張晉敏(貴州大學教授)

張晉敏，女，博士，1963年6月出生，貴州大學教授。

基本介紹

• 中文名：張晉敏
• 學位/學歷：博士
• 職業：教師
• 專業方向：半導體光電子材料與器件（製備與表征）
• 任職院校：貴州大學

個人經歷

教育

1980.9-1984.7：四川大學物理系固體物理專業，理學學士。

2004.9-2009.1：貴州大學微電子學與固體電子學，工學博士。

工作簡歷

1984.7-貴州大學，物理系，物電系，電科系教師

1993.10-講師

1998.11-副教授

2009.12-教授

工作期間學習進修學習

1986.2-1986.7：四川外語學院出國人員培訓部，進修英語，獲結業證。

1987.9-1988.7：西北大學，理論物理助教進修班，獲結業證。

2001.9-2002.7：復旦大學，先進光子學材料與器件國家重點實驗室，訪問學者，獲結業證。

2003.8-2004.7：貴州大學外語系，進修英語，獲結業證及PETS 5合格證書。

2004.9-2009.1：貴州大學微電子學與固體電子學，工學博士。

2006.12-2007.8：克羅地亞薩格勒布大學，訪問學者。

貴州大學大數據與信息工程學院電子科學系主任；貴州大學大數據與信息工程學院教學委員會委員、學位委員會委員。

研究方向

半導體光電子材料與器件（製備與表征），磁性材料。

學術成果

主持項目

[1]Si/β-FeSi2/Si異質結構的製備及相關物理基礎研究，貴州省優秀科技教育人才省長基金，契約號：黔省專合字[2011]40號，2011.9-2014.12，5.0萬，主持；

[2]Si/β-FeSi2/Si雙異質結構的製備及光電性質研究，貴州省科技廳國際合作項目，契約號：黔科合外G字（2009）700113號，2009.6-2011.12，8.0萬，主持；

[3]新型環境半導體材料β-FeSi2的光電特性及套用研究，貴州省科技廳自然科學基金項目，契約號：黔科合[2008]2002，2008.6-2010.7，4.0萬，主持；

[4]用於紅外探測器的Si/β-FeSi2/Si雙異質結結構的製備及光電性質研究，貴州大學博士基金，契約號：貴大人基合字（2009）002號，2009.11-2012.12，4.0萬，主持；

[5]TbFeCo磁光薄膜的製備及性能研究,貴州省教育廳自然科學基金項目，契約號：2003315，2002.12-2004.12，1.6萬，主持；

[6]TbFeCo磁光薄膜的製備及性能研究，貴州省科技廳自然科學基金項目，契約號：20033059，2003.7-2005.12，3.5萬，主持；

[7]磁控濺射製備環境半導體b-FeSi2及其物性研究，貴陽市科技局大學生創業科技項目，契約號：2007築科計契約字第6-3號，2007.12-2008.12，1.2萬，主持；

參與的項目：

[1]基於環境友好半導體材料β-FeSi2、Mg2Si的光電子器件設計與研究，國家自然科學基金，契約號:61264004，2013.1-2016.12, 50萬，參與；

[2]環境友好半導體光電子材料Mg2Si紅外感測器的開發研究，貴州省教育廳125重大專項，契約號：黔教合重大專項字[2012]003，2012.10-2015.12，80萬;

[3]貴州省先進光電子材料與技術創新人才團隊，貴州省科技創新人才團隊建設專項資金,契約號：黔科合人才團隊（2011）4002, 2011.10-2014.10，21萬，參與；

[4]矽化物LED光電子器件開發，貴州省科技攻關項目，契約號：黔科合GY字〔2011〕3015，2011.6-2014.5，35萬，參與；

[5]半導體材料Si、Ge及SiGe合金液態凝固過程中的遺傳特性研究，貴州省國際科技合作計畫項目，契約號：黔科合外G字[2012]7004，2012.6-2014.5，10萬，參與；

[6]新型環境友好半導體材料β-FeSi2及其光電子器件的研究，科技部國際合作專項項目，契約號：2008DFA52210, 2008.1-2010.12.30，80萬，參與；

[7]新型環境友好半導體材料β－FeSi2薄膜的製備及其在太陽能電池中的套用研究，貴州省信息產業廳項目，契約號：0831，2008.6-2010.6，10萬，參與；

[8]環境半導體材料Ca2Si的製備與套用研究，國家自然科學基金項目，契約號：60766002，2008.1-2010.12, 20萬，參與；

[9]環境半導體材料β-FeSi2的物理基礎與關鍵技術，國家自然科學基金項目，契約號：60566001，2006.1-2008.12，20萬，參與；

[10]新型環境半導體材料β-FeSi2的物理基礎與關鍵技術研究，貴州省優秀科技教育人才省長專項基金，契約號：黔省專合字（2005）365號，2006.1-2008.12，6萬，參與；

[11]大尺寸納米薄膜環境半導體材料β-FeSi2的製備、光電子特性與套用研究，國家人事部留學人員科技活動擇優資助項目，2005.1-2006.12，4萬，參與；

