Rambus DRAM

Rambus DRAM

Rambus DRAM記憶體規範是Intel與Rambus共同定製，Intel強力推廣的未來記憶體發展方向，其技術引入了RISC（精簡指令集），依靠高時鐘頻率（目前有300MHz、350MHz和400MHz三種規格）來簡化每個時鐘周期的數據量。

基本介紹

  • 外文名：Rambus DRAM
  • 構造：其技術引入了RISC
  • 特點：高時鐘頻率簡化每個時鐘周期
  • 性質：Intel強力推廣的未來記憶體發展
原理,失敗,

原理

Rambus DRAM原本是Intel強力推廣的未來記憶體發展方向，其技術引入了RISC（精簡指令集），依靠高時鐘頻率（目前有300MHz、350MHz和400MHz三種規格）來簡化每個時鐘周期的數據量。因此其數據通道接口只有16bit（由兩條8bit的數據通道組成），遠低於SDRAM的64bit，由於Rambus DRAM也是採用類似於DDR的雙速率傳輸結構，同時利用時鐘脈衝的上升與下降沿進行數據傳輸，因此在300MHz下的數據傳輸量可以達到300MHz×16bit×2/8=1.2GB/s，400MHz時可達到1.6GB/s，目前主流的雙通道PC800MHz RDRAM的數據傳輸量更是達到了3.2GB/s。相對於133MHz下的SDRAM的1.05GB/s，確實很有吸引力。 Rambus DRAM的認證機制也較為嚴格，其認證測試包括DirectRDRAM元件、RIMM模組、RIMM連線器和DirectRDRAM時鐘發生器。以確保與Intel的系統保持百分百的兼容。
Rambus DRAM

失敗

該記憶體規範是Intel與Rambus共同定製，旨在創造市面上最高速的記憶體產品。其內部RISC架構、高頻率和高頻寬的優勢一度被認為是記憶體市場的新寵兒，Intel也對自己的Rambus DRAM充滿信心，並寄希望於Rambus DRAM配合Pentium 4處理器，建立屬於自己的王朝。但是Rambus最終並沒有得到市場的認可，究其原因，就是因為Rambus記憶體高昂的售價以及“巨大”的發熱量。加上Rambus DRAM必須安裝兩條才能夠使用，這就大大提高了這種記憶體的使用門檻。最終，Rambus DRAM沒有經受住市場的考驗，被價格更低的DDRSDRAM踩在了腳下。
支持Rambus DRAM的Intel i850晶片組支持Rambus DRAM的Intel i850晶片組

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