BBO晶體在非線性光學晶體中，是一種綜合優勢明顯，性能良好的晶體，它有著極寬的透光範圍，極低的吸收係數，較弱的壓電振鈴效應，相對於其他的電光調製晶體，具有更高的消光比，較大的相匹配角，較高的抗光損傷閾值、寬頻的溫度匹配以及優良的光學均勻性，有利於提高雷射輸出功率穩定性，特別是用於Nd:YAG雷射器之三倍頻有著廣泛的套用。
基本介紹
- 中文名：偏硼酸鋇晶體
- 外文名：BBO
- 常用領域：光學、通信
BBO開關：由其製成的電光Q開關常被套用於高重複頻率，高功率的電光調Q雷射器，全固態皮秒，飛秒再生放大系統中。
由於電光Q開關的關斷時間（<4ns）遠短於聲光Q開關的光斷時間，因此，採用BBO電光Q開關的全固態短腔調Q雷射器可產生脈衝寬度小於4ns的高能雷射，是作為電光內雕機的首選光源。在無需水冷的情況下，BBO電光Q開關可關斷並承受高達150W的腔內震盪光功率（雷射輸出功率高達50W）。
BBO晶體的主要性質：
化學式： β-BaB2O4
晶體構式：三方晶系，3m點群。
晶胞參數： a=b=12.532 A c=12.717 A z=6
熔點： 1095±5 ° C
莫氏硬度： 4.5~5
密度： 3.85g/cm3
光學均勻性： △n≈10-6/cm
吸收係數： α<0.001/cm@1064nm α<0.01/cm@532nm
α<0.5/cm@2550nm
熱導率： ⊥C， k1=k2=1.2w/m/k，‖C, k3=1.6w/m/k。
化學式： β-BaB2O4
晶體構式：三方晶系，3m點群。
晶胞參數： a=b=12.532 A c=12.717 A z=6
熔點： 1095±5 ° C
莫氏硬度： 4.5~5
密度： 3.85g/cm3
光學均勻性： △n≈10-6/cm
吸收係數： α<0.001/cm@1064nm α<0.01/cm@532nm
α<0.5/cm@2550nm
熱導率： ⊥C， k1=k2=1.2w/m/k，‖C, k3=1.6w/m/k。
b-BaB2O4 晶體（BBO）是由
中國科學院福建物質結構研究所首創的一種新型非線性晶體。該晶體具有較大的非線性係數（其非線性係數d11約為KDPd36的4倍）,具有很高的光損傷閾值，從紫外到中紅外範圍內的非線性頻率轉換性能非常好。目前已被套用於將頻率倍頻到藍光頻域及鈦藍寶石雷射的倍頻中