[12]新型環境半導體材料β-FeSi2的物理基礎與套用研究，貴州省科技廳國際科技合作項目，契約號:黔科合G（2005）400102，2005.1-2007.12，4萬，參與；

[13]薄膜環境半導體材料β-FeSi2的製備，光電子特性與套用研究，教育部留學回國科研基金，契約號：教外（2005）383，2005.1-2006.12，3萬，參與；

指導的碩士申請的課題

[1]機械合金化/真空熱壓燒結法製備Fe3Si金屬間化合物，貴陽市科學計畫項目，契約號：2010築科計契約字第4-1號01，1.0萬。2010.11-2011.12，08級碩士生陳站主持。

[2]磁控濺射製備b-FeSi2的二次退火工藝研究，貴陽市科學計畫項目，契約號：2009築科計契約字第13號，2009.11-2010.12，0.5萬，07級碩士生馬道京主持。

[3]磁控濺射製備b-FeSi2的二次退火工藝研究，貴州大學研究生創新基金，契約號：校研理工2009011，2008.11-2010.2，0.3萬，07級碩士生馬道京主持。

[4]Mn/Cr摻雜b-FeSi2薄膜製備及性質研究，貴陽市科學計畫項目，契約號：2009築科計契約字第8號，2009.11-2010.12. 0.5萬，07級碩士生王衍主持。

[5]Ag/TbFeCo磁光薄膜的製備及性質研究，貴陽市科學計畫項目，契約號：2007築科計契約字第6-2號，2007.12-2008.12. 1.5萬，05級碩士生張勇主持。

[6]垂直磁記錄材料製備與物性研究，貴陽市科學計畫項目，契約號：[2006]築科計契約字第21-3號，2006.7-2007.6. 1.2萬，04級碩士生余平主持。

授權的專利（申請國家發明專利6項，已授權2項）：

[1]謝泉，張晉敏，肖清泉，梁艷，曾武賢，王衍，馬道京.製備Cr摻雜b-FeSi2薄膜的工藝方法.國家發明授權專利號：ZL 2010 1 0148151.3.授權時間：2012年4月25日

[2]謝泉，肖清泉，張晉敏，陳茜，余志強，趙珂傑.環境友好半導體材料Mg2Si薄膜的磁控濺射製備工藝.國家發明授權專利號：ZL 2010 1 0147304.2.授權時間：2012年7月4日

近期發表的論文：

[1]Zhang Jinmin, Xie Quan, Yu Ping,et al. Preparation of α-FeSi2by laser annealing[J]. Thin Solid Films, 2008,516(23): 8625-8628. (SCI、EI)

[2]Zhang Jinmin, Xie Quan, Zeng Wuxian,et al. Effects of Annealing on Atomic Interdiffusion and Microstructures in Fe/Si Systems[J]. Journal of Semiconductors, 2007,28(12): 1888-1894. (EI)

[3]Zhang Jinmin, Zhang Yong. Preparation of Magneto-Optical Films TbFeCo by Magnetron Sputtering[J]. Materials Science Forum, 2010,663-665: 576-579. (EI)

[4]Zhang Jinmin, Xie Quan, Borjanović V,et al. Preparation of the Kondo Insulators FeSi by Magnetron Sputtering[J]. Materials Science Forum, 2010,663-665: 1129-1132. (EI)

[5]Zhang Jinmin, Xie Quan, Liang Yan,et all. Thermal process of iron silicides prepared by Magnetron sputtering[J]. Physics Procedia, 2011,11: 122-125. (EI)Zhang Jinmin, Xie Quan, Liang Yan,et al. Atomic diffusion in the interface of Fe/Si prepared by magnetron sputtering[J]. PhysicsProcedia, 2011,11: 126-129. (EI)張晉敏,謝泉,余平,等.雷射掃描磁控濺射Fe/Si膜直接形成α-FeSi2[J].功能材料, 2008,39(7): 1087-1090. (EI)張晉敏,謝泉,梁艷,等.濺射參數對Fe-Si化合物的相形成及結構的影響[J].四川師範大學學報:自然科學版, 2008,31(5): 593-596.（中文核心）張晉敏,謝泉,梁艷,等. Fe/Si薄膜中矽化物的形成和氧化[J].材料研究學報, 2008,22(3): 297-302. (EI)

榮譽獎項

貴州省科技進步三等獎（謝泉、張晉敏、肖清泉、陳茜、黃晉，環境半導體材料β-FeSi₂的光電子特性及薄膜製備機理研究，貴州省科技進步獎三等獎，時間：2012年12月）；第四屆貴州省自然科學優秀學術論文三等獎(肖清泉、謝泉、沈向前、張晉敏、余志強、趙珂傑，學術論文（Effects of magnesium film thickness and annealing temperature on formation of Mg₂Si films on silicon (111) substrate deposited by magnetron sputtering），貴州省科協，第四屆貴州省自然科學優秀學術論文，三等獎，2012年)；貴陽市優秀自然科學論文二等獎1篇（2007-2008年度），2011-2015年度貴州大學學術骨幹。