動態隨機存儲器

動態隨機存儲器(dynamic random access memory) 採用動態存儲單元的隨機存儲器，簡稱DRAM或動態RAM。

基本介紹

• 中文名：動態隨機存儲器
• 外文名：dynamic random access memory

動態隨機存取存儲器，最為常見的系統記憶體，即DRAM（Dynamic Random Access Memory）。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 關機就會丟失數據。

分類

一般計算機系統使用的隨機存取記憶體(RAM)可分動態(DRAM)與靜態隨機存取記憶體(SRAM)兩種，差異在於DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新，才能維繫數據保存，SRAM的數據則不需要刷新過程，在上電期間，數據不會丟失。

原理

動態RAM的總體結構和工作原理與靜態RAM(見隨機存儲器)的區別是，存儲矩陣採用了動態存儲單元。靜態觸發器是靠電路狀態的反饋自鎖保存數據，動態存儲單元則是通過在電容上存儲電荷保存數據。

動態存儲單元的電路結構有各種型式，最簡單的一種是圖所示的單管動態存儲單元。

圖1

在寫入數據時字線給出高電平，MOS管VT導通，位線上的電壓信號經VT向電容C充電，將數據存入C中。讀出時字線同樣給出高電平，使VT導通，電容C經VT向位線上的寄生電容C_B充電，使位線獲得讀出信號。

動態存儲單元的電路結構簡單，集成度比靜態RAM高得多。但是，電容C上的電荷不可能長久保存，要及時向電容補充電荷，以免數據丟失。為此，在動態RAM中設定了“刷新”控制電路，用於周期性地將存儲矩陣里的數據讀出，經過放大後重新寫入。這不僅增加了控制電路的複雜性，也嚴重地影響了讀/寫速度，使動態RAM的工作速度遠低於靜態RAM。