs-InSb、AlSb-GaSb、InAs-InP、GaAs-GaP等。研究這些固溶體可以在改善單一材料的某些性能或開闢新的套用範圍方面起很大作用。三元系包括：族:這是由一個Ⅱ族和一個Ⅳ族原子去替代Ⅲ－Ⅴ族中兩個Ⅲ族原子所構成的。例如ZnSi...
主要從事矽基薄膜太陽能電池和染料敏化太陽能電池的研究。研究經歷 （1）在鍺矽量子阱和量子點結構的電學和超快光學等方面開展了較多的研究。研究了GeSi/Si量子阱的光電流吸收譜與外加電場的關係；採用導納譜、深能級瞬態譜、光電容譜等方法觀察到鍺矽量子阱、量子點中的載流子發射；用導納譜、電容－電壓譜、光電流...
[21]納米薄膜環境半導體材料β-FeSi₂的製備、光電子特性與套用研究，省委組織部高層人才科研特助項目；2006.1-2008.12，5萬，主持；[22]環境半導體材料β-FeSi₂的物理基礎與關鍵技術，教育部博士點專項科研基金，契約號：20050657003, 2005.1-2006.12，6萬，主持；[23]大尺寸納米薄膜環境半導體材料β-FeSi...
陳茜、黃晉，環境半導體材料β-FeSi₂的光電子特性及薄膜製備機理研究，貴州省科技進步獎三等獎，時間：2012年12月）；第四屆貴州省自然科學優秀學術論文三等獎(肖清泉、謝泉、沈向前、張晉敏、余志強、趙珂傑，學術論文（Effects of magnesium film thickness and annealing temperature on formation of Mg₂Si ...
國家自然科學基金面上項目：“具有三維徑向納米結構的非晶矽中間帶薄膜材料及太陽電池套用的可行性研究”負責人 國家自然科學基金重點項目：“運用量子尺寸效應和雜質中間帶提高矽基太陽電池效率的研究” 與南京大學合作，負責雜質中間帶部分 國家自然科學基金面上項目：“高效 Si 基雜質中間帶太陽電池材料及新型光電轉換...
[2] 基於二維二硒化鈀納米薄膜與鍺的自驅動異質結型紅外光電探測器及其製備方法，CN201811336879.1 [3] 基於二維二硫化鉬納米薄膜與碲化鎘晶體的II型異質結型近紅外光電探測器及其製備方法，CN201811336892.7 [4] 一種雙模濕度感測器及其製備方法，CN201710375959.7 [5] 一種異質結型光電探測器及其製備方法，CN...
有機薄膜電晶體的物理氣相沉積研究（RG13/06），7.8萬新元，新加坡教育部（MOE），2006-2009，項目主持人 高量子效率的紅外量子阱探測器(RG11/01)，10.2萬新元，新加坡教育部（MOE），2001-2004，項目主持人 基於光子MEMS器件DWDM網套用中的寬頻光學開關(RG 43/99)，25萬新元，新加坡教育部（MOE）...
（ 1 ） 二氧化釩納米晶劣化機制及耐候特性研究, 主持, 國家級, 2020-01--2023-12 （ 2 ） 溫控智慧型膜中試及產業化, 主持, 院級, 2020-03--2022-03 （ 3 ） 基於稀土基電子相變材料的新型突變式敏感電阻元器件, 主持, 國家級, 2021-12--2026-11 （ 4 ） 基於質子中繼式遷移的全固態電致變色器件...
（7） 國家自然科學基金面上項目“生長溫度周期調製的MOCVD法製備p型ZnO薄膜研究”（2008.1～2010.12）（8） 國家自然基金面上項目“大尺寸GaN厚膜襯底材料自剝離製備研究”（2011.1~2013.12）（9） 國家自然基金面上項目“矽基無應變InGa(Al)N/InGaAlN量子阱的研究”（2004.1～2006.12）（10） 中國科學院...
（72） 電絕緣用ta-C薄膜的微觀結構與電學特性, 功能材料與器件學報, 2003, 第 2 作者 （73） Ge—SiO2薄膜的結構及其發光特性的研究, 功能材料與器件學報, 2002, 第 5 作者 （74） Tetrahedral amorphous-carbon thin films for silicon-on-insulator application, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2002, （75） 低...
8. 非摻半絕緣砷化鎵中的雜質與微缺陷，稀有金屬材料與工程，2006，35（10）: 1544-1547，第二作者SCI 9. Infrared measurement of Ge concentration in CZ–Si，J.Crystal Growth 2005 第三作者 （SCI）10.Effect of surfactant on removal of particle contamination on Si wafers in ULSI Transactions of ...
例如，在高溫高壓合成以及薄膜製備過程中，添加Be可得到P型半導體；添加S、C、Si等可得到n型半導體。因此綜合看來c-BN是性能最為優異的第三代半導體材料，不僅能用於製備在高溫、高頻、大功率等極端條件下工作的電子器件，而且在深紫外發光和探測器方面有著廣泛的套用前景。事實上，最早報導了在高溫高壓條件下製成的...
